用于射频系统的10 MS/s 10位SAR A/D转换器

设计了一种用于射频系统的低功耗、中速中精度差分输入逐次逼近型(SAR)A/D转换器。采样完成后采用下极板对接的逻辑算法,10位SAR A/D转换器只需9位DAC即可满足其精度要求。DAC阵列采用分段电容结构,节省了芯片面积。比较器采用前置运算放大器加锁存器的结构,达到了同时兼顾速度和精度的要求。该A/D转换器芯片采用GSMC 0.13 μm 1P7M CMOS工艺制造,其核心电路尺寸为500 μm×360 μm,采用1.2 V的单电源供电。测试结果表明,当采样频率为10 MS/s,输入信号频率为2 MHz时,该SAR A/D转换器达到8.45位的有效精度,总功耗为2.17 mW;当采样频率为5 MS/s,输入信号频率为1 MHz时,该SAR A/D转换器达到8.75位的有效精度,总功耗为2.07 mW。     

一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器

基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器。电路为1.2 V电源供电,采用基于单调转换方式的改进型低功耗D/A电容阵列,相比于传统电容阵列,功耗降低了91%。采用一级动态预放大加一级动态锁存器的动态比较器,以降低功耗和提高速度。设计了与电容阵列工作方式相结合的异步逻辑控制电路,以降低外部时钟设计难度,并在控制功耗的前提下提高速度。Spectre仿真验证结果表明,在采样频率为120 MHz,输入信号频率为60 MHz时,SFDR达到81.07 dB,有效位数大于9位,具有良好的动态性能。电路整体功耗约为600 μW。     

一种用于高速高精度A/D转换器的自举采样电路

介绍了一种新型的CMOS自举采样电路。该电路适用于12位100 MHz采样频率的A/D转换器。采用P型栅压自举开关补偿技术,可以有效地克服采样管导通电阻变化引入的非线性失真,提高采样精度。仿真结果表明,采样时钟频率为100 MHz时,输入10 MHz信号,可得信噪失真比(SNDR)为102 dB,无杂散动态范围(SFDR)为103 dB。信号频率达到采样频率时,仍有超过85 dB的SNDR和87 dB的SFDR,满足高速高精度流水线A/D转换器对采样开关线性度和输入带宽的要求。电路采用SMIC 0.18μm CMOS数模混合工艺库实现,电源电压为1.8 V。     

一种10位40 MHz两步式A/D转换器

提出了一种基于两步转换法(5 6)的高速高精度A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗及面积。采用这种结构,设计了一个10位40 MHz的A/D转换器,并用0.6μm BiCMOS工艺实现。经过电路模拟仿真,在40 MHz转换速率,1 V输入信号(Vp-p),5 V电源电压时,信噪比(SNR)为63.3 dB,积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于10位转换器的±0.5 LSB,电源电流为85.4 mA。样品测试结果:SNR为55 dB,INL和DNL小于10位转换器的±1.75 LSB。     

一种高速低功耗10位逐次逼近模数转换器设计

通过分析并优化逐次逼近模数转换器(SAR ADC)的工作时序,设计并实现了一种高速、低功耗、具有误差补偿的10位100 MS/s A/D转换器。该芯片采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺进行设计。后仿真结果表明,在1.2 V电源电压、20.3125 MHz输入信号频率、100 MHz采样频率下,模数转换器的无杂散动态范围(SFDR)为68.1 dB,有效位数(ENOB)达到9.41位,整体功耗为0.865 mW,FoM值为15 fJ/conv。芯片核心电路面积为(0.02×0.02) mm²。     

一种10位10MS/s全差分异步逐次逼近模数转换器

设计了一种适用于嵌入式应用的10位10 MS/s逐次逼近模拟数字转换器。数字模拟转换器采用改进的分段电容阵列结构,有效地减小了电容面积和开关切换时的功耗。电容阵列采用中心对称技术,提高了电容匹配。使用采样时钟为主时钟和异步工作方式,避免了高频时钟的使用,同时优化控制逻辑来提高转换速度。电平转换模块将低电压数字逻辑信号提升为高电平模拟信号。采用UMC 0.11μm 1P6MCMOS工艺验证。当采样频率为10 MS/s、输入频率为100kHz左右正弦信号时,信号噪声畸变比(SNDR)为59.99dB,有效分辨率(ENOB)为9.67位。测得最大微分非线性(DNL)为0.48LSB,最大积分非线性(INL)为0.61LSB。     

一种轨至轨10位逐次逼近模数转换器的设计

设计了一款用于汽车电子MCU的轨至轨10位逐次逼近A/D转换器。采用单电容采样的DAC结构,保证A/D转换器的全摆幅输入范围。在后仿真验证中,采用频谱分析方法,标定寄生电容对DAC精度的影响,优化了版图结构。设计了片内低压差线性稳压器,提供稳定的电源电压信号。芯片采用GSMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺实现。后仿真结果表明,在1.8V电源电压、51kHz输入信号频率、1MHz时钟频率下,无杂散动态范围(SFDR)为73.596dB,有效位数(ENOB)达到9.78位,整体功耗2.24mW,满足汽车电子MCU的应用需求。     

