一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计

设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.     

一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准

本文介绍了一种高精度高电源抑制的CMOS带隙电压基准,电源电压3V.该电路的实现是基于0.6um 5V的CMOS工艺.为了达到较高的精度和电源抑制比,电路中采用了一个PMOS电流源做调整管,以保证基准核的电流恒定.仿真结果表明,该基准电路在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-40℃至120℃.时,温度系数只有3.5ppm,输出电压误差为0.65mV.     

一种结构简单的CMOS带隙基准电压源设计

本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源,供电电源3.3V.采用CSMC 0.5um CMOS工艺.Spectre仿真结果表明,基准输出电压在温度为-40～+80℃时,温度系数为45.53×10-6/℃,输出电压在电源电压为2～5V范围内变化小.电源抑制比达到-73.3dB.     

一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

一种CMOS带隙基准源的设计与仿真

分析了传统带隙基准源的基本原理,并在此基础上一款CMOS带隙基准源电路。该电路基于UMC0.18μm CMOS工艺设计,利用cadence软件进行仿真。仿真结果表明,CMOS带隙基准源稳定输出电压1.22V,该电路在温度从-50-100℃进行扫描,其变化率为10.7ppm/℃,电源电压在1.7V-1.9V范围内发生变化时帯隙基准源输出电压变化很小。     

一种低压高精度CMOS带隙基准

设计了一种改进的带隙基准电压源,通过采用分段电流补偿的方法,实现了低压高精度供电。研究基于TSMC 0.35μm CMOS 3V工艺基础,重点考虑主要工作温度区域输出电压随温度变化的精度问题。仿真结果表明,该电路可提供低至500mV的低压,实现了高阶电流补偿,在-40℃～+100℃温度范围内其温漂系数仅为3.7ppm/℃,在芯片主要工作温度范围内,输出基准电压最大偏差小于8μV,低频时电源抑制比为-70dB。     

一种高精度双极性带隙基准电压源的设计破

本文提出了一种基于双极性工艺的高性能带隙基准电压源的设计。该电路结构简单,性能优异。用Spectre进行仿真,结果表明,在-50～90℃的温度范围内,其温度系数为5.7ppm/℃;在3～15V的电源电压内,电源线性调整率为1.0mv/V,电源抑制比(PSRR)为-55dB。     

电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源

因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃~-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。     

一种二阶曲率补偿带隙基准的设计

针对高压电源芯片的需要,提出了一种二次曲率补偿的带隙基准源.该电路在传统带隙基准结构的基础上,利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数变化的规律,对带隙基准进行高阶温度补偿.该电路具有温度补偿精度高、电路结构简单且能输出高电位电压基准等优点.采用40VBiCMOS高压工艺流片,仿真用Cadence软件中的spectre工具,流片后测试结果为,工作电源电压±12V,输出电压为-10.78V,在-55℃～125℃范围内,温度漂移系数为2.5ppm/℃,在20kHz时基准源输出电源抑制比为100dB.     

一种具有高电源抑制比的带隙基准电路

本文提出了一种可用于具有动态自供电功能的AC/DC开关电源中的高电源抑制比带隙基准电路.设计中,采用反馈的思想,用高增益二级运算放器作为误差放大器,成功的抑制了电源电压变化的影响.使用Cadence下的Spectre仿真器,在XFab标准1.0uM BiCMOS工艺下对电路进行了仿真.电源电压从9.8V到11.4V的变化过程中,带隙基准的输出电压变化不到0.1mV.在提高电源抑制比的同时,本电路也获得了令人满意的温度特性.     

一种消除失调电压的低温度系数带隙基准电路

提出了一种利用多晶硅电阻的温度系数补偿负温度系数电压实现低温度系数的带隙基准电路,并且引入由二分频时钟控制的CMOS开关,使产生的失调电压正负交替做周期性变化相互抵消。采用BiCMOS 0.35μm工艺设计。仿真结果表明,此方法能够使MOS管在失配10%的情况下降低97%的失配,温度系数可达5.2 ppm/℃。工作电压为1.5 V～3.3 V、工作温度为-40℃～+70℃且工作在1.8 V常温下时,电路的工作电压为1.144 3 V,总电流为29.13μA,低频处的电源抑制比为-70 dB。     

一种高精度基准源电路

基于90 nm CMOS标准工艺,设计了一种低温漂的带隙基准源电路.一种结构新颖的温度曲率校正电路被采用,作为一级温度补偿电路的曲率校正电路.Hspice仿真结果表明:所设计电压源在温度-20℃～+120℃范围内,平均温度系数约为2.2 ppm/℃,获得了一个低压高精度的带隙基准电压源.     

一种二阶补偿带隙基准设计

基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,输出电压为1.24 V,温度范围在-35℃～135℃时,温度系数为2.82 ppm/℃;在低频时,电源抑制比达到了75.6 dB。     

一种用于无源RFID标签芯片的可校准低功耗基准源

提出一种应用于RFID芯片的低功耗、可校准基准源电路。设计采用了全MOS管以及电阻来实现,大部分管子都工作在亚阈值状态,同时可以产生基准电压和基准电流。该基准源采用了GSMC 0.13 μm 1P5M工艺来实现,其最大工作电流不超过350 nA,供电电压为1.2 V,并且在0.9 V~2.5 V电压下均可工作。在-45℃~65℃的工作温度下,电压基准源的温度系数为30.3 ppm/℃,电流基准源的温度系数为20.7 ppm/℃。     

高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源。重点研究了带隙基准源电源抑制能力,尤其是高频PSRR,达到宽频带范围PSRR高性能指标。采用0.35μm BiCMOS工艺进行仿真,结果表明,PSRR在1 Hz频率下达-108.5 dB,在15 MHz频率下达-58.9 dB;采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1.183 V,在-40℃⁹5℃温度范围内,温漂系数低达1.5 ppm/℃。     

一种低功耗高精度带隙基准的设计

基于U MC 0.25μm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用N MOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿。仿真结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16μA;电源电压2.5 V~5.5 V,基准电压变化53μV;温度在-40℃~130℃内,电路的温度系数为0.86×10-6/℃;三种工艺角下,低频时电路电源抑制比都小于-95 d B。     

一种发动机高温差环境下的基准电压源电路

根据汽车发动机控制芯片的工作环境,针对常见的温度失效问题,提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0．181．LmCMOS工艺,采用电流型带隙基准电压源结构,具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法,实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明,该带隙基准电路在一50℃～＋125℃的温度范围内,实现平均输出电压误差仅5．2ppm／℃,可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99dB,可以有效缓解由发动机在

Abstract：

The paper presents a bandgap reference power source, which is designed to accommodate the wide range temperature environment for engine control modules and to avoid circuit invalidation caused by temperature. The bandgap reference based on current summing