用喔星锌作发光层的有机电致发光薄膜器件的研究

用喔星锌（Ｚｎｑ２）作发光材料，做出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａｌ结构的有机电致发光薄膜器件，测量了它的伏安特性，电光特性曲线及其电致发光光谱，同时也测量了喔星锌在粉末和薄膜状态下的荧光光谱、激发光谱、吸收光谱。     

有机聚合物电致发光薄膜的研究进展

概述了聚合物电致发光薄膜器件的结构、材料、发光机理、目前研究的状况、出现的问题以及研究的发展趋势     

有机电致发光薄膜器件的研究

有机电致发光薄膜具有制备方便,驱动电压低,发光亮度高,可以和合物基底匹配等优点,成为目前世界显示技术的一大研究热点。论述了有机发光薄膜器件的结构、工作机理及其膜电致发光薄膜电致,光致发光的特性,论述了薄膜发光器件的电学科技司与光学特性及其器件在脉冲电压波形驱动下的电光特性,提出了应用于显示技术的有机电致光薄膜器件的电不于光学特性的优化方法。     

有机电致发光薄膜器件的研究

有机电致发光薄膜具有制备方便,驱动电压低,发光亮度高,可以与聚合物基底匹配等优点,成为目前世界显示技术的一大研究热点。论述了有机发光薄膜器件的结构、工作机理及其薄膜电致,光致发光的特性,论述了薄膜发光器件的电学特性与光学特性及其器件在脉冲电压波形驱动下的电光特性,提出了应用于显示技术的有机电致发光薄膜器件的电学于光学特性的优化方法。     

利用磷光材料提高有机薄膜电致发光效率的研究进展

激活有机分子三重态可提高有机电致发光薄膜器件的发光效率。概述了有机电致磷光薄膜器件的结构、材料、提高器件电致发光效率的原理,目前的研究状况、存在的问题和研究的发展趋势。     

关于有机薄膜电致发光机理的定性分析

观测了有机电致发光薄膜器件的电流变化和相对应的发光变化特性 ,并作了定性分析 ,提出了类 PN结正向导通发光的有机薄膜电致发光机理的模型     

喹啉锌有机电致发光薄膜器件的时间特性分析

用喹啉锌（Ｚｎｑ２）作发光材料,制备出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａ１ 结构的有机电致发光薄膜器件,分析并测量了它的伏安时间特性,电光时间特性,并与ＬＥＤ器件的电致发光时间特性进行了比较。实验表明有机薄膜发光的电光时间效应与ＬＥＤ器件相比有其特殊性。     

有机薄膜电致发光器件

将无机薄膜电致发光器件和有机薄膜电致发光器件作了一个比较,并给出了有机薄膜我器件的基本结构及其功能层材料选择的依据。最后分析了一个实际制备的双层器件。     

喹啉梓有机电致发光薄膜器件的时间特性分析

用喹啉锌作发光材料,制备出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａ１结构的有机电致发光薄膜器件,分析并测量了它的伏安时间特性,电光时间特性,并与ＬＥＤ器件的电致发光时间特性进行了比较。实验表明有机薄膜发光的电光时间效应与ＬＥＤ器件相比有其特殊性。     

电致发射蓝光和蓝绿光的有机薄膜的研究进展

概述了电致发射蓝光和蓝绿光的电致发光薄膜器件的结构、材料、发光机理、目前研究的状况、出现的问题以及研究的发展趋势。     

有机电致发光器件的回顾和发展

综述了有机电致发光薄膜器件 ( OTFEL )的发展过程和 OTFEL的器件制备和结构 ,总结了有机小分子 (包括金属螯合物 ,稀土有机物 ,有机染料 ) ,聚合物 (主要是共轭高聚物 )制成的器件结构 ,发光光谱和亮度。文末展望了OTFEL 的发展前景。     

Study of the tribological performance of a rare earth naphthenate as a lubricant additive

The tribological behaviour of a rare earth naphthenate (REN) as a lubricant oil additive in VG26 white oil and the complexes of REN and organo‐sulphur or organo‐phosphate compounds have been evaluated with a four‐ball friction and wear tester. The chemical features and elemental composition of the boundary lubricating film were examined by means of Auger electron spectroscopy (AES) and X‐ray photoelectron spectrometry (XPS). The results show that REN exhibits good antiwear, load‐carrying, and friction‐reducing properties in the base stock. When 2.0% REN is added, the wear‐scar diameter value reduces to 54.7% of that for the base stock alone and the maximum non‐seizure load increases 2.95 times. A synergistic effect is found for the load‐carrying capability of the complex of REN and organo‐sulphur while poor compatibility is exhibited for the complex of REN and organo‐phosphate. The analytical results of AES and XPS indicate that the good performance of REN is attributable to the formation of a boundary lubricating film mainly composed of naphthenic acid, rare earth oxide, and complexes of rare earth metals, which is formed on a rubbed surface when lubricated by oil containing the REN additive.     

基于遗传算法的透射光谱法测量薄膜光学常量

目前的实际生产加工需求中,需要一种高精度、简单易行的薄膜参数检测方法。但是,传统的基于透射光谱法的单纯形法只能够得到薄膜的厚度信息,无法获取准确的薄膜的折射率。本文基于多光束干涉理论建立了单层薄膜的透射率模型,并且得到了薄膜透射率T与厚度d及折射率n之间的关系的数学模型。进而利用遗传算法求解该数学模型。由于薄膜透射光谱数学模型的特殊性,按照实际的精度需求,有针对性的选取了遗传算法中的关键参数：种群大小、交叉概率和变异概率。并且针对透射光谱的具体情况,设计了离散化的适应度函数。最终的拟合结果表明,基于遗传算法的透射光谱法能够快速、准确的得到薄膜的光学参数。     

电流密度对稀土镁合金膜层性能的影响

在相同的工艺条件下,采用微弧氧化处理稀土镁合金,分析电流密度对稀土镁合金表面陶瓷膜层的厚度、硬度、绝缘性,以及耐腐蚀性能的影响。试验结果表明:随着电流密度的增加,生成膜层的厚度和硬度均呈现增加的趋势,但绝缘性和耐腐蚀性能却呈现抛物线的变化规律。     

退火对真空蒸发Ti3O5制备光学薄膜性能的影响

采用真空蒸发法,以T i3O5为膜料分别在基片温度为200℃、250℃、300℃的条件下制备氧化钛光学薄膜,XRD结果显示,沉积态薄膜为无定形态,400℃退火后,均由无定形态向锐钛矿结构转变;不同基片温度下制备的氧化钛薄膜退火后,折射率均随基片温度的升高而增大;随着退火温度的升高,(101)晶相择优取向十分明显,结晶度增大;经过400℃、500℃、600℃退火后,薄膜折射率逐渐上升。     

Influence of substrate orientation on the morphologyand orientation of LaNiO3 thin films

LaNiO₃ thin films were successfully prepared by a chemical method from citrate precursors. The LNO precursor solution was spin‐coated onto Si (100) and Si (111) substrates. To obtain epitaxial or highly oriented films, the deposited layers were slowly heated in a gradient thermal field, with a heating rate of 1° min^?1, and annealed at 700°C. The influence of different substrate orientations on the thin film morphology was investigated using atomic force microscopy and X‐ray diffraction analysis. Well‐crystallized films with grains aligned along a certain direction were obtained on both substrates. Films deposited on both substrates were very smooth, but with a different grain size and shape depending on the crystal orientation. Films deposited on Si (100) grew in the (110) direction and had elongated grains, whereas those on Si (111) grew in the (211) direction and had a quasi‐square grain shape.