银纳米线制备工艺的研究现状

银纳米线是新一代非常有前景的导电材料。通过晶种和晶型结构及数量的控制,配合适当的反应条件,选择合适的还原剂和表面修饰剂,可以实现不同尺寸的银纳米线的制备。     

多元醇法制备银纳米棒的放大试验影响因素研究

采用银晶种为引导剂,以高浓度硝酸银溶液为银源,乙二醇为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为盖帽剂,大规模制备银纳米棒。用扫描电镜,元素分析和X射线衍射对银纳米棒进行表征。结果表明,通过预加银晶种的方式替代添加金属盐类,最佳的反应条件为:搅拌速度为350 r/min,反应温度为160℃,硝酸银浓度不高于0.50 mol/L,采取体积放大6倍高浓度硝酸银制备银纳米棒时,需要提高银晶种的浓度为9.81 mmol/L,PVP/AgNO3摩尔比为1.3,该方法利用银晶种的引导作用,调控硝酸银的还原速度使之与银纳米棒的生长速度相匹配。     

银纳米线的改进溶剂热法合成与表征

采用溶剂热法和晶种法相结合的改进方法,以硝酸银为银源,乙二醇为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂和分散剂,制备银纳米颗粒晶种,进而在溶剂热环境中合成了高均匀性的银纳米线。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、和紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)对产物的尺寸形貌、晶体结构以及光学性能进行了表征。结果表明,利用改进的溶剂热法制备的银纳米线具有较高的长径比,尺寸分布均匀,分散性良好,具有优异的等离激元共振吸收特性。     

核壳结构银纳米线的合成及神经形态网络特性

银纳米线由于具有独特的核壳结构,被用于构建神经形态纳米线网络。以经典多元醇法为模板,设计正交实验合成了一系列核壳结构银纳米线,分析了反应温度、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的相对分子量、PVP用量和卤离子含量等因素对银纳米线长度、直径及核壳结构微观特征的具体影响。结果表明,相对分子质量高的PVP更适合制备具有AgNWs-Ag核壳结构的银纳米线;由银纳米线组成的神经形态纳米线网络表现出类似人工突触行为的忆阻响应曲线,其神经形态特性受银纳米线核壳结构微观特征影响,并表现出明显的湿度依赖特性。     

银纳米线的制备及应用简述

银纳米线的大长径比效应使其表现出高透明度、低雾度、高导电性、韧性好的优异特性,具有良好的应用前景。简述了银纳米线的制备技术液相还原法－多元醇还原法、晶种法、光照射法等制备技术。简要介绍了大长径比银纳米线在导电和抗菌等方面的独特性能,在柔性器件、水体杀菌等方面有远大前景。     

旋涂法制备银纳米线透明导电薄膜

以商用银纳米线分散液为原料,利用旋涂法在载玻片上制备透明导电薄膜,并测试其可见光波段透过率,分析银纳米线分散液浓度、旋涂转速和热处理对银纳米线透明导电薄膜性能的影响。实验结果表明,银纳米线分散液浓度为2 mg/mL,旋涂转速为7500 rpm时,制得的银纳米线透明导电薄膜透过率可达98 %,电阻为120 Ω;120 ℃热处理10 min后银纳米线透明导电薄膜的透过率降低至91%,电阻降低至70 Ω。通过旋涂法制备了具有较好光电性能的透明导电薄膜,有望应用于触控设备和有机发光二极管(OLED)等领域。     

银纳米线的聚醇法制备及其在聚酯和玻璃基板上镀成的透明导电薄膜对比

以聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)为稳定剂,聚乙二醇(EG)为还原剂,采用聚醇法[1]制备了银纳米线.根据硝酸银/PVP比例的不同制备了4种类型的银纳米线样品,其中样品D直径最均匀,杂质含量最低.通过改变硝酸银/PVP比例、加入速率和PVP分子量,可对对银纳米线的长度和直径进行控制,得到了小直径(17~100 nm)、大长度(30 nm到100μm以上)的银纳米线.采用XRD、SEM、TEM和紫外-可见光谱对银纳米线的结构进行了表征.采用不同径长比纳米银线混合,以聚对苯二甲酸二乙酯(PET)和玻璃为衬底,分别使用可扩展层压辅助溶液法和旋转涂布法制备了2种透明导电薄膜,其方阻分别为17和26?/sq,透光率分别为88%和80%.     

