ZrO/W(多晶)材料逸出功和发射常数的实验测定

在 1 0 - 5乇真空条件下 ,对 Zr O/W(多晶 )的逸出功 和发射常数 A进行了测量。实验结果 为 3.0 5e V,A为 1 .1 6× 1 0 - 2 (安 /厘米 2 ·度2 ) ,表明用多晶钨代替单晶钨 ,也能得到很低的逸出功值 ,其应用价值是好的。     

STK443-100-E两通道(2×100W)AB类音频功率放大器

<正> STK443-100-E是三洋半导体公司生产的一种两通道AB类音频功率放大器厚膜混合IC,在电源电压Vcc=±35V、f=1 kHz、TH4D=10%和负载R_L=6Ω时,每个通道输出功率可达100W,在应用中可以提供待机和静音控制及负载短路与     

Mg在Si(100)-2?1表面的化学吸附

用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Mg原子在Si(100)-(2×1)表面的化学吸附。计算了Mg 原子在不同位置时吸附体系的能量。结果表明,Mg原子在吸附面上方的cave位吸附最稳定,同时在吸附面上方还存在一个亚稳位置shallow位,这与实验结果一致。同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究。     

氢在金刚石(100)表面的化学吸附

采用集团模型以自治的EHT方法计算了氢原子在金刚石(100)表面的吸附.结果表明,氢的吸附位置倾向于处在顶位.电子态密度的分布与已有的实验结果相符.     

H_2O在Si(100)-(2×1)表面上的吸附和氧化

利用AES以及HeI(21.2eV)和同步辐射(138.5eV)光电子谱研究了H_2O在Si(100)-(2 ×1)表面上的室温吸附、高温退火效应以及开始氧化的过程.AES的测量结果表明,H_2O在这种表面上的粘附系数很大,在350K下,当曝汽量约为2L时就达到饱和,其覆盖率θ=1/2.价带区域的光电子谱出现三个由于H_2O吸附而引起的特征峰,低于价带顶分别为6.2、7.2和11.5eV.350K下的 H_2O吸附导致Si 2p能级的结合能增加0.8±0.1eV,相当于一个Si原子同一个氧原子键合的情况.在 640K下退火后,出现Si 2p的第二个化学位移峰,其位置比体内Si 2p 峰约低 1.8eV,表明这时的 H_2O已经完全离解,一部分Si原子同两个氧原子键合(可能是桥键方式). 在 870K下退火,得到Si 2p的四个化学位移峰,说明氧已经贯穿进Si的体内,形成SiO_x(x=1、2、3和4).当退火温度进一步提高到T(?)970K时,恢复Si的清洁表面,表明氧被完全脱附.     

在原子-腔-光纤系统中制备N个腔模的W态

提出一个在原子-腔-光纤系统中制备最大纠缠的W态方案,要求原子与腔之间的耦合常数要比拉比频率小的多。通过暗态绝热演化方法,使原子的自发辐射和光模损耗得到有效的抑制。因此我们一些参数的涨落对此方案的影响比较小。该方案操作比较简便,只要调节原子与腔场之间的耦合系数就能得到W态。此系统构成量子网络的一部分。     

Ni在Si(111)和Si(100)面上吸附的理论研究

采用集团模型和分立变分的 Xα方法研究 Ni原子在Si(111)顶位和三度开位吸附,以及在Si(100)四度位和桥位吸附的可能性,由体系的总能量最低确定稳定吸附位置,并在稳定吸附位讨论了Ni-Si成键特性和态密度.结果表明,只有当Si(111)表面弛豫情况下Ni原子才能沿[111]方向进入表面以下,但Ni原子也能沿[100]方向进入Si表面层.计算所得态密度与实验符合较好.比较所得的态密度和 NiSi_2/Si(111)的界面态密度表明位于表面下的Ni可能是生长NiSi_2的先兆.     

Si(100)清洁表面吸附氢的功函数变化

<正> 半导体清洁表面存在各种形式的再构.在解释这些再构时,会提出许多不同的表面原子排列模型.为了判断哪一种模型是正确的,除了测量低能电子衍射的Ⅰ-Ⅴ曲线及光电子能谱来同理论计算相比较外,从表面吸附氢以后原子结构和光电子能谱的变化,也可对模型的正确性提供一些旁证.因而在半导体表面的研究中,氢在表面的吸附是一个很基本的课题.     

O_2在FeSi(100)表面的初始吸附研究

本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此外,通过对实验结果的分析,给出一种室温下O原子在FeSi(100)表面上吸附的模型.     

原子-腔-光纤复合系统中腔场间的纠缠特性(英文)

考虑将W态中的两个二能级原子分别注入用光纤连接的耦合腔A和B中,并且原子与腔场发生共振相互作用的情况。采用Negativity熵来描述两子系统间的纠缠,研究了原子-腔-光纤复合系统中腔场间的纠缠特性。利用数值计算方法,通过对是否进行腔外原子的选择性测量情况下腔场与腔场间的纠缠的比较,讨论了对腔外原子的选择性测量和原子与腔场间的耦合系数变化对纠缠特性的影响。研究结果表明,对腔外原子的选择性测量可增强腔场与腔场间的纠缠,另一方面,随原子与腔场间的耦合系数增大腔场间纠缠增强。     

热红外多光谱遥感技术金矿调查应用研究

根据航空遥感实验获取的TIMS图象,利用计算机图象处理主成分分析和去相关等方法,并依据TIMS成象机制,提取出花岗岩、斜长片麻岩以及粘土化、硅化等蚀变岩岩性和丰富的断层信息,结合金矿化带光谱特征,圈出金矿化异常区,同时TIMS图象也显示了该地区北北东向金矿成矿主断层控制金矿化的规律,现有分析成果表明热红外多光谱扫描仪所获得的图象数据在岩性和金矿化带的识别上,以及增强断层信息方面有较好效果.     

Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究

以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。     

扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究

在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了20025m2的单晶区。     

GaAs／SrTiO3MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究

利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了ＧａＡｓ／ＳｒＴｉＯ３外延单晶薄膜样品,研究了这种新型异结构的晶格振动光学特性。实验结果表明：在钙钛矿型结构的ＳｒＴｉＯ３衬底上外延生长的ＧａＡｓ薄膜具有单晶结构,有与ＧａＡｓ单晶体材料相同的晶格振动特性。