外刊题录

1.GaAs材料技术的现状和将来展望Semiconductor World,Vol3.No.4,p.108,19842.短垂直沟道N~+-N~--N~+GaAs MES-FET的数值分析IEEE Electron DeV.Lett.,Vol.5,No.2,p.43,19843.具有负微分电阻的场效应晶体管(AlGaAs/GaAs异质结构)IEEE Electron Dev.Lett,Vol.5,No.2,p.5 7,19844.高耐压(850V)高速功率晶体管NEC技报,Vol.36,No.8,p.177,1983     

外刊题录

1.砷化镓可透基区晶体管设计的改进IEEE Trans.ED,Vol.30,No.10,P.13481983,102.硅化物工艺对双极晶体管电流增益的影响IEEE Trans,ED,Vo.30.No,10,P.1406,1983,103.松下使用MBE成功地研制出新结构的GaAs FET(日)电子技术,Vol.25,No.12,P.13,1983,114.制作亚微米厚GaAs薄膜的一种新方法APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.5,P.488,1983,95.多晶硅中硼和磷的扩散特性Thin Solid Films,Vol.100,No.3,P.235,1983,2     

外刊题录

1.聚酰亚胺薄膜的热性能和腐蚀特性Jap. J. Appl. Phys. pt. l. Vol. 23, No. 3,P. 384, 19842.用过硫酸铵作光致抗蚀剂、去除剂和清洗氧化剂Semiconductor Int., Vol. 7, No. 4,P. 109, 19843.NF_3:一种新的干法腐蚀气体S. S. Technol., Vol. 27, No. 3, P. 172,1984.4.用三甲基镓Ga源MBE生长GaAsJ. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, P. 3163,1984     

外刊题录

1.多品膜中载流子输运的扩散模型S.S.Electron.,Vol.27,No.7,p.633,1984.72.在有少量水的情况下硅外延层生长时引入的硼J.Electrochem.Soc.,Vol.131No.8,P.1900,1984.83.利用新的直拉法生长无缺陷GaAs晶体电子技术[日],Vol.26,NO.14,P.40,1984.124.光外延法和分子层外延法生长砷化镓外延层的技术     

外刊题录

1.SiO_2层中离子注入感生陷阱的俘获截面与电场的关系 Thin Solid Films.,Vol.99,No.4,P.331,1983.12.纯GaAs和掺杂GaAs中的空穴输运 J.AP-pl.,Phys.,Vol.54,No.8,P.4446,1983.83.掺磷多晶硅膜ac特性的说明:横过低势垒晶粒间界的传导 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4463,1983.84.氮化硅中的缺陷和杂质态 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4490,1983.85.具有亚微米分辨率和工艺稳定的自显影抗蚀剂 APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.1,P.74,1983.76.用于细条光刻的抗蚀剂 PIEEE.,Vol.71,No.5,P.570,1983.5     

外刊题录

1.半导体中离子注入杂质结构的计算机模拟模型S.S.Commun.,Vol.47,No.4,P.259,1983,72.具有SiO_2图形的硅衬底上无定形硅膜的横向固相外延Appl.Phys.Lett.,Vol.43,No.11,P.1028,1983,123.新MRS型负性抗蚀剂组分的最佳化IEEE Trans.ED,Vol.30,No.12,P.1780,1983,124.环境气体对未掺杂LEC GaAs晶体的影响Jap.J.Appl.Phys.Pt.1,Vol.22,No.11,p.1652,1983,115.InP中磷析出与时间和温度的关系J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.1,No.3,P.825,1983,7～9     

外刊题录

1.半绝缘GaAs中表面电导的机理Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.9,P.869,19842.GaAs MOCVD中一种新的硅掺杂源——乙硅烷Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.10,P.986,19843.用超掺杂结构开发新半导体材料(制作超高速器件)Vol.29,No.8,P.7,19844.乳胶掩模材料电子材料,Vol.23,No.8,P.42,19845.光致抗蚀剂材料电子材料,Vol.23,No.8,P.51,19846.GaAs MESFET跨导和衬底特性之间的相互关系IEEE Electron Dev.Lett.,Vol.5,No.6,     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

红外器件与材料专题题录介绍(二)

一、红外器件研究1 .Monolithie optieally immersed HgCdTe IR deteetor,Infrarcd Phys.Vol.294,No.2一4, May 1989,P.251 单块光学沉没蹄福汞红外探测器2.High temPerature 10.6户m HgZnTc Photo一 deteetors,Infrared Phys.Vol.129,No.2一4, May 1989,P.267 高温10.6产m磅锌汞光电探测器3 .System implementation of a serial array of SPRITE infrared deteetors,Infrared Phys. Vol.129,No.5,July 1989,P.907 扫积型红外探测器中联阵列的系统实现法4 .Long wavelength infrared deteetors bascd on strained InAs一Ga…     

英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管

英飞凌公司透露了他们用SiGe∶C工艺技术制造RF半导体器件。这种SiGe∶C技术是英飞凌公司最新一代HBT的基础,它使得硅基分立晶体管的噪声系数在6GHz下仅0.75dB,6GHz下的增益高至19dB。英飞凌的RF晶体管的典型过渡频率为42GHz,1.8GHz下的噪声系数0.5dB,6GHz下0.75dB。这些器件1.8GHz下的最大稳定功率增益Gms为28dB,6GHz下最大可用功率增益Gma典型值为19dB,它们可用于宽RF频段和无线用途,如无线局域网(WLAN)。该公司的HBT芯片还具有金金属化的特点。英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管@陈裕权…     

