5月半导体行业要闻

正三星与意法半导体联合研发28nm FDSOI工艺意法半导体日前宣布与三星就28纳米FD-SOI工艺(全耗尽型SOI)达成合作,旨在延长28nm工艺生命周期,通过生产低功耗,低成本的处理器满足可穿戴及智能手机市场。根据两家公司的协议,三星将从意法半导体获得28nm FD-SOI技术授权,从而使其可以为其他厂商代工,两家公司的设计流程互相兼容。目前,中国手机芯片供应商普遍由于价格问题,采用40nm制程为主要制程,而随着FD-     

TSMC与中国台湾国立台湾大学携手合作成功开发全球首颗40nm 3DTV芯片

中国台湾国立台湾大学与TSMC2月16日共同发表产学合作成果，成功研发出全球第一颗以40nm制程制作的自由视角3D电视机顶盒芯片，可望较现行技术提供更精致、多元的视讯影像体验。此项成果为视讯处理及半导体制程技术在3D领域的重大突破，该芯片也将在二月下旬于国际固态电路研讨会上（ISSCC）正式发表。     

英特尔宣布大连厂技术升级至65nm

正在建设中的英特尔大连芯片厂将采用65nm制程技术,该技术较以前宣布的90nm技术更先进。在大连举行的第七届中国国际软件和信息服务交易会上,英特尔半导体（大连）有限公司总经理柯必杰宣布了这一消息。     

各大半导体巨头制程工艺发展近况解读

目前全球主要集成电路的制造厂家的制程已经发展到纳米(nm)级别,全球各大半导体巨头制程工艺在竞争中发展。毫无疑问,Intel是半导体工业的技术霸主,是先进制程技术的带头人。AMD是曾经的追随者,与格罗方德合作后又转向三星。台积电在GPU领域有崇高地位,能否再创辉煌,业界拭目以待。三星14nm Fin FET的规模化量产,使得三星成为全球半导体领域的新霸主。制程工艺的极限将推动集成电路制造技术产生革命性创新。     

ArF准分子光刻机使半导体制造工艺到达32 nm Gigaphoton公司发布了用于下一代半导体制造的世界上最强大的氟化氩(ArF)准分子激光器

Gigaphoton公司新近设计出一款输出功率为90 W、重复频率为6000 Hz的新型氟化氩(ArF)准分子激光器.该激光器可用于浸没式光刻机,其可使制作半导体晶片的制程仅为32 nm.目前,全球芯片制造商刚开始将45 nm制程技术投入量产,据估计32 nm制程技术将于2009年投入使用.     

先进制程导入SOI晶圆代工厂布局暗潮汹涌

随着微处理器（CPU）、游戏机芯片（GPU）制程对SOI技术需求愈来愈强，SOI已成各大晶圆代工角逐核心客户青睐的武器。台积电、联电都不敢轻忽先进制程以下导入SOI技术大量生产的重要性，新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）则抢先在90nm制程中采用IBM授权，赢得微软（Microsoft）XBOX 360 GPU订单。据传，台积电正评估未来45nm制程，争取代工CPU的可能性，未来更积极取得SOI技术势在必行。     

三星开发出全球最小DRAM内存芯片 速度提升10%

三星电子20日宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,此芯片为'全球最小'的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。与第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%。     

全球首颗40纳米3D电视机顶盒芯片诞生

中国台湾国立台湾大学与TSMC 16日共同发表产学合作成果,成功研发出全球第一颗以40纳米制程制作的自由视角3D电视机顶盒芯片,可望较现行技术提供更精致、多元的视讯影像体验。此项成果为视讯处理及半导体制程技术在3D领域的重大突破,该芯片也将在二月下旬于国际固态电路研讨会上(ISS-     

盛美半导体设备(上海)有限公司

正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装     

三星2011年下半推出20nm级制程DRAM

<正>三星电子(Samsung Electronics)2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平,再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示,2010年采用30 nm级制程制造     

新思、瑞昱、联电携手合作打造业界第一个超高画质智能电视单芯片SoC

新思科技（Synopsys）、瑞昱半导体以及联华电子,近日宣布共同达成瑞昱RTD2995UHD智能电视控制器SoC芯片一次完成硅晶设计（first—pass silicon success）的目标,该新型智能电视SoC采用联电经生产验证（production—proven）的40nm低功耗制程技术,     

