显微组织对Zr-1．0Nb合金耐腐蚀性能的影响

将最后一次冷轧前的Zr-1·0Nb合金分成三组,在680℃、800℃和1000℃分别保温5h、1h和0·5h,最后一次冷轧后将在680℃和800℃处理的两种样品分组在500℃和560℃分别保温30h和10h后空冷,将在1050℃处理的样品在560℃保温10h后空冷,得到五种热加工工艺不同的样品,分别标记为680℃/500℃、680℃/560℃、800℃/500℃、800℃/560℃和1000℃/560℃。将它们放在350℃,0·01mol·L-1LiOH水溶液中进行腐蚀。图1为经过不同热处理的Zr-1·0Nb合金样品在LiOH水溶液中的腐蚀增重曲线,可以看出耐腐蚀性能按800℃/500℃、680℃/500℃、800℃/560℃、680…     

集成温度传感器LM94022及其应用

LM94022是一种模拟输出的集成温度传感器,主要应用于手机、无线收发器、电池管理、汽车、办公室设备及家用电器等。该传感器主要特点包括工作电压低,可在1.5V电压下工作;工作电压范围宽—1.5～5.5V;末级为推挽输出,有±50μA输出电流的能力;有四种灵敏度供用户选择;测量范围为-50～+150℃;静态电流低,典型值为5.4μA;精度(与测量范围有关):20～40℃为±1.5℃;-70～-50℃为±1.8℃;-50～90℃为±2.1℃;-50～150℃为±2.7℃;采用小尺寸SO70封装。管脚排列与功能LM94022的管脚排列如图1所示,各管脚功能如表1所示。灵敏度选择端GS0及GS1L…     

山东省乳山市有线电视系统指标论证

乳山市位于山东半岛东南部,依山傍海,是个新兴海滨小城。气候属暖温带东亚季风型大陆性气候。温度适宜,光照充足,四季分明,冬无严寒,夏无酷暑,年平均气温11.4℃。春、夏、秋、冬四季平均气温分别为10℃、23.2℃、13.7℃、-1℃。夏季高温一般为31℃～32℃,最高温度34℃～35℃;冬季低温一般为-8℃～-9℃,最低温度为-11℃～-13℃。     

VCS1625Z：Z箔表面贴装电流感应芯片电阻

Vishoy宣布推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻。新器件可提供±0．05ppm／℃（当温度介于0℃至＋60℃之间）或±0.2ppm／℃（当温度范围在55℃至＋125℃之间）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在额定功率时±5ppm的超卓功率系数（自身散热产生的△R）及±0.2％的容差。     

VCS1625Z:Z箔表面贴装电流感应芯片电阻

Vishay宣布推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻。此新器件可提供±0.05ppm/℃（当温度介于0℃至＋60℃之间）或±0.2 ppm/℃（当温度范围在55℃至＋125℃）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在额定功率时±5ppm的超卓功率系数（“自身散热产生的△R”）及±0.2％的容差。     

高精度轴向Z箔电阻

VSA101是一款新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻,旨在满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在0～60℃以及55～125℃（＋25℃参考温度）的温度范围内分别具有±0．05×10^-6／℃及±O．2×10^-6／℃的绝对低的TCR、     

半导体温度传感器与控制器

与ADT05性能完全相同的产品有AD22105,仅封装不同(sO-8封装)。同一类的产品有Telcom公司的TC622/TC624。TC622与TC624的差别是工作电压范围不同,前者为4.5-18V,后者为2.7-4.5V。 另一种温度开关是工厂将Rest做在器件内,用它组成的温控器无外围元件。工厂生产出系列化温度阈值的温度开关供用户选用。现介绍两种产品:Maxim公司的MAX650l～6504及Telcom公司的TC626。 MAX650l-6504的主要特点有:阈值温度精度±0.5℃(典型值),士4℃(最大值);工作电流低(30μA);有开漏输出结构(MAX6901及6503)及CMOS输出结构(MAX6502及6504),开漏输出时要外加一个上拉电阻;SOT-23封装;该温度开关的滞后温度为2℃或10℃,可由用户来设定。 MAX650l～6504的温度阈值如表4所示。 TC626的阈值温度有5种:40℃、50℃、80℃、90℃及100℃。阈值温度精度最大值为±3℃;工作电压4-18V,在18V供电时输出电流可达25mA(TO-220封装),可直接驱动继电器,滞后温度为5℃。 该温度开关有TO-92及TO-220封装。 2.两点温度控制器DS56(Dallas公司产品) DS56是一种可设定两个控制温度的控制器,其主要特点有:工作温度范围-40～+125℃;在0-85℃范围内,阈值温度精度为土2℃;在-40-0℃及85-125℃范围内阈值温度精度为±3℃;滞后温度为5℃;另有温度信号     

SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究

用射频磁控溅射及后退火(800℃、1000℃和1200℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了SiC纳米晶(nc-SiC)薄膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明,制备出的nc-SiC薄膜具有立方结构;样品经800℃、1000℃退火后,表面的纳米晶粒分别为10nm和20nm左右;而1200℃退火后,样品晶化完全。光致发光(PL)研究表明,nc-SiC薄膜室温条件下发射蓝光,发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大;1000℃退火后样品的发光峰在478nm,800℃退火后发光峰在477nm,800℃退火比1000℃退火的样品发光强度高4倍。     

高精度自动温度控制器及在流延机上的应用

研制出一种高精度自动温度控制器,主要技术指标:测控温范围,-50～+150℃及0～600℃;精度,±0.5℃;灵敏度,±0。5℃;分辨率,0。1℃;仪器电源,220V(50Hz);整机功率,≤3W。该控制器具有较高的性价比,已在流延机上应用并获得了满意的效果。     

风扇控制器TC650及TC651

TC650及TC651是带有温度传感器用于无刷直流风扇速度控制的集成电路。这两个器件主要特点:根据检测的温度来控制风扇转速,达到合理的散热功能,既减小风扇噪声、延长风扇寿命,又能节省电能;工厂已在器件内设定温度控制的范围,并分成多级PWM控制,使用户无需设定及外设电阻元件,电路简洁、使用方便;从25℃到+70℃,其典型精度可达±1℃;低功耗,静态电流典型值50μA;工作电压范围2.8～5.5V;内部有超温报警信号（Tover）输出（电平信号）;工作温度-40℃～+125℃。 这两种芯片主要应用于个人计算机过热保护、机顶盒、笔记本电脑、数据通信装置、电源系统里的散热风扇控制。     

高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度z箔电阻,此新型器件可提供±0．05×10-6／℃（当温度介于0～60℃之间）及±0．2×10-6／℃（当温度范围在55～125℃）（参考温度为25℃）的工业级别绝对TCR、在25℃时最多8W的额定功率（符合MILPRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、具有±4×10-6／W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的△R”）及±0．01％的容差。     

寒冷地区双级压缩供暖的优化研究

北方寒冷地区的"煤改电"工程主要应用双级压缩的空气源热泵,与传统的单级压缩热泵相比具有压缩比小、排气温度低、COPh高的优点;为进一步提高双级压缩的性能,利用MATLAB结合REFPROP软件对R410A制冷剂在一级节流中间完全冷却的双级压缩中进行模拟。分析蒸发温度、冷凝温度以及制冷剂流量变化时对制热性能产生的影响,以及这些基本参数变化时对应的最佳工况点,结果发现当蒸发温度在-30℃～-20℃(-18℃～-10℃)之间变化时,最佳中间温度在9℃～11℃(13℃)之间;冷凝温度在35℃～50℃之间变化时,最佳中间温度在9℃～13℃之间;控制高压级的质量流量在2.8kg/s;当室外温度在超低温工况(低温工况)范围内,控制低压级质量流量在1.9 kg/s(2.0 kg/s),能使两级压缩的性能达到最佳状态。     

钌酸盐低阻浆料成分对电性能的影响

合成钌酸铋加入金属粉做钌酸盐厚膜低阻浆料导电相,方阻可做到1～10Ω/□,电阻膜层在基片上附着牢固。10Ω/□的电阻,TCR<100×10~(-6)/℃;150℃存放96h,ΔR/R<2%;40℃相对湿度96%存放96h,ΔR/R<1%;焊料62Sn36Pb2Ag,电阻未包封,230℃,浸入3s,ΔR/R<0.5%。本文着重讨论了电阻成分对TCR、电阻热存放、湿热存放、焊料浸蚀稳定性的影响。     

