铕配合物双光子吸收诱导荧光的研究

在合成的一类三元离子缔合型铕配合物Eu(tta)4•DEASP中;阳离子基团DEASP做为铕离子的双光子敏化剂;将铕离子的双光子激发波长拓展至生物光学窗口的长波波段1.06 μm。在此基础上合成出一系列DEASP的衍生物;研究阳离子基团的推拉电子能力对于配合物双光子敏化效率的作用机制。通过改变阳离子基团的端基结构可以有效提高双光子敏化效率;有望获得1.06 μm高效双光子吸收诱导荧光的铕荧光探针。     

[110]晶向近本征硅单晶双光子吸收各向异性

以沿[110]晶向切割的近本征硅单晶为样品,通过研究样品对连续波固体激光器所产生的1.3μm的近红外光的双光子吸收所诱导的光电流对入射光偏振方向的依赖关系,研究了双光子吸收的各向异性.测得了硅单晶对该波长的光的三阶极化率张量χ(3)的各向异性系数为-0.25,两个独立分量的比值χxxxx/χxxyy的幅度为2.4,并基于前期工作所得的χxxyy的结果,进而确定了另一分量χxxxx的值大约为1.49×10-19m2/V2.     

n-InSb的磁双光子带间吸收研究

通过测量光电导和调制光电导,观察到了15K温度下的n-InSb在CW CO_2激光照射产生的磁双光子吸收(TPMA).实验取Voigt位形,磁场沿[111]晶向且最大为4.2T.实验的结果表明,“一次带内,一次带间”跃迁理论可以相当好地解释InSb中的TPMA过程,且大部分吸收为“球对称跃迁”,而其余为较弱的空间反演不对称、斜项和k_H跃迁.通过计算三阶非线性系数虚部得到的TPMA吸收系数与实验测得的双光子光电导之比较亦表明,现有的此方面的理论解释是成立的.     

KBr晶体双光子吸收特性

本文详细研究了ＫＢｒ晶体在室温下经氮分子激光（３３７．１ｎｍ）照射后所产生的双光子吸收的光谱特性及其形成机理。对着色或未着色的晶体仅照射个激光脉冲,就能产生高浓度的Ｆ色心。这是一种在ＫＢｒ晶体中快速产生用于激光和光存储色心的有效途径。     

半导体双光子吸收的阈值光强研究

研究非共振条件下光脉冲在半导体中传输引起的非线性吸收动力学过程,在薄样品近似下推导了描术双光子吸收及其诱导自由载流子吸收相对强弱的阈值光强公式,分析了样品厚度对阈值光强的影响,解释ＧａＡｓ双光子吸收系数的测量值在很大范围内变化的主要原因。     

多光子吸收对差频产生太赫兹波影响的理论研究

理论分析了双光子和三光子吸收对非线性材料差频产生太赫兹(THz)波的影响,在不同抽运功率下,计算了相位失配情况下晶体的最佳作用长度和THz的最大量子转化效率,并将其与相位匹配情况进行对比。研究结果表明,抽运功率不太高时,多光子吸收对差频产生THz波影响不大;随着抽运功率的提高,多光子吸收的影响变得显著;抽运功率较高时,相位匹配与相位失配情况下,双光子和三光子吸收效应都增加了晶体的最佳作用长度,降低了THz的最大转化效率。研究了降低多光子吸收的方法。     

石墨烯量子盘带内跃迁双光子吸收理论研究北大核心CSCD

通过求解无限质量边界条件下石墨烯量子盘(GQDs)电子狄拉克方程,获得了电子能带结构,在此基础上理论研究了石墨烯量子盘的双光子吸收(TPA)性质,得到了任意尺寸分布函数下导带内电子跃迁引起的双光子吸收系数的解析表达式,及双光子跃迁选择定则。研究结果表明,双光子吸收系数的峰值比传统的半导体量子点的大8个数量级左右,石墨烯量子盘的能谱和双光子吸收谱可以通过石墨烯量子点的尺寸、尺寸分布函数和电子的弛豫能来调控。     

应用飞秒激光双光子吸收还原金属离子

为了探讨利用有机高分子材料的飞秒激光双光子吸收来引发金属离子还原的可行性,在自行研制的双光子微细加工系统中,采用物质的量的比为1:1的硝酸银/聚乙烯吡咯烷酮混和凝胶进行还原试验,加工出宽25μm的线条以及4mm×0.4mm的测试导线。由X射线光电子能谱分析可知,加工生成物主要元素是银,通过测试导线电阻,测算其电阻率范围在10-3Ω·m～10-5Ω·m之间。结果表明,用双光子吸收还原金属离子,可以控制反应区域,这对加工导电金属微结构是有帮助的。     

暗孤子传输中的双光子吸收效应的特性研究

用行波法求解了含双光子吸收效应的暗孤子非线性薛定格（NLS）方程,由此孤子解讨论了暗孤子传输特性。     

外加电场双光子光伏光折变晶体中的空间孤子

证明在外加电场的双光子光伏光折变晶体中存在明、暗稳态空间孤子波,它源于双光子光折变效应。结果表明：当光伏效应可以忽略时,这种孤子类似于双光子屏蔽孤子;当没有外加电场时,它退化成闭路条件下的双光子光伏孤子。在不同条件下屏蔽孤子和光伏孤子理论都可以从这一统一理论中得到。