171/2″牙爪毛坯工艺设计过程中结构参数的测量与数学模型的初步建立

阐述了如何解决171/2″(444.5mm)牙爪模具与浇铸石膏件之间的精度问题,将牙爪钻头主要结构参数的测量转为对点的空间坐标的测量.     

有机电致发光器件的研究进展

系统介绍了有机电致发光器件(OLED)的结构和发光机理,从有机半导体的能带结构和OLED的能带结构,分析了OLED发光过程,指出了如何提高器件的发光效率。最后概述了器件的技术进展和应用前景,并展望了未来OLED发展的方向。     

非晶SiO_xN_y薄膜的发光特性研究

采用双离子束溅射沉积法制备SiOxNy复合非晶薄膜,傅里叶变换红外光谱(FTIR)及X射线衍射谱(XPS)测试表明,薄膜成分由Si、O、N元素组成,在室温下可观察到样品有波长为400nm(紫光)、470nm(蓝光)的光致发光。根据测试结果分析研究SiOxNy薄膜的可能发光机理:波长为470nm处发光峰来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O2≡Si-Si≡O2),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;波长为400nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N元素所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N元素结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强。     

OLED显示器件的原理及应用

介绍有机发光二极管(OLED)的特点、结构、发光原理以及微处理器AT89L51与VGG12864G-S002 OLED显示模块的接口应用.     

半导体量子点材料在Nd:YAG激光辐照下的非线性光学效应

使用10 n,脉冲调Q Nd:YAG激光器Z-scan技术测量了化学合成的无掺杂硫化锌量子点(QDs)以及掺Mn2+硫化锌量子点(QDs)的非线性光学特性,并使用透射电镜技术(TEM)以及X射线衍射法(XRD)表征合成材料的纳米结构.在室温下,分别利用UV-VIS分光光度计和分光荧光计测量了人工合成QDs胶体溶液的线性光学吸收特性以及光致发光的发射特性.样品的吸收特性表明,由于量子限制效应的影响,样品的截止吸收低于硫化锌的截止吸收.样品的光致发光特性显示,掺Mn2+的硫化锌样品显示出明显的光致发光现象,发射峰大约在580 nm;而无掺杂的硫化锌样品在紫外区辐射,发射峰大约在365 nm.对样品的UV-VIS吸收特性分析和TEMXRD分析表明,硫化锌样品的平均粒度(半径)大约为1.2 nm.分析开放光圈(OA) Z-scan技术得到的实验数据,发现在1 064 nm处两种试验样品都会发生四光子吸收(FPA)现象.拟合实验数据得到了两种试验样品的FPA系数以及FPA横截面,结果表明,ZnS QD的FPA横截面的计算值是4.9×1-106cm8·s3·photon-3,比硫化锌的FPA横截面大了5个数量级,而且人工合成的ZnS QD也有光学限制的性质.掺Mn2+离子的样品具有大的FPA横截面和在可见光区有高的发光效率这两个特点,使得该材料适合用于多光子荧光成像.     

纳米晶CaWO_4∶Dy~(3+)的制备和发光性质的研究

使用共沉淀法制备了纳米晶CaWO4∶Dy3+发光粉体。通过对比不同煅烧温度下样品的发射谱,发现所制备样品均可观测到Dy3+离子的强室温特征发射。用基质吸收峰和353nm分别激发纳米晶CaWO4∶Dy3+,由其发射谱可推测出样品中的基质和Dy3+离子之间存在能量传递。给出了纳米晶CaWO4∶Dy3+的发光机制图并且从微观解释了基质和稀土离子之间的能量传递。通过对比不同掺杂浓度下Dy3+离子发射光谱,发现将Dy3+掺杂到CaWO4基质中会发生浓度猝灭。     

纳米硅氧多层薄膜低温调控及其发光特性

为了研究硅量子点薄膜在太阳电池中的应用,本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的纳米硅氧多层(nc-SiOx/a-SiOx)薄膜样品。TEM图显示,通过调整nc-SiOx层的厚度,实现了薄膜多层结构的低温调控。利用拉曼散射光谱(Raman)、紫外可见透射光谱以及稳/瞬态光致发光(PL)谱等检测手段对薄膜的微观结构、能带特征以及发光特性进行了分析。光吸收谱分析表明,nc-Si粒子尺寸及其a-SiOx边界层共同影响薄膜的光学带隙。稳/瞬态PL谱分析表明,多层结构发光表现为一个固定于1.19eV附近的发光峰和一个随nc-SiOx层厚度增加而发生红移的发光峰,其中固定发光峰归因于非晶SiOx网络中缺陷发光,发光衰减寿命约在4.6μs,峰位可调的发光峰为nc-Si量子限制效应-缺陷态复合发光,对应两个发光衰减过程,其中慢发光衰减寿命随nc-SiOx层厚度增加由9.9μs增加到16.5μs,快发光衰减过程基本保持不变。低温PL谱的温度依赖特性进一步表明,薄膜样品的发光主要表现为nc-Si的量子限制效应发光。     

新型有机光电功能薄膜的电致发光研究

给出了一种新型的有机发光二极管(OLED),发光层选用新型的具有光电效应、热稳定性好、有良好电子传输能力的小分子材料:艹北酸四甲酯TMEP。比较了双层器件ITO/NPB/TMEP/Al和单层器件ITO/TMEP/Al的性能。双层器件的最低阈值电压为5V,器件发射红光,峰值为600nm。     

以BaCeF_5为基质材料掺杂Tb~(3+)光致发光研究

本文主要阐述了BaCeF_5:Tb~(3+)、Sm~(3+)的制备过程以及单掺Tb~(3+)以BaCeF_5为基质材料在激发波长为311nm激光器监测范围320~450nm、450~590nm内的下转换发光情况,简述观察到的峰对应激励机制负责的能级跃迁。     

ILED阵列:货真价实的柔性显示器

人们通常认为柔性显示器耐用性不佳.柔性显示器一般是采用有机光二极管(OLED)技术,存在-个主要问题:如果显示器弯曲,发光像素也会弯曲;采用E-Ink电泳技术的非发光柔性显示器也存在需要柔性像素的问题.这不但限制了显示器的寿命和发光材料的选取,而且还限制了大半径弯曲的"挠曲".