电解铜箔生产技术

简要介绍了电解铜箔的生产方法、辊式二步法生产工艺，以及我国电解铜箔的现状及发展。     

印制板用电解铜箔后处理工艺的研究

研究了一种新的印制板用电解铜箔后处理工艺,依次进行电镀Zn—Ni基三元合金、铬酸盐钝化、浸有机膜等。给出了电镀Zn—M基三元合金和铬酸盐钝化的工艺参数,并对各影响因素进行了分析。对经过上述工艺处理的电解铜箔进行了性能测试,结果表明,经过该工艺处理的电解铜箔的耐蚀性、耐热性和与印制板基体的结合强度等均有明显提高,铜箔的抗剥强度为2．15,劣化率为1．38％。     

电解铜箔钛阴极辊简轴电刷镀银工艺

电解法生产铜箔必须使用钛阴极辊筒，由于其工作电流高达35kA-40kA，为了提高钛阴极辊筒的导电性能，要求在其导电环内壁与之接触的轴表面电镀一层金属银，由于钛阴极辊筒体积庞大，无法在电镀槽内进行电镀，采用电刷镀方法镀银最合适，本文介绍电刷镀银的工艺过程及影响因素。     

电解沉积法生产铜箔的工艺技术

随着电子工业的发展,大量需要各种印刷线路板、线路板上的导电铜箔是用电解沉积法生产的.本文介绍铜箔的电解沉积原理、工艺过程和主要的生产设备;研究了增强铜箔与基底材料抗剥离强度的方法.文中论述到的一些问题,对使用同一原理获得金属电镀层会有所启发和帮助.一铜箔的电解沉积原理及工艺技术利用一个不锈钢或纯钛制成的圆筒,放在硫酸铜电解液中作为阴极,通过直流电后便可以在圆筒上沉积出铜层.旋转圆筒,剥离铜层,连续旋转、     

电解铜箔镀锌镍钴合金及其性能

对电解铜箔的毛面电镀锌镍钴合金。镀液组成和工艺条件为:NiSO4·6H2O 15~30 g/L,ZnSO4·7H2O 5~15 g/L,CoSO4·7H2O 2~4 g/L,配位剂110~150 g/L,添加剂B 0.1~0.5 g/L,温度50~60°C,pH 8~11,电流密度2~6 A/dm2,时间3~5 s。对镀锌镍钴合金镀层的微观结构、高温抗变色性、抗拉强度、耐热性、耐蚀性等性能进行表征。结果表明,所得锌镍钴合金镀层均匀,呈暗红色,对电解铜箔抗拉强度和延伸率的影响不大。镀锌镍钴合金铜箔的耐热性和耐蚀性优于镀锌镍合金铜箔。另外,镀锌镍钴合金铜箔的高温抗变色性和蚀刻性极好,在蚀刻过程中铜箔无侧蚀现象。     

低轮廓电解铜箔制备工艺参数的优化

采用直流电沉积法制备了低轮廓电解铜箔,在仅以明胶作为添加剂的情况下研究了钛基体(阴极)表面粗糙度、电流密度、硫酸质量浓度、铜离子质量浓度、电解液温度等工艺参数对铜箔表面形貌及粗糙度的影响。确定最佳的工艺条件为：钛基体表面粗糙度(Rz)1～2μm,电流密度4.0 A/dm²,硫酸100 g/L,铜离子60 g/L,电解液温度37°C。所得铜箔表面形貌良好,粗糙度(Rz)小于1.8μm。     

电解铜箔添加剂配方优化

在高电流密度下用直流电沉积法制备了电解铜箔。电解液基础成分为:Cu2+80～90g/L,H2SO4120～130g/L和Cl-30～40mg/L。用正交试验法研究了聚乙二醇、2–巯基苯并咪唑、硫脲、明胶等4种添加剂对电解铜箔力学性能的影响。最佳配比为:聚乙二醇0～5.5mg/L,2–巯基苯并咪唑0～6.0mg/L,硫脲0～3.0mg/L,明胶0～4.5mg/L。由此制备的铜箔,其常温抗拉强度与延伸率分别是411.3MPa和9.3%,高温抗拉强度与延伸率分别是209.2MPa和2.9%。     

