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介绍了合成孔径雷达及其天线技术、星载天线有源馈电网络的特点、空间辐射对卫星寿命的影响及空间辐射屏蔽机理,阐述了卫星在轨飞行时空间环境的深度剂量曲线,得出轨道质子、电子的分布特点,分析等效铝材料对质子、电子的屏蔽效果,根据元器件的抗辐射性能采用局部加固的方法,并提出了等效铝的合适厚度,为星载SAR天线抗辐射加固工程设计提供依据。 相似文献
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软件验收测试是软件测试的最终环节,对软件质量、软件的可靠运行起到至关重要的作用。嵌入式控制软件在综合测试时,发出测试指令,控制其他测试设备,共同完成综合测试,本文描述了嵌入式控制软件开展验收测试的实施方法,作为后续工程应用的参考。 相似文献
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针对卫星在宇宙空间运行易受到各种高能粒子辐射,产生的单粒子现象会影响卫星正常工作的问题,通过总结传统的抗单粒子效应的几种方法、可重构技术的发展与分类,分析研究了星载可重构系统设计方法用来抗空间环境辐射效应。通过硬件平台的动态重构可以有效克服单粒子效应的影响,实现远程故障维修、硬件可升级、可靠性提高和成本降低等目标。 相似文献
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星载计算机中实时多任务软件的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
根据实时多任务软件的设计流程,结合星载计算机的特点,详细介绍了基于VxWorks操作系统的实时多任务软件的设计步骤,重点描述了星载计算机软件设计过程中的多任务优先级分配、任务通信设计、中断设计、对于共享资源的防护设计以及防单粒子翻转设计等。 相似文献
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星载软件容错设计及验证技术 总被引:2,自引:0,他引:2
刘海峰 《中国电子科学研究院学报》2009,4(3)
航天环境的特殊性决定了星载软件的高可靠性要求,软件的容错设计是保证星载软件可靠性的有效手段。同时,对软件容错设计本身的技术验证也是非常必要的。文章在对软件容错设计分析的同时,结合工程项目实践,构建了一个软件故障注入模型,用以模拟空间环境故障对软件的影响,并验证项目中软件容错能力的健壮性。 相似文献
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针对低等级器件抗辐射能力较差的特点,需开展应用加固以满足宇航应用,对一款Flash型现场可编程门阵列(FPGA)开展抗单粒子翻转(SEU)加固设计,并利用地面模拟试验进行加固效果验证,结果表明器件加固后块随机存储器(BRAM)区翻转截面下降近2个数量级,寄存器单粒子翻转截面下降约75%,验证了加固措施的有效性。结合典型轨道环境,计算了器件在轨翻转率,BRAM区翻转率下降4~5个量级,寄存器翻转率下降2~3个量级,可为在轨应用提供指导。 相似文献
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由于空间环境的特殊性,可靠性成为航天器的重要指标,容错设计在航天关键电子元器件中必不可少。在航天器进入太空之前,为了模拟空间辐射效应,文中采用一种新颖方法对航天关键电子元器件进行单粒子故障注入,同时通过软件配合测试的方式,达到验证其容错结构的目的。采用了该技术的面向空间应用的高性能高可靠32位嵌入式RISC处理器取得了一次流片成功的结果。 相似文献
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详细分析了造成控制计算机死机的多个可能因素,并提出了相应的注意事项。最后提出利用软件杭干扰技术和软件测试来提高控制软件的稳定性。 相似文献
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随着巴州电视台以视频服务器为核心的播出网络和现代新闻媒资制作网络的分步建成,我们对播出技术质量要求也越来越高,高标准、多格式的新闻类节目制作到高质量的播出技术水平需要上载环节来紧密连接;硬盘替代其他介质作为主要播出源,节目的安全播出更需要上载系统的标准化流程来保证换句话说,就是将播出的安全职责前移. 相似文献
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针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围。重离子试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的翻转截面,基于新方法研制的ASIC产品的抗单粒子翻转能力得到显著提高。 相似文献
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针对卫星载荷在轨期间任务需求变更以及软件潜在设计缺陷的问题,提出了一种星载传感器功能软件在轨动态重构设计方法.基于SRAM型双FPGA+DSP的硬件架构,采用相互控制、相互引导以及分时加载的方法,在载荷管理设备的指令控制下,实现了FPGA和DSP全功能软件多版本切换以及在轨更新等动态重构功能;构建PROM和NorF... 相似文献
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本文分析了星载通信电子侦察设备的空间辐射环境及总剂量辐射效应,阐述了抗总剂量辐射效应的设计流程及设计思路,并提出了一些结构防护与设计方法。 相似文献
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微电子器件的抗辐射加固技术 总被引:6,自引:0,他引:6
对各类微电子材料的抗辐射特性进行了分析,对Si双极器件和Si CMOS器件、GaAs微波功率器件、新兴光电器件件-VCSEL、LED以及MEMS的抗辐射加固技术进行了探讨,对几种空间单粒子效应(SEE)进行了研究。 相似文献
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提出了一种具有软错误自恢复能力的12管SRAM单元。该单元省去了专用的存取管,具有高鲁棒性、低功耗的优点。在65 nm CMOS工艺下,该结构能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转的比例是64.29%,与DICE加固单元相比,双点翻转率降低了30.96%。与DICE、Quatro等相关SRAM加固单元相比,该SRAM单元的读操作电流平均下降了77.91%,动态功耗平均下降了60.21%,静态电流平均下降了44.60%,亚阈值泄漏电流平均下降了27.49%,适用于低功耗场合。 相似文献