亚微米MOSFET的计算机模拟

本文阐述了在考虑载流子能量输运的基础上建立起来的亚微米MOSFET的数值模型.在计入能量弛豫时间和量子沟道展宽效应的基础上提出一种改进的迁移率模型.数值结果表明理论和实验符合得相当好.     

SOI MOSFET I—V特性的计算机模拟

本文研究了ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合。该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。     

量子器件的计算机模拟

综述了量子器件的几种输运模型及其模拟结果 ,并对量子器件物理模型及其辅助设计提出了设想。     

纳米器件特性的计算机模拟

随着微细加工技术与纳米科技的发展 ,纳米器件必将成为下一代集成电路的基础。纳米器件模型的建立与计算机模拟对于实验有着重大的指导意义。文中综述了纳米器件的几种输运模型及其模拟结果 ,并对纳米器件物理模型及其辅助设计提出了设想。     

SOI MOSFETI－V特性的计算机模拟

本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。     

基于结点电压增量的模拟电路多故障诊断方法研究

针对模拟电路多故障诊断中经常可能遇到的可测点不足和测试量受限的问题,提出了基于结点电压增量的模拟电路多故障诊断方法.推导了基于4个测试点电压增量的双故障诊断方程,给出了诊断流程和仿真实例.理论分析和实验结果表明,该方法可用于线性模拟电路的多故障诊断,对硬故障和软故障均有效,在可测点不足和测试量受限的条件下具有优越性,适合大规模线性模拟电路的多故障诊断和测试.     

亚微米MOSFET热载流子蜕变的二维计算机模拟和分析

本文建立了包括热载流子发射和界面电荷生成的热载流子蜕变模型,考虑了界面电荷对发射的反馈影响。以PISCES程序为基础,建立了模拟热载流子蜕变的二维程序。模拟并分析了0.75μm MOSFET在不同偏压下的蜕变,模拟结果和实验符合得相当好。     

77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究

77 K 低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一.通过研究 MOSFET 非固有电容的特性,并基于 BSIM3通用模型对电容的描述,在77 K 低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数.嵌入 SPICE 软件仿真对比,证明了参数的准确性.     

短沟道MOSFET器件物理模型研究

通过求解经修正的二维泊松方程，并考虑了主要的短沟效应和高场效应，得到一个描述短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件Ｉ－Ｖ特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚阈区在内的不同工作区域，对０．８μｍ和１．４μｍ器件的漏极电流特性能较好地描述，可应用于亚微米、深亚微米级ＭＯＳＦＥＴ的电路模拟。     

pnpn结构器件模型的分析与模拟

将基本半导体方程归一化为奇异振动问题，采用渐近和数值技术，研究了ｐｎｐｎ结构器件模型解的分歧现象，确定了模型解唯一以及模型解出现Ｓ分歧的歧点，由此获得了Ｊ－Ｕ渐近解析表达式。实际例子表明，所获Ｊ－Ｕ的解析式与数值解结果一致。     

MOSFET behavior and circuit considerations for analog applications at 77 K

We present an investigation into the behavior of silicon MOS transistors and analog circuits operated at liquid-nitrogen temperature (LNT). Simple scaling rules are used to predict the LNT performance of CMOS operational amplifier circuits designed for room-temperature operation. Measurements show that unity gain frequency and slew rate can be improved by the same amount as the mobility increase with no loss of stability if bias currents are properly controlled. We also show that room-temperature CMOS amplifier circuits can be redesigned for 77-K operation by reducing channel widths and compensation capacitor area, giving performance equal in most respects to that of unscaled circuits at room temperature. However, 1/f noise is degraded by such redesign. Similar considerations of NMOS amplifiers show that such circuits do not benefit greatly from operation at liquid-nitrogen temperature. To aid in studying the temperature dependence of the sheet resistance of diffused resistors, a computer program was developed based on available models for bulk mobility and carrier freeze-out. Accurate predictions require a temperature dependence for lattice scattering that differs from previously reported values.     

适于深亚微米器件模拟的Monte Carlo方法

讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法（ＭＣＭ）,探讨了确定自由飞行时间的自散射方法,并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。     

半导体器件模型的改进迭代方法

考虑的半导体器件模型以Slotboom变量和电势为求解变量。求解泊松方程时,电子和空穴浓度由电流连续性方程的解得到,因而泊松方程是线性的,因此可以获得较满意的泊松方程的解,从而提高计算结果的精度。另外,在每—次Gummel循环开始,迭代初值进行一次修正,即经过Gummel迭代得到的电子和空穴浓度值,不直接用作下一次迭代的初值,而先进行极小化处理,从而加快了收敛速度。最后,给出了一个数值例子。     

深亚微米半导体器件模拟方法的分析与设计

对半导体器件模拟软件系统的构造进行了全面系统的分析,对所涉及到的关键问题进行了深入讨论。研究了适合于深亚微米半导体器件的流体动力学模型的物理实质、相互关系和选取原则,总结了非线性偏微分方程组系统的离散技术,提出了可行的迭代求解算法与方法,完成了面向对象的模拟软件结构分析与系统设计,初步探讨了基于ＣＯＲＢＡ 平台下并行计算方案的实验及其有效性     

一种红外探测器专用77K工作CMOS前置放大器

利用single-ended folded-cascode 结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻，实现了一种在77K工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器．分析了它的噪声特性，提出了减少噪声的措施．此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成．经过测试，这种前置放大器在低温77K下能正常工作，反馈电阻大小为兆欧级，线性度达到了1％,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz，功耗小于1mW．     

一种红外探测器专用77K工作CMOS前置放大器

利用single-ehded folded-cascode结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,实现了一种在77K工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器.分析了它的噪声特性,提出了减少噪声的措施.此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成.经过测试,这种前置放大器在低温77K下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,线性度达到了1%,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz,功耗小于1mW.     

一种SAR原始回波数据模拟方法

在分析星载 ＳＡＲ回波信号完整模型的基础上,提出了一种基于 ＳＡＲ图象的原始回波数据模拟简易方法,并通过对回波信号统计分析以及成像处理验证了模拟结果的正确性和可行性。