银纳米线透明电极的成膜及后处理综述

银纳米线是一种有较大应用潜力的新一代透明导电电极材料。总结了利用银纳米线制备透明电极常用的旋涂、喷涂和棒涂法3种主要液相成膜工艺,对成膜工艺对膜性能的影响以及其应用潜力进行了分析;介绍了加热、加压和引入介质3类后处理方法,阐述了不同后处理方法对银纳米线透明电极综合性能的影响。     

氯化钠辅助快速合成银纳米线的研究

以硝酸银为银源、乙二醇为还原剂和溶剂、聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂,在氯化钠辅助作用下快速合成了银纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)与紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)等方法对样品进行分析和表征。结果表明:在实验条件下,加入NaCl溶液体积为0.55 mL,反应时间为40 min时可获得较纯的银纳米线。最后,讨论了银纳米线的生长机理。     

丙烯酸树脂添加剂对银纳米线透明导电膜的影响

目的 通过丙烯酸树脂共混改性银纳米线溶液,弥补了银纳米线附着力差的缺点。方法 采用不同槽深的线棒在玻璃基底上多次涂覆,制备了含不同丙烯酸树脂添加量的银纳米线透明导电膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透光率/雾度测定仪、非接触式电阻测试仪和百格法分别对银纳米线透明导电膜的表面形貌、表面粗糙度、透光率、雾度、方阻和附着力进行表征和测试,并通过最小二乘法将数据拟合得到银纳米线透明导电膜的透光率和方阻的关系。结果 随着丙烯酸树脂添加量的增加,银纳米线透明导电膜的附着力增强。在线棒槽深相同、丙烯酸树脂溶液添加量≤6%时,随着涂覆次数的增加,银纳米线透明导电膜的透光性下降、雾度上升,方阻逐渐降低;通过数据拟合发现,透光率与方阻的平方呈负相关,采用更大线棒槽深制备的银纳米线透明导电膜有更高的品质因数,在丙烯酸树脂添加量为4%(体积分数)、线棒槽深20 μm、涂覆12次时,制备了透光率为84.3%、雾度为2.81%、方阻为28 Ω/□的高品质因数银纳米线透明导电膜。结论 丙烯酸树脂溶液可以有效提升银纳米线透明导电膜的附着力,而丙烯酸树脂具有绝缘性,过量添加会增大银纳米线的接触电阻,使银纳米线网络的导电性下降。     

银纳米线晶种诱导法合成超长银纳米线及其分析表征

采用晶种诱导的方法合成了超长银纳米线,用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、恒区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)和紫外可见光谱(UV-Vis)等表征手段考察了制备条件对晶种和银纳米线的影响.结果表明,AgNO3浓度对晶种和银纳米线的形貌有影响.在优化条件下,5 min内即可诱导合成长度为70~100μm,直径为90~200 nm的具有良好均一性的超长银纳米线.     

简易种子调停法制备大小可调的三角形银纳米盘(英文)

通过柠檬酸钠还原银离子,以银纳米粒子为种子,在室温下制备出平均厚度约为5nm,尺寸40到500nm可调的三角形银纳米片。通过种子调停法可实现银纳米盘的面内偶极表面等离子体共振峰(SPR)从最初的520nm红移至1100nm。通过控制实验参数能够很好地理解其生长机制。柠檬酸根离子和增加到生长液里面的银纳米种子是2个重要的参数,可以控制银纳米盘的大小却不改变银纳米盘的厚度以及晶面结构。采用PVP作为包覆剂,其作用机理还不是很清楚,需要进一步的研究。     

用化学还原法从含银电镀废液中回收银的研究

研究了用化学还原法从电镀银废液中回收银时,Na2S2O4/Ag+摩尔比、温度等因素对银回收率的影响,得到的最佳回收工艺条件为:Na2S2O4/Ag+摩尔比为2.5,温度35℃,pH=7.5,搅拌速度300 r/min,用此工艺银的回收率可达99.98%。采用XRD、XRF、TEM、SAED对回收的银粉体进行了表征,银粉纯度较高,成球链状分布,平均粒径为175.8 nm。     