分立器件

MRF6VP3450H:RF功率晶体管飞思卡尔推出50V横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,MRF6VP3450H旨在让TV发射器采用模拟和数字两种调制格式。高效的RF功率晶体管通过把AC输入功率转换成RF输出功率,降低运营成本。     

文献简介索引

一、激光器件2001单块Nd:vAG纤维激光器 Monolithie Nd:YAG fiber laser,J.L.Nightinga一 工e,Opties Lett.,1986,Vol.11,No7,pp.437一439 一种具有抛光镀膜端面的单晶Nd:YAG光纤起着单决波导激光振荡器的作用。直径为47卜m、长度为7。;的光纤振荡器的工作,其阂值功率为3.7ow、斜率为10.5%。〔义〕 2002室温下Y辐照v3八一50,:晶体的色心研究 Investigation of eolour eentresiny一irradiated Y3A15O一:erystals at room temperature,A F Ra- !、ov,Phys.Stat.501.(a),1986,Vol.96,No.2, I〕P .K169一K173. 本文作者用二种生长…     

国外低频硅功率晶体管概况

一、硅功率晶体管的发展概况 一九五七年硅合金功率晶体管问世,是硅晶体管进入功率领域的良好开端。近二十年来,尽管其它名目繁多的半导体器件层出不穷地进行着新陈代谢,但硅功率晶体管这个老产品却一直在稳步地向前发展着。 图1是1970～1975年世界市场上硅功率晶体管和闸流管的增长情况。图2表示德克萨斯仪器公司1960～1980年半导体定货总量中功率器件所占的百分比。这在美国是有代表性的。从这两幅图表可以看出,即使在集成电路高速发展的今天,硅功率晶体管仍发挥着它的作用。     

国外电声技术资料索引

磁记录 1.目前磁记录的情况(英) Pre,ent situation of magnetie reeording loth international television symPosium session,P.l一5. 1977一6 2.数字音频技术的评论(英) A review of digital audio士eehnigUes J.A.E. 5 .Vol.26.No.1一2.P.56一62.1978,1招. 3.高性能数字录音机(英) H矛沙一砂rfo二anee digital aodio reeorder J. Audio Eng.Soe.(USA).Vol.2‘.No.7一5.p.560. 1978,7一8. 4.TS925/TS945两种新的高质量高保真度立体声磁带录音机(德) TSo25/TSo45 two new high quali士y hi一fi stereo tape reeorders Grundig…     

峰值输出功率达到1KW的LDMOSFET

工业、科学及医疗(ISM)应用的固体RF功率通常需要多个晶体管来达到1KW和1KW以上。如磁共振成像系统采用多个功率放大器,产生的峰值RF功率可超过20KW。为了服务这样的应用领域,飞思卡尔公司推出了型号为MRF6VP11KH的LDMOS晶体管,其130MHz频率下产生的RF输出功率为1KW,这是目前功     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

资料简介索引

红外器件11001 Hg_(0.6)Cd_(0.4)Te液相外延层富Te、富Hg和富HgTe生长法的比较Comparison of HgCdTe LPE layer growthfrom Te-,Hg-and HgTe-rich solutions,T.E.Bowers,Honeywell,IEEE Trans.on ElectronDevices,1980,Vol.ED-27,No.1,pp.24-8.介绍不同组份过量的三种液相外延法。富碲法外延层成份有梯度的厚度范围为3微米,横向和纵向成份不均匀性小于±1％(克分子)CdTe;系在常压下生长,但只能生长p型层。富HgTe法是种闭管生长法,在原理上可以生长p或n型,纵向成份有梯度的范围为20微米。11002 三靶射频溅射的HgCdTe薄膜RF triode-sputtered MCT thin films,R.N.Cornely,Bell,IEEE Trans.on Electron Devi-ces,1980,Vol.ED-27,No.1,pp.29-32.     

半导体器件的发展

近十年来,半导体器件的进展极为迅速,无论在品种、数量或质量上,都有飞跃的发展.在半导体器件中最重要的是晶体管、半导体固体电路以及其他包括半导体的微小型组合元件.由于采用了新技术,在晶体管的稳定性和成品率上有很大的提高,原来被认为是限制晶体管发展的一些因素(例如频率和功率等方面),有了显著的改进.例如在频率方面,已有截止频率达4200兆赫的锗三极管;在解决功率与频率的问题     

离频电力半导体器件应用的技术动向

<正> 1.前言过去电力电子技术(以下略为PE)主要以工业用频率为中心的低频范围中的应用系统为对象发展起来的。这些应用系统在省能的前提下使用品闸管、双极型功率晶体管等功率半导体器件。但在对节资省能、节省人力、高性能化、负载对象系统的高功能化、耐环境性、设备可靠性及安全性等要求进一步提高的情况下,为满足这些要求,出现了功率MOSFET、IGBT、Bi-MOS复合功率晶体管、SIT、SITH等高频功率半导体器件,而且可适用的开关频带也逐渐增高——从超声波     

医用电子技术与设备

N2000-06458 0010567电子情报通信学会技术研究报告:医用图象 MI99-7～13(信学技报,Vol.99,No.50)〔汇,日〕/日本电子情报通信学会.—1999.05.—54P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.48相同。请参见文献 N2000-06456。