Ramtron携铁电存储器发力物联网应用

铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低功耗以及高抗干扰能力而在汽车、智能电表、工业控制等领域得到广泛应用,在物联网热潮的带动下,RFID或将成为其未来增长的主要推动力。作为一种非易失性存储器,铁电存储器(FRAM)兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点     

Ramtron开始提供MaxArias无线存储器商用样片

Ramtron宣布,已经开始提供基于F-RAM的MaxArias无线存储器商用样片。Ramtron的MaxArias系列无线存储器将非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性与行业标准无线存取功能相结合,     

Ramtron提供高速串口F-RAM器件样片

Ramtron宣布提供全新4Kb～64Kb串口非易失性铁电RAM（F-RAM）存储器的预认证样片．新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造,具有1万次（1e12）的读／写循环、低功耗和无延迟（NoDelay）写入特性。     

Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器

Ramtron International Corporation宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16kb器件的型号为FM25P16,是业界功耗最低的非易失性存储器,为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品,其能耗仅为EEPROM器件的千分之一,并具有快速读／写特性和几乎无限次的耐用性。（来自Ramtron公司）     

Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

低功耗铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2兆位（Mb）高性能串口F—RAM器件FM25V20。     

Ramtron推出32Kb器件扩展 F-RAM串口存储器产品线

Ramtron宣布推出FM24CL32,提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存储器．工作电压为2．7V～3．6V．采用8脚SOIC封装,使用二线制（I2C）协议;     

Ramtron推出低功耗256千位串口F—RAM存储器

FM24L256是低功耗、高速串口F—RAM器件,采用小型8脚封装世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）。集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出256Kb,2．7～3．6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F—RAM器件,型号为FM24L256。     

亚太业务增长主要推动力来自中国——Ramtron业务拓展及投资者关系副总裁Lee Brown专访

记者:您对所在行业过去一年的整体状况如何评估?Lee Brown:自从发生金融危机以来,预测产品的需求变得很困难。整体来说,去年的需求状况比我们和其它公司最初所     

动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望

介绍了DRAM 0.1μm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM.现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间.     

Ramtron新添F-RAM器件FM25V05

Ramtron International公司推出F—RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2．0V～3．6V及具有串行外设接口的非易失性RAM,特点包括快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗,是工业控制、仪表、医疗、汽车等应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器的理想替代产品。     

Ramtron增强管理团队

2011年4月20日,世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,任命萧颖担任客户满意度部门副总裁。在此新设立的职位上,萧颖负责Ramtron公司的     

Ramtron新型F-RAM Processor Companion集成温度补偿晶体振荡器

Ramtron宣布升级其瞄准大批量、基于处理器的电子系统市场的Processor Companion产品。新型Processor Companion（处理器伴侣）集成了带有温度补偿晶体振荡器（TCXO）的精密实时时钟（RTC）,256Kb非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）,以及一整套外设功能。     

Synopsys推出全新超低功耗非挥发性存储器IP

新思科技公司（Synopsys,Inc．,）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWare AEON 多次可编程（MTP）超低功耗（ULP）非易失性存储器（NVM）IP开始供货。     

Ramtron扩展F-RAM V产品系列新增汽车等级串口128千位器件

Ramtron宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100G r a d e3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器,在2.0V～3.6V的宽工作电压范围内工作。     

阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.     

Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器

Ramtron International Corporation日前推出业界首款2兆位串行F-RAM存储器FM25H20,它采用130nmCMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。     

飞兆半导体2011年展望

在历史上,技术创新有助于简化工作并提高生产率,这些将在2011年继续成为关注的焦点。电子产品的繁荣兴旺正在推动开发节能解决方案的需求。此外,易于使用和移动连接性加快了采纳改进的终端产品的速度,飞兆半导体在2011年的关键领域包括:     

2008年中国集成电路产业发展回顾与展望

受金融危机迅速蔓延的影响,2008年中国集成电路产多年来首次出现负增长的状况,全年产业销售额规模同比增幅由2007年的24．3％下滑到-0．4％,规模为1246．82亿元。集成电路产量则仍有小幅增长,规模为417．4亿块,同比增长2．4％,详见图1。     

Ramtron推出16kb串口F—RAM存储器以满足AEC—Q100汽车标准要求

世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发供应商Ramtron International Corporation宣布推出串口F—RAM存储器FM25L16-GA,进一步扩大其符合AEC—Q100汽车标准要求的F—RAM存储器系列阵容。     

2011年中国集成电路产业回顾与2012年发展展望

回顾2011年,受欧美经济疲软、制造业产能过剩以及半导体产品库存过剩等诸多因素的影响,国内外半导体市场增速均大幅放缓。2011年全球半导体市场销售额规模为3022．71亿美元,