参展成果荟萃

<正> L4513Ⅱ-16/ZM型全功能 微控四管扩散系统 国营北京建中机器厂研制。该设备供大规模集成电路生产线4″和3″硅片扩散、氧化等工艺使用,可配外径为ф166mm或ф140mm的石英管。工作温度范围为400～1300℃,恒温区长度≥760mm,控温精度700～1250℃时为±0.5℃、400～1300℃时为±1℃,可控升温速度0～1O℃/min,最大降温速度5℃/min。源柜气体流量由质量流量控制器控制,设定精度≤±2％(满程),气密性为10~(-8)ATM/secHe。该机采用TP805型微机全自动控制,各炉管独立工作,键盘或磁带机     

Ku波段宽带机调耿氏振荡器

本文介绍了Ku波段宽带机械调谐耿氏振荡器的实用电路结构、设计原则以及运用双金属补偿技术得到的实验结果。振荡器输出功率为50120mW;机调范围一般为10001500MHz,最宽优于2500MHz;频率温度系数一般小于0.07MHz/℃,最低优于0.01MHz/℃;功率温度系数一般小于0.015dB/℃,最低优于0.007dB/℃。     

箔分压器电阻

这些电阻具有100Ω～20kΩ的电阻范围,在55～125℃（参考值为＋25℃）范围内具有&#177;0．2&#215;10^6／℃的低典型TCR,0．1&#215;10^6／℃的TCR跟踪,&#177;0．005％（50&#215;10^6）的容差匹配,以及在＋70℃、额定功率时长达2000小时的&#177;0．005％负载寿命稳定比率。其他电阻技术需要几秒钟甚至几分钟才能实现稳态热稳定性,而300144Z及300145Z具有不足1s的热稳定性时间。     

衬底温度对CZTSSe薄膜结构特性的影响

采用热蒸发法制备铟锌锡硫(CZTSSe)薄膜。采用低 温一步 法在300℃衬底温度下制备CZTSSe薄膜;采用两步法,即在衬底温度 分别为300℃制备CZTSSe 薄膜;将衬底温度设定为480℃不变,一步蒸发沉积CZTSSe薄膜。通 过对X射线衍射(XRD)、 扫描电镜(SEM)、拉曼谱对比发现,在300℃低温下一步法和300℃ 、480℃两 步法沉积的薄膜表面粗糙,碎小晶粒较多;在480℃一步高温法制备 的薄膜表面平整, 晶粒大小均匀,3个衍射峰的半高峰宽变窄,薄膜的结晶质量得到 改善,且没有发现其它杂相的拉曼特征峰,沉积出适合作为制备CZTSSe薄膜太阳电池的 吸收层。     

一种新型电子集成热量表

本文介绍一种电子集成热量表,它的电路简单、成本低、可靠性高、精度高,其主要技术指标为: (1)温度传感器的线性度在±1％内,温差高到40℃; (2)温度/输出脉冲频率变换器的精度在±2％内; (3)工作温差范围0℃～40℃;     

聚合物前驱体法制备CTNA陶瓷及其性能

采用DSC-TGA、XRD和SEM对聚合物前驱体法制备的0.7CaTiO_3-0.3NdAlO_3(CTNA)陶瓷粉末进行了分析。结果表明:经550℃预烧后的粉末为无定形态;但是当预烧温度提高到600℃时,形成了钙钛矿结构的CTNA单相。这表明CTNA晶相是未经中间相而直接从无定形态的前驱体中结晶形成。与传统固相反应法相比,合成温度从1300℃大幅下降到600℃。经900℃预烧,1375℃烧结的样品,其εr为43.3,Q·f为34862GHz,τf为1.4×10–6℃~(–1)。     

CSM2512S：高精度Power Metal Strip电阻

Vishay推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻——CSM2512S,该电阻可在额定功率及＋70℃的条件下保持长达2000小时的&#177;0．05％负载寿命稳定性,在-55℃至＋125℃及25℃参考温度条件下实现&#177;15PPM／℃的绝对TCR,具有&#177;0．1％的容差。