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研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证,两者具有较好的一致性。当入射角在0°~75°之间变化时,腔模从871nm变化至845nm,可调节范围达26nm。当入射光从垂直入射变化为约45°入射时,SLM对比度从(CR)3.8提高到16.3,调制电压从9.5V下降至6.5V。理论分析和实验结果表明,入射角度调节能够有效提高GaAs/AlGaAs MQW SLM调制性能。 相似文献
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我们分析了 Ga As/Al Ga As半导体多量子阱 (MQW)光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性 ,优化设计了多量子阱结构 ,研制出常通型和常关型两种类型光开关器件 ,并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结论与理论计算相符合 ,常通型器件对比度约为 10∶ 1;常关型器件对比度约为 4∶ 1。 相似文献
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采用低温荧光激发光谱研究了GaAs/AlGaAs多量子阱结构中热电子的驰豫过程,在PLE谱中首次观察到GaAs/AlGaAs多量子阱中LO声子的发射,用四能带Kane模型计算了由轻、重空穴杂化效应引起的价带结构的畸变及其对声子发射谱的影响,实验和理论计算结果均表明、光激发热电子可以通过发射LO声子直接弛豫到激子态上,实现热电子的冷却。 相似文献
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薛舫时 《固体电子学研究与进展》1990,10(3):245-251
本文使用单带双谷模型计算了通过AlGaAs势垒的隧道电流的压力系数.计算中考虑了能谷的非抛物线性,Г,X两个能谷的贡献以及电场的作用,说明了电流压力系数随电场增强而下降以及大压强下隧道电流对数偏离线性的实验现象.在此基础上进一步研究了加压GaAs/AlAs量子阱隧道电流中的Г-X混和效应. 相似文献
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利用MOCVD技术和光电子器件工艺成功制备了P-i-n结构的P-ZnSe-(Zn0.65Cd0.35Se-ZnSeMQW)-n-ZnSe自电光效应器件。在这种自由光效应器中,在反向偏置电压下了由量子限制斯塔克效引起的电光调制。 相似文献
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GaAs/AlGaAs多量了阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对基基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果;Dλ=1.42×10^11cmHz1/2W^-1=Rλ=2.32×10^6V/W,峰值响应为8.5μm的高性能GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。 相似文献
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采用MOCVD 方法成功地研制了具有线性GRIN 结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为815~825 nm ,阈值电流为130 m A。工作电流在480 m A 时,单面连续输出光功率高达200 m W,且基本保持在单模工作状态。工作在970 m A 时,单面连续输出光功率为0.5 W。 相似文献
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A modulator-based optoelectronic-very large scale integration (OE-VLSI) circuittechnology,being developed at Bell Laboratories[1 ,2 ] ,is now existing and providingthousands of optical input and output to foundry-grade VLSI silicon CM... 相似文献
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The investigation on GaAs/AlGaAs multiple quantum well Self Electro-optic Effect Device (SEED) arrays for flip-chip bonding optoelectronic smart pixels has been reported. In order to increase the absorption of the intrinsic region, the number of quantum well periods is defined as 90 pairs. The GaAs/AlGaAs multiple quantum well devices are designed for 850nm operation. The measurement results under applied biases show the good optoelectronic characteristics of elements in SEED arrays. 相似文献
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报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。 相似文献
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本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。 相似文献
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半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。 相似文献
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本文分析了计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析,用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。 相似文献
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Abstract: The photovoltage spectra of AlGaAs/GaAs multiple quantum wells at different vacuum have been measured and the vacuum sensitivity of photovoltage is re-ported. The experimental results show that the photovoltage decreases in a step - like manner at 105 Pa and increases in a sept - like manner at 0.1 Pa. It is believed that the variation of photovoltage with vacuum is due to the action of oxygen atoms adsorbing at the surface of AlGaAs/GaAs multiple quantum wells structure. 相似文献