S波段低噪声放大器设计

首先分析了低噪声放大电路的稳定性,功率增益及噪声系数的影响因素及改进方法;然后设计了一个中心频率为2.45 GHz,工作带宽为100MHz的S波段低噪声放大器.仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于1 dB,功率增益大于28 dB,增益平坦度小于1 dB,输入/输出驻波比小于2:1.通过传统的电路板制作工艺实际制作了放大器电路,测试结果和仿真结果较一致.     

Ka频段低噪声HEMT放大器

Ｋａ频段低噪声ＨＥＭＴ放大器王军贤，方胜，戚友芹（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＫａ－ｂａｎｄＬｏｗＮｏｉｓｅＨＥＭＴＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＷａｎｇＪｕｎｘｉａｎ；ＦａｎＳｈｅｎｇ；ＱｉＹｏｕｑｉｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃ...     

一种低噪声,高增益放大器的设计

适合于不同应用场合的放大器种类很多,设计的侧重点不同。本文针对通信系统、信号检测中广泛应用的低噪声、高增益放大器,扼要地阐述这类放大器的设计方法,并给出设计实例。     

X波段低噪声放大器设计

针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz～9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。     

GPS接收机低噪声放大器设计

选用噪声系数较低的Agilent E-PHEMT ATF-54143晶体管,采用集总元件网络匹配方法,设计实现了一种GPS接收机前端低噪声放大器。通过运用Agilent公司的微波软件ADS进行设计、仿真和优化,在PTFE基板上制作实现了该放大器。实测结果显示,在1 520～1 600 MHz工作频带内,噪声系数<05 dB,小信号增益>16 dB,输入驻波比<2,输出驻波比<15。     

用于LTE频段的低噪声放大器的仿真与设计

采用场效应晶体管ATF541M4设计了一个工作于LTE第38频段（2570MHz-2620MHz）的低噪声放大器。首先介绍设计低噪声放大器的理论基础,其次在ADS中进行仿真,最后将仿真结果与实测结果进行对比,得出结论。实测结果表明,该低噪声放大器在指定频率范围内噪声系数小于ldB,增益大于13dB,带内波动小于±0．25dB。     

一款超低噪声前置放大器的设计

对于一款为低阻抗信号源设计用分立元件组成的前置放大器的低噪声设计要点作了较为详细的阐述,设计据级联放大器理论,重点是降低第一个晶体管的噪声系数,为此选择PNP型超β晶体管,并使之工作在低Uce,低Icl的微功耗状态,并采取低噪声阻容元件等措施.据此制作了电路并对其进行了测试.结果表明其等效输入噪声电压为0.12 nV/Hz,可称其为超低噪声前置放大器,可广泛应用于诸如锁相放大器等对噪声特性要求很高的微弱信号测试仪器中.     

S 频段pHEMT 双通道低噪声放大器芯片的设计

采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。     

Ku频段GaAs—FET低噪声放大器

本文对Ku频段GaAs-FET低噪声放大器的设计调试作了介绍,并对研制的Ku频段低噪声放大器的性能、结构和使用情况作了简单说明。     

Ka频段单片低噪声放大器设计

设计了一个Ka频段低噪声放大器MMIC,该芯片采用两级放大的结构,通过调节有源器件几何尺寸(栅宽和叉指数)和源极串联负反馈,减小最佳噪声匹配点(Γo)和共轭匹配点(S1*1)之间的距离,使低噪声放大器同时获得最佳噪声匹配和共轭匹配。另一方面,在源极引入串联负反馈可提高放大器的稳定性。该放大器采用商用的0.18μm pHEMT工艺制造,芯片面积为1.4×0.9mm2。把该芯片安装在测试电路上进行测试,在29~33GHz频率范围内,实现增益大于10dB,30GHz处噪声系数约为2.3dB。     

1GHz 2μm双极低噪声放大器设计

给出了采用2μm双极工艺实现对1GHz低噪声放大器进行设计的具体方案。并用Ansoft公司的Designer软件进行了设计仿真，利用该方案设计的放大电路十分简单，可满足一定增益（8 dB）且其起伏度小于0.5dB．同时，该放大器的噪声也很低．在1GHz时．其带宽在100MHz内的噪声小于0.75dB。     

X波段低噪声放大器设计分析

针对通信系统中信噪比的改善问题,分析了低噪声放大器的电路形式,确定了器件的选取方法,阐述了低噪声放大器的设计思路,介绍了使用ADS软件进行X波段低噪声放大器的设计。利用Fujits公司的FHX13X和Transcom公司的TC1201,两级级联,并对电路进行仿真和优化,判定放大器的稳定性。通过软件修正得到最终电路设计,经过最终数据分析,总结设计过程中的关键技术。     

低噪声宽带放大器的设计实例

低噪声微波放大器是决定雷达接收机灵敏度的关键因素，而宽频带特性又是电子侦察和电磁兼容测量的关键特性。针对上述要求，研制了工作在3-6GHz的C波段低噪声宽带放大器。该场放经某基地使用，证明性能良好，满足军方要求。     

一种适用于卫星通信的低噪声放大器设计

采用高频电路仿真软件ADS,结合高频电磁仿真软件HFSS,进行联合仿真,设计了一种低噪声放大器,适用于Ku频段卫星通信接收通道。在频率11.45 GHz-12.75 GHz范围内,噪声系数小于0.80 dB,端口输入驻波小于-17.0 dB,有一定的实用价值。     

SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在3.3V时,噪声系数低于2.5dB,增益大于24dB,功耗为28mV,输出三阶交调为17dBm。     

S波段低噪声放大器仿真设计

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,分析了影响放大器稳定性、噪声系数、功率传输的主要因素,运用Agilent公司的EDA软件ADS仿真设计了两级级联结构的放大器。仿真结果表明放大器在2150～2 400MHz的频率范围内,噪声系数<0.5dB,输入驻波比<1.4,输出驻波比<1.14,增益为(26.2±0.5)dB,并且在全频带内无条件稳定。     

CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计

文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。     

基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计

讨论了超高频(UHF)波段宽带、高增益低噪声放大器的设计方法及设计过程,阐述了器件的选择、电路形式和元件初值的确定。利用高级设计系统(Advanced Design System,ADS)进行优化,并给出优化后的仿真结果。设计低噪声放大器,还要考虑结构和工艺。给出主要技术指标的测试结果,与仿真结果比较一致。结果表明,基于ADS软件仿真设计地低噪声放大器性能好、成本低、体积小、成品率高。     

S 波段 GaAs 超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制

本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。 在此基础上,设计并实现了一款 S 波段限幅低噪声放大器芯片,实现了超低噪声与高耐功率的性能。 测试结果表明,该款芯片在目前相近频段所有限幅低噪声放大器产品中噪声系数最小。 在2. 7 GHz~ 3. 5 GHz 工作频带内,实测噪声系数 NF≤0. 85 dB,增益≥29 dB,带内增益平坦度≤±0. 3 dB,静态工作电流≤25 mA,1 dB 压缩点输出功率≥8 dBm。 在耐功率50 W(250 μs 脉宽、25%占空比)下试验 30 min 后不烧毁,恢复到常温时,噪声几乎无变化。 芯片尺寸为 3 450 μm×1 600 μm×100 μm。