GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。     

GaAs数字电路输入输出接口电路的设计

本文讨论了ＧａＡｓ电路和ＳｉＥＣＬ电路的输入输出接口问题，对ＧａＡｓ电路中ＢＦＬ、ＤＣＦＬ、ＳＤＦＬ等电路形式的典型输入输出接口电路进行了分析研究，用电路模拟程序计算并给出了ＢＦＬ输入输出接口电路的转移特性曲线。     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓ ＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟的１００ｐｓ、单门功耗的１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型Ｄ     

卡拉OK单片大规模集成电路TC9465F及其应用

ＴＣ９４６５Ｆ是日本东芝公司专为ＬＤ／ＣＤ唱机、组合机和ＶＴＲ等卡拉ＯＫ音响设备而设计的新型单片大规模集成电路,它具有高、低音处理和话筒回声功能,内置ＡＤＣ和ＤＡＣ以及静音控制与处理电路,文中介绍了卡拉ＯＫ单片ＬＳＩ的引肢功能和特点。并结合应用电路对ＴＣ９４６５Ｆ的工作原理进行了说明。     

索尼公司开发新型5．6英寸多晶硅TFT－LCD模块

索尼公司开发新型５．６英寸多晶硅ＴＦＴ－ＬＣＤ模块日本索尼公司已开发成功内置驱动电路的新型５．６英寸多晶硅（Ｐ－Ｓｉ）彩色薄膜晶体管液晶显示（ＴＦＴ－ＬＣＤ）模块。与非晶硅（ａ－Ｓｉ）ＴＦＴ—ＬＣＤ模块相比，它有两个突出优点：其一是每个象素上的ＴＦＴ...     

采用先进驱动电路的TFT LCD

采用先进驱动电路的ＴＦＴ　ＬＣＤ日本电气公司应用先进驱动电路研制成功一种全模拟色彩１３英寸薄膜晶体管（ＴＦＴ）液晶显示器（ＬＣＤ），分辨率高达１２８０ｘ１０２４像素。新驱动器用模拟信号转换技术代替了一般数字技术。这项技术的核心是控制显示器所要求的１０...     

快速时域模拟器FTSIM

开关级快速时域模拟器ＦＴＳＩＭ，可对ＭＯＳ ＬＳＩ／ＶＬＳＩ数字电路进行逻辑功能和时间特性的模拟与验证。基于波形松弛算法，ＦＴＳＩＭ首先将电路分解成直流连通单元（ＤＣＣ），然后利用晶体管非线性模型按一定次序计算每个ＤＣＣ的输出波形。在求解该模型特征方程的过程中，采用了电压步进方法，同时提出了处理ＤＣＣ之间反馈问题的事件驱动自适应窗口算法。ＦＴＳＩＭ可以充分利用电路的多速率特性和各类休眠特性来提高分     

吸收光栅增益耦合DFB—LD电路模型

本文以激光器单模速率方程为基础,针对ＤＦＢ－ＬＤ推导了光子寿命与激光器内部损耗及端面出射损耗的关系,以及端面出射光功率与平均光子密度的关系,给出吸收光栅增益耦合ＤＦＢＬＤ电路模型,用该模型研究了ＡＧ－ＧＣ－ＤＦＢ－ＬＤ的自脉动效应及影响自脉动幅度和频率的主要因素。     

GaAsIC阈值电压均匀性的计算机模拟分析

本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓ ＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法,并计算三种不同ＧａＡｓ ＩＣ对阈值对电压均匀性的要求,结果表明,ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低,σＶｔｈ为２１８ｍＶ,ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高,σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ。模拟计算还提出;优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同;工艺不同,电路对阈值电压均匀性的要求也不同。这     

GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析

本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓ ＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法,并计算三种不同ＧａＡｓ ＩＣ对阈值对电压均匀性的要求,结果表明,ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低,σＶｔｈ为２１８ｍＶ,ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高,σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ。模拟计算还提出;优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同;工艺不同,电路对阈值电压均匀性的要求也不同。这     

The prospects for ultrahigh-speed VLSI GaAs digital logic

Recent advances of GaAs integrated circuit fabrication technology have made possible the demonstration of ultrahigh performance GaAs digital ICs with up to 64 gate MSI circuit complexities and with gate areas and power dissipations sufficiently low to make VLSI circuits achievable. The authors evaluate, based on the current state of GaAs IC technology and the fundamental device physics involved, the prospects of achieving an ultrahigh-speed VLSI GaAs IC technology. GaAs IC fabrication and logic circuit approaches is reviewed. The experimental performance results are compared for the leading GaAs logic circuit approaches, both for simple ring oscillators and for more complex sequential logic circuits.     

