Raman测量Ge／Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究

研究了用磁控溅射方法制备的Gex/Si1-x多层膜的Ge拉曼光谱,在分析了多层膜中Ge微晶的分布和采用微晶壳层 结构假设的条件下,考虑了微晶表面效应的影响,用声子限域模型计算了Ge纳米晶粒的拉曼谱线,拉曼拟合谱线为三条理论谱线的叠加。计算结果表明：在考虑了微晶的表面效应后,拟合结果与实验结果符合得很好。     

磁控溅射Ge/Si多层膜的发光特性研究

采用磁控溅射技术,在Si(100)衬底上制备了一系列不同周期、不同Ge层厚度的Ge/Si多层膜样品.用室温光致发光(PL)、Raman散射和AFM图谱对样品进行表征.结果表明:Ge/Si多层膜中的PL发光峰主要来自于Ge晶粒,并且Ge晶粒生长的均匀性对PL发光影响较大,生长均匀的Ge晶粒中量子限域效应明显,随着晶粒的减小,PL发光主峰发生蓝移;在Ge晶粒均匀性较差时,PL发光峰强度较弱,量子限域效应不明显.     

椭圆偏振研究溅射气压对锰膜光学性质的影响

采用射频磁控溅射技术在Si(111)基片上制备金属锰膜,用椭圆偏振光谱在2.0~4.0 e V光子能量范围内研究了溅射压强对锰膜光学性质的影响.分别用德鲁得-洛伦兹模型以及有效介质模型对椭偏参数进行拟合,结果表明随压强增大薄膜致密度先增大后减少;折射率随压强增大先减少后增大;而消光系数随压强的变化与光子能量有关,在低能量区变化复杂,高能量区随压强增加与折射率规律一致.分析表明上述变化与薄膜的致密度密切相关.     

溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化关系的影响,结果表明：(1)当溅射功率一定时,随溅射氩气气压的增加Ge2Sb2Te5薄膜的折射率先增大后减小,而消光系数先减小后增大.(2)当溅射氩气气压一定时,对于非晶态薄膜样品,在500nm波长以下,折射率随溅射功率的增加先增加后减小,消光系数则逐渐减小;在500nm以上,折射率随溅射功率的增加逐渐减少,消光系数先减小后增加.对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率随溅射功率的增加先减小后增加,消光系数则逐渐减少.(3)薄膜样品的光学常数都随波长的变化而变化,在长波长范围变化较大,短波长范围变化较小.探讨了影响Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的机理.     

溅射参数为Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化关系的影响。结果表明：（1）当浅射功率一定时,随溅射氩气气压的增加Ge2Sb2Te5薄膜的折射率先增大后减小,而消光系数先减小后增大。（2）当溅射氩气压一定时,对于非晶态薄膜样品,在500nm波长以下,折射率随溅射功率的增加先增加后减小,消光系数则逐渐减小;在500nm以上,折射率随溅射功率的增加逐渐减少,消光系数先减小后增加。 对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率随溅射功率的增加先减小后增加,消光系数则逐渐减少。（3）薄膜样品的光学常数都随波长的变化而变化,在长波长范围变化较大,短波长范围变化较小,探讨了影响Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的机理。     

Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究

研究了用磁控溅射方法制备的Gex／Si1-x多层膜的Ge拉曼光谱,在分析了多层膜中Ge微晶的分布和采用微晶壳层结构假设的条件下,考虑了微晶表面效应的影响,用声子限域模型计算了Ce纳米晶粒的拉曼谱线,拉曼拟合谱线为三条理论谱线的叠加。计算结果表明：在考虑了微晶的表面效应后,拟合结果与实验结果符合得很好。     

磁控溅射Ge/Si多层膜X射线低角衍射界面结构分析

本文对磁控溅射不同结构的Ｇｅ／Ｓｉ多层膜样品进行了Ｘ射线衍射的测试和分析,并进一步采用有过渡层的光学多层膜衍射模型对衍射谱进行了拟合;获得了扩散层厚度和分层厚度等多层膜的结构参数,定性讨论了多层膜中互扩散与分层厚度铁关系。计算结果与实验结果符合较好。     

Si(1-x)Ge_x外延层结构参数的椭偏光谱表征技术研究

本文测量并分析了不同组分的Si1-xGex合金的椭偏光谱,得到了能量范围为2.0～5．0eV内的主要临界点的能量与Ge的组分的关系,给出用椭偏光谱分析Si1-xGex合金厚度和Ge组分的方法．     

Precise control of HgCdTe growth conditions for molecular beam epitaxy

A Hg_1-xCd_xTe growth method is presented for molecular beam epitaxy, which precisely controls growth conditions to routinely obtain device quality epilayers at a certain specific composition. This method corrects the fluctuation in composition x for run-to-run growth by feedback from the x value for the former growth to the fluxes from CdTe and Te cells. We achieved standard deviation Δx/ x of 3.3% for 13 samples grown consecutively. A substrate temperature drop was found during growth, which considerably degrades the crystal quality of epilayers. In this method, this drop is greatly diminished by covering the holder surface with a heavily doped Si wafer. Finally, etch pit density of 4 x 10⁴ cm-² and full width at half-maximum of 12 arc-s for the x-ray double-crystal rocking curve were obtained as the best values.     

Hg1—xCdxTe组分x的横向均匀性

根据Hg_(1-x)Cd_xTe的吸收边规律,建立了从室温下体材料Hg_(1-x)Cd_xTe大光斑透过曲线确定样品平均组分x_0和均方差Δx的方法及计算软件.     

GaAs／AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应荧光谱研究

用分子束外延系统生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱（ACDQW）,用组合注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元,没有经过快速热退火过程,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱,发现了带间跃迁能量最大变化范围接近100meV,组合注入所导致的能量移动要大于单独注入导致的能量移动。     

一种DS/SS信号PN码序列估计的神经网络方法

本文提出了一种利用神经网络(N.N.)完成直接序列扩频(DS/SS)信号PN(伪噪声码)码序列估计的新方法.该方法充分利用了无监督N.N.的自适应主元提取特性,加上其高速运算能力,解决了传统方法在PN码的实时处理及实现上的困难,理论分析和数值结果表明了本方案能在较低的输入信噪比条件下完成对PN码的正确估计.     

基于神经网络的低信噪比直扩信号扩频码的盲估计方法

针对低信噪比直扩信号扩频码的盲估计问题,本文首先用离散卡-洛(K-L)变换的方法对直扩信号进行了研究,得出了在已知信号伪码参数的前提下对低信噪比直扩信号的伪码序列进行盲估计是可行的,并将该问题抽象为一个信号主分量提取问题.然而该K-L变换在伪码序列很长时的计算存储量和计算量都比较大,于是进一步提出了一种主分量神经网络(N. N.或Neural Networks)的解决方法,该方法充分利用了无监督N. N.的自适应主分量提取特性,能较好完成直扩信号伪码序列的盲估计,从而使直扩信号的盲解扩成为可能.理论分析和数值结果都表明本方案能工作在较低的输入信噪比条件下.