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利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到~ 10 % ,即体浓度~ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 ,室温下发光强度温度猝灭不明显 相似文献
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本文利用卢瑟福背散射及沟道(RBS/C)技术,二次离子质谱(SIMS)技术等研究了MeVSi离子束轰击对BF2注入Si样品特性的影响.结果表明,退火后在BF2注入形成的PN结结区内仍有大量的二次缺陷.退火前附加一次MeVSi离子轰击可以有效地消除BF2注入区内的二次缺陷,抑制B原子的扩散,并提高B原子的电激活率. 相似文献
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O^+2注入Si的折射率谱和弛豫时间 总被引:1,自引:0,他引:1
用椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50keV,不同注入剂量的O^+2注入Si的折射率谱。计算了单晶硅电极经的驰豫时间,并对结果进行了讨论。 相似文献
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通过三步直接键合方法实现了 Si/ Si键合。采用 XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对 Si/ Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究。研究结果表明 ,高温退火后 ,在键合界面没有 Si-H和 Si-OH网络存在 ,键合界面主要由单质 Si和不定形氧化硅 Si Ox 组成。同时 ,研究还表明 ,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度。 相似文献
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Si/SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布 总被引:2,自引:1,他引:1
本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法[1],测量了MOS结构Si/SiO2界面态的俘获截面,并利用这些结果将界面态的DLTS谱反演成界面态的能量分布.结果表明:界面态的电子俘获截面强烈地依赖于能量和温度,空穴俘获截面依赖于温度而与能量无明显相关,Si/SiO2界面态在Si禁带下半部的是施主态,而在上半部的是受主态,用DLTS测量的界面态不呈U型分布,它与准静态C-V测量的结果完全不同. 相似文献
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p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多晶硅栅中注 N+工艺对栅介质性能的影响 .实验结果表明 :在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散 ,降低了低场漏电和平带电压的漂移 ,改善了栅介质的击穿性能 ,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大 ,需要折衷优化设计 . 相似文献
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Si^+注入GaAs及其退火中SiO2包封的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si^+注入GaAs的前后及其退火的前后用和不用SiO2包封进行了对比实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率;在包封退火的情况下,光片注入的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以,光片注入后包封退火较实用,它使载流子分布窄,激活率高。 相似文献
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固体成像传感器包括可见光CCD,IRCCD,CMOS和红外焦平面阵列,其信号由光电二极管经注入栅沟道直接输入到转移级是基本的注入模式.本文总结了近30年来的发展成果,阐述了直接注入效率的理论和基本公式,得出在取样频率低的情况下,增大注入栅的跨导和光电二极管的阻抗是提高注入效率的最有效方法;在光电二极管低阻抗的情况下,采用电流镜像直接注入新设计,其注入栅的跨导可趋于无限大,因而可使注入效率接近100%.分析了电路的新设计方法,研制了64元线列InSb电流镜像直接注入电路.初步测试表明,注入效率与理论分析接近. 相似文献
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本文利用C-V测试的方法,研究了MOS工艺中等离子过程对不同栅材料的Si-SiO_2结构的影响,探讨了等离子损伤的形成机理,并就不同的退火条件进行评估。 相似文献
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文章研究了BF2^ 注入对PMOS晶体管开启电压的影响,试验发现,在我们的工艺条件下,BF2^ 注入能量是影响PMOS管开启电压的主要因素,能量高于67.5kev的BF2^ 注入可导致开启电压正漂,而退火对开启电压正漂没有影响,F离子也没有促进B穿透。 相似文献