一种10位80 Ms/s逐次逼近A/D转换器

基于65 nm CMOS工艺,设计了一种10位80 Ms/s的逐次逼近A/D转换器。该A/D转换器采用1.2 V电源供电以及差分输入、拆分单调的DAC网络结构。采用拆分单调的电容阵列DAC,可以有效降低A/D转换所消耗的能量,缩短DAC的建立时间,降低控制逻辑的复杂度,提高转换速度;避免了由于比较器共模电平下降过多引起的比较器失调,从而降低了比较器的设计难度,改善了ADC的线性度。动态比较器降低了A/D转换的功耗。使用Spectre进行仿真验证,结果表明,当采样频率为80 MHz,输入信号频率为40 MHz时,该A/D转换器的SFDR为72 dBc。     

一种10位80 MS/s低功耗采样保持电路的设计

给出了一种基于开关电容(SC)电路的10位80 MHz采样频率低功耗采样保持电路。它是为一个10位80 MS/s流水线结构A/D转换器的前端采样模块设计的。在TSMC 0.25μmCMOS工艺,2.5 V电源电压下,该电路的采样频率为80 MHz;在奈奎斯特频率采样时,无杂散动态范围(SFDR)为75.4 dB,SNDR为71.8 dB,ENOB为11.6,输入信号范围可达160 MHz(两倍采样频率),此时SFDR仍大于70 dB。该电路功耗为16.8 mW。     

基于0.35 μm GeSi-BiCMOS工艺的1 GSPS采样保持电路

介绍了一种基于0.35μmGeSi-BiCMOS工艺的1GSPS采样/保持电路。该电路采用全差分开环结构,使用局部反馈提高开环缓冲放大器的线性度;采用增益、失调数字校正电路补偿高频输入信号衰减和工艺匹配误差造成的失调。在1GS/s采样率、484.375MHz输入信号频率、3.3V电源电压下进行仿真。结果显示,电路的SFDR达到75.6dB,THD为-74.9dB,功耗87mW。将该采样/保持电路用于一个8位1GSPSA/D转换器。流片测试结果表明,在1GSPS采样率,240.123MHz和5.123MHz输入信号下,8位A/D转换器的SNR为41.39dB和43.19dB。     

10 tech companies for the next 10 years

The paper presents a list of the 10 most daring tech start-ups. The field was narrowed down by considering technological innovations in conjunction with the people who have bet on them: people, unlike new ideas, have track records that can be vetted. The 10 companies are as follows: (1) Microvision Inc.; (2) Cybernetix; (3) Lumileds Lighting LLC; (4) MeshNetworks Inc.; (5) Magiq Technologies Inc.; (6) Nantero Inc.; (7) Picsel Technologies Ltd.; (8) Crossbow Technology Inc.; (9) Microchips Inc.; and (10) Semikron International.     

Top 10

“假如有一天，地球与外太空生物建交，好莱坞的电影将是地球人的名片！”——这是里根总统曾对电影给予的高度评价。得出这种结论不仅因为他曾经是蜚声国际的演员，更由于当时该国宏伟的“星球大战”计划正在如火如荼地进行。     

2012 TOP 10 POWER获奖产品

专家评审组成员方佩敏教授北京航空航天大学李龙文高工中国电源学会电源元器件专业委员会主任路秋生教授中国电源学会常务理事TOP 10 LED控制器C S161X C S161X的数字智能可让控制器识别正在使用的调光器类型并调整兼容性算法,通过消费者几十年来使用白炽灯泡所     

Top 10

1 手机中的大杀器 狙击步枪弹道计算器 多年前某手机的广告词“手机中的战斗机”曾经成为脍炙人口的流行语,但没人能想到多年后手机真的能够上战场。     

真空微电子平板摄像管10×10像素驱动电路的设计与制作

真空微电子平板摄像是一种全新的摄像理论,它采用碳纳米场发射阴极、栅极和阳极(收集极)三极管结构。介绍了真空微电子平板摄像管驱动电路的设计要求、设计思路和电路测试结果,实验中采用的栅极驱动对驱动电路(扫描电路)起到了关键作用。     

10-GHz 10-W Internally Matched Flip-Chip GaAs Power FET's

A newly developed internally matched configuration for a flip-chip GaAs power field effect transistor is presented. In this structure, gate and drain electrodes of the FET chips are directly connected to the lumped dielectric capacitors in the matching networks by thermocompression bonding using no wire. A power output of 10 W with 3-dB gain and a power added efficiency as high as 14 percent has been realized at 10 GHz.