GaAs大功率器件内匹配技术研究

介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等.以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用.通过大信号建模获得大栅宽器件模型,通过ADS软件进行内匹配电路参数的优化计算.通过电路制作及调试,实现了大功率器件的性能.经测试,当器件Vds=9 V时,在5.2～5.8 GHz频段内,输出功率Po≥40 W,功率增益Gp≥9 dB.测量值和设计值基本吻合.     

GaAs HBT's for analog circuits

Silicon bipolar integrated circuit (IC) technology has dominated the analog IC world for over two decades. As the push for wider bandwidths with higher precision continues, the emergence of GaAs HBT technology is destined to challenge silicon bipolar's domination at the high end of the analog market. This paper discusses the analog application areas best suited to GaAs HBT technology, points out its unique characteristics for analog circuits, describes the design issues for key analog building block circuits, and provides comparative examples of demonstrated state-of-the-art analog circuits. Finally, a projection of future direction in this application area is provided     

高压微型砷化镓太阳电池的研究

介绍了高压微型砷化镓太阳电池的研究情况,研究了MOCVD砷化镓外延片的结构设计和制作,研究了高压微型砷化镓太阳电池串联结构设计和器件工艺的情况。研制的高压微型砷化镓太阳电池在1cm2面积内串联了118个电池单元,每个电池单元有效面积为500μm×400μm。在AMO光强下,开路电压大于80V,短路电流大于50μA。     

砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究

砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试...     

High-Speed Digital IC Performance Outlook

This paper, which is a tutorial on high-speed GaAs digital IC's, was given as one of the 1984-1985 MTT-S Distinguished Microwave Lectures. It reviews GaAs FET technology and issues related to device/ circuit design and fabrication of digital circnits of MSI/LSI complexity operating at gigahertz clock frequencies; discusses limitations of the technology; compares GaAs technology with competing Si bipolar transistors, GaAIAs HEMT, and GaAIAs HBT technologies and projects performance of GaAs digital IC technology in applications where it will have a significant impact on microwave systems.     

Si:SiGe MODFET current mirror

Measurements of the DC characteristics of a negative inverting, voltage-following current mirror are presented. The circuit design uses prototype n-depletion mode, modulation doped field effect transistors employing Si:SiGe heterojunction technology and is based on recently established circuit design techniques for GaAs MESFET technology. The results show a quasi-linear response with gate voltage swings (V_gs ) of ±0.5 V. Increases in the achievable range of V_gs are anticipated through changes in material growth and device processing, and also through enhancement of the circuit design     

Monolithic GaAs transimpedance amplifiers for fiber-optic receivers

The authors describe the design of transimpedance amplifiers using GaAs MESFET technology. A GaAs transimpedance preamplifier for fiber-optic receivers has been fabricated with two gain stages and an inducer-FET load structure that reduces noise. The two-stage amplifier design provides increased open-loop gain as compared with a single-stage design, and greater closed-loop stability than a three-stage amplifier. An automatic-gain-control (AGC) circuit that varied the value of the feedback resistor was incorporated into the design     

A 3.3-V 21-Gb/s PRBS generator in AlGaAs/GaAs HBT technology

We present a pseudorandom bit sequence (PRBS) generator that outputs a 2⁷-1 bit pattern at rates up to 21 Gb/s. The circuit is implemented in a 40-GHz AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) standard production process, operates from a single 3.3-V power supply, and consumes 1.1 W of power. We discuss variations of PRBS architecture and digital circuit topologies which exploit unique characteristics of AlGaAs/GaAs HBT devices. The work demonstrates the feasibility of using AlGaAs/GaAs HBT technology with low-voltage/low-power design techniques in complex high-speed circuits     

GaAs／Si衬底电路制备中Ge元素分布的研究

Ｓｉ衬底上外延ＧａＡｓ材料是微电子学研究的重要课题之一，本文介绍了以大直径的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料取代ＧａＡｓ衬底的工艺技术，对Ｇｅ元素在ＧａＡｓ／Ｓｉ集成电路中的分布影响进行了俄联电子能谱分析研究，并确定了该技术在大规模集成电路中的应用价值。