英特尔公司称EUV光刻技术的发展赶不上其工艺进展的步伐

在最近召开的SPIE高级光刻技术会议上,Intel公司称EUV光刻技术应用到大批量生产的时间点将会迟于Intel推出14 nm制程产品的时间点,而且按现在的发展趋势来看,很可能连Intel的10 nm制程都会赶不上!不过对其它芯片代工厂以及内存芯片制造商而言,仍有可能赶在他们推出16/14 nm制程产品时     

俄罗斯芯片国企要求政府封杀同类进口芯片

据路透社援引俄罗斯当地报纸的一则报道称,俄罗斯一家名为Sistema的公司最近呼吁俄罗斯当局禁止其对手厂商生产的同类IC芯片产品进口到俄罗斯市场。Sistema目前与意法半导体公司有合作关系,双方正在合作生产90 nm制程的电视,GPS,手机,电子护照等产品用的IC芯片。这家公司的国企背景深厚,着名的俄罗斯国有半导体企业俄罗斯纳米技术集团便是这家公司的大后台     

三星成立子公司跨入芯片代工行业

韩国三星电子公司资深官员日前表示，公司计划今年年底它的代工芯片子公司的产能将增加1倍，将成为一个打入代工芯片业务参与有效竞争的新对手。三星电子公司的子公司三星半导体公司的目标是：将采用客户需要的最先进的制造方法——通过和IBM公司、特许半导体公司的半自动技术联盟，获得最先进的45nm制造工艺。三星电子公司美国子公司新的技术副总裁Ana Hunter说：“我们将专注于90nm和90nm以下的制造工艺，     

中国芯片技术未来发展趋势

正英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示,英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外,英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。英特尔还开展了7-5纳米的芯片研发,韩国三星也由20纳米向15纳米进军,成为芯片一霸,台湾的台积电也开始20纳米芯片量产。反观中国大陆中芯国际,芯片还停留在40纳米,还并没有量产。     

盛美半导体设备(上海)有限公司

正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装备及工艺。盛美半导体设备(上海)有限公司自主研发的空间交变相位移兆声波清洗技术解决了单片兆声波清洗能量分布均一性的技术难点,获得了优异的晶圆清洗效果,产品已销往韩国、中国台湾以及国内的主流集成电路制造公司。     

盛美半导体设备(上海)有限公司

正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装备及工艺。盛美半导体设备(上海)有限公司自主研发的空间交变相位移兆声波清洗技术解决了单片兆声波清洗能量分布均一性的技术难点,获得了优异的晶圆清洗效果,产品已销往韩国、中国台湾以及国内的主流集成电路制造公司。     

区域动态

国民技术芯片获国际EMVCo认证通过国民技术股份有限公司的Z32D1024智能卡芯片日前通过了国际EMV组织的认证,标志着该公司安全芯片技术水平达到了国际公认的高等级水平。目前,全球共有包括InsideSecure、恩智浦、三星、意法半导体、Atmel、英飞凌、瑞萨电子、Mikron和国民技术在内的9家厂商的芯片通过认证,而国民技术是中国第一家也是唯一一家获得该认证的芯片厂商。     

三星宣布投产40纳米8Gb融合闪存芯片

三星电子宣布,采用40nm工艺的Flex—OneNAND融合式闪存芯片已经投产,容量也达到了8Gb。Flex—OneNAND是三星在2007年研发成功的一种新型闪存技术,将单层SLCNAND和多层MLCNAND整合在了一块硅片上,有利于减少     

东芝推出43nm的SLCNAND闪存成为市场上最高密度芯片

东芝宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存,产品容量从512Mb到64Gb,共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种,结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片,这是市场上最高密度的芯片。新产品运用领先的43nm制程技术和增加数据存储的先进技术,将每块芯片的容量提升到了以往56nm的SLC产品的2倍。从而为需要更高性能和可靠性的设备提供服务。与MCLNAND闪存相＼Ⅶ,新产品的写入速度约为2．5倍。