电解铜箔添加剂配方优化

在高电流密度下用直流电沉积法制备了电解铜箔.电解液基础成分为:CU2+80～90g/L,H2SO4120～130g/L和Cl-30～40mg/L.用正交试验法研究了聚乙二醇,2-巯基苯并咪唑,硫脲、明胶等4种添加剂对电解铜箔力学性能的影响.最佳配比为:聚乙二醇0～5.5 mg/L,2一巯基苯并咪唑0～6.0mg/L,硫脲0～3.0 mg/L,明胶0～4.5 mg/L.由此制备的铜箔,其常温抗拉强度与延伸率分别是411.3 MPa和9.3%,高温抗拉强度与延伸率分别是209.2 MPa和2.9%.     

锂电池用6μm电解铜箔添加剂的研究

采用正交试验法研究了羟乙基纤维素(HEC)、硫脲(N)、聚乙二醇(P6000)和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)这四种添加剂对6μm电解铜箔性能的影响。最佳的添加剂配方为:HEC 1.0 mg/L,P6000 2.0 mg/L,N 0.05 mg/L,DPS 2.0 mg/L。     

杂质离子对电解铜箔生产质量的影响

通过霍尔槽试验和模拟生箔试验,研究了双面光铜箔制造中电解液常见杂质离子对产品质量的影响。确定了杂质离子的容许含量。结果表明,电解液中ρ(Zn2+)高于2 g/L、ρ(Fe3+)高于6 g/L、ρ(Ni2+)高于3 g/L及ρ(Cr3+)高于3 g/L,均会对电解铜箔的光亮度造成不良影响。     

电解铜箔镀镍处理及其性能的研究

讨论了电解铜箔镀镍工艺,并对镀镍后铜箔的一些性能进行了测试,通过与镀锌电解铜箔的一些性能比较,发现镀镍电解铜箔解决了镀锌电解铜箔存在的一些弊端,尤其是提高了电解铜箔的耐化学腐蚀性以及在对由镀镍电解铜箔制成的覆铜箔板进行蚀刻时明显地减少了侧蚀现象。     

印制电路板用铜箔的表面处理

介绍了铜箔的用途和分类,以及电解铜箔和压延铜箔的生产方法,简述了印制电路板用铜箔的表面处理工艺流程,对比了国内外印制电路用铜箔的制备方法和表面处理技术。国内已能生产出厚度为9μm的电解铜箔,但压延铜箔的生产技术有待于研究。     

电解铜箔生产中过滤器的设计总结

过滤器是电解铜箔生产中的关键的设备,直接影响产品的质量。为节省外汇,只引进美国高质量的过滤袋,由国内配套设计、制造过滤器。实践证明,该过滤器能达到要求的过滤精度。     

铜箔表面粗化工艺的研究

对铜箔表面进行粗化处理,传统的粗化工艺中要使用砷化物,不仅操作不便而且危害环境。研究了硫酸钛和钨酸钠在铜箔粗化过程的作用,发现二者共同作用可以在不使用砷化物的情况下,通过电沉积得到理想的粗化层,表面粗糙度可提高200％。     

扩孔时间变化对铝电解电容器用铝箔孔洞生长的影响

铝电解电容器高压用阳极箔一次腐蚀发孔后,经200 V以上电压化成后容易填没孔洞,需要通过二次腐蚀来增大孔径。在保持扩孔腐蚀电流密度不变的条件下,随着扩孔时间的延长,腐蚀箔孔洞深度加长,芯层减薄,孔洞密度减少,孔径增加。从腐蚀以及化成静电折弯分析,并非芯厚较薄的强度就一定差,化成后强度与扩孔后的孔径大小和规则性有一定的关联。     

工艺参数对电解提纯铜层织构的影响

在硫酸铜电解液中加入硫酸钠,利用电沉积和X-射线衍射方法研究了不同提纯铜工艺制备的铜镀层及织构特征.结果表明,织构度受到电流密度、镀层厚度和温度的影响,在较小的电流密度、较高温度及在较薄厚度的铜镀层得到(111)晶面择优取向,在较高的电流密度及在镀层δ达到30μm时得到(220)晶面择优取向,而且铜镀层(220)晶面比(111)晶面更易保留,(220)晶面使纯铜能获得更好的电化学性能,保持纯铜晶面的择优取向对铜在半导体的应用产生了深远的影响.