水合肼-氢还原重量法测定硫酸钯溶液产品中的钯含量

采用水合肼作还原剂,还原后的金属钯黑再通氢还原纯化,建立了水合肼-氢还原重量法测硫酸钯溶液中的钯含量。在优化后的测定条件下,测定了4.00%~14.50%含量的钯,分析结果的极差、相对标准偏差(RSD,n=6)分别为0.02%、0.062%~0.16%。与GB/T 23276-2009法相比较,测定结果的准确度和精密度更高。     

银丝键合烧球参数对键合质量的影响

经键合试验,测试焊线挑断力和焊球推力,观察焊球和电极界面形貌,研究了烧球电流和时间对银键合丝键合质量的影响。结果表明,随烧球电流增大、时间延长,键合无空气焊球(FAB)直径增大;FAB球颈晶粒尺寸是电流和时间共同作用的结果,晶粒尺寸越大、挑断力越小,18 mA-1.0ms烧球所得挑断力最小;在FAB尺寸相近的前提下随烧球电流减小,焊球推力降低,键合过程中电极易受损导致电极材料挤出率增大;高电流-短时间(23 mA-0.6 ms)烧球有利于银丝获得较好的键合质量。     

银粉形貌和质量分数对油墨粘度特性和固化膜电阻的影响

分别制备了不同银粉形貌和不同银粉质量分数的导电油墨,采用锥板粘度计测量了油墨粘度随剪切速率的变化曲线,并得到了油墨在120℃固化时固化膜电阻随时间的变化关系.结果表明,导电油墨中片状银粉的片径越大,表现出的粘度越大,而且触变破解指数也越大,具有更好的触变性;在不改变树脂种类和工艺的情况下,银粉质量分数越高,则制备的导电油墨的粘度越大,且具有更大的触变破解指数;在银粉质量分数相同的情况下,片状银粉制备的导电油墨的方阻比球形银粉制备的导电油墨的方阻要低,而且片状银粉的比表面积越大,方阻越小.而片状银粉制备的导电油墨的溶剂释放性比球形银粉制备的导电油墨的溶剂释放性要差些.     

水溶化学法制备纳米WC/Co复合粉工艺探索

本文通过实验探索了水溶化学法制备纳米WC/C0复合粉工艺,研究了影响喷雾转换、锻烧、碳化和调碳的工艺因素,找到了满足纳米WC/Co复合粉制备的工艺参数。在Kear等人的经典合成技术中,碳化钨钴纳米复合材料是由喷雾转化水溶液的化学计量量的水溶性钨源和钴源,然后用流化床通氢将钨钴氧化物还原为金属钨和钴,之后在一个充满CO/CO2的气体环境中将金属钨和钴碳化成纳米WUCo复合粉末。本研究不同于Kear等人的处理方法,涉及的WC/C0使用水溶性溶液钨、钴和碳前躯体加工的纳米复合材料,大量的WGCo纳米复合粉体是将钨、钴和碳在分子级水平上混合制备成一个复杂的前驱体粉末的独特方案,前驱体粉末在煅烧炉充满惰性气体约100撕00cC的温度下转化成一个含有W-Co-C-0的预复合粉粉末,随后在碳化炉低于1000℃的温度下碳化。实验表明,水溶化学法生产的纳米WC/Co复合粉较常规方法,具有晶粒细而均匀、流动性好等特点,更适于高性能硬质合金的生产。     

粉末冶金法制备泡沫铝时增粘过程的基础研究

在研究粉末冶金法制备泡沫铝过程中,在铝硅合金粉末中加钙增粘,提高了泡沫铝熔体的稳定性与孔结构的均匀性.论述了加钙增粘的机理及不同加钙量对泡沫铝孔隙率、孔结构的影响.经对发泡过程的动态观测,证明熔体粘度对泡沫体稳定性的影响是至关重要的.试验结果表明:在采取严格的气体保护措施条件下,加钙量在2%～2.5%时,可获得较低密度且孔径均匀的泡沫铝材料.