聚3—甲基噻吩的光电化学研究

利用光电化学方法研究了聚3—甲基噻吩的光电化学性质，其禁带宽度为1．93eV．同时确定了它的价带、导带位置．研究还发现聚3—甲基噻吩属于直接跃迁半导体，具有很好的光电流稳定性．得到的最高IPCE值近1.0％。     

聚噻吩纳米复合材料的制备及性能

以各组分尺寸大小为基础对聚噻吩/无机物纳米复合材料进行了分类,详细阐述了各类材料的制备方法。同时强调了聚噻吩/无机物纳米复合材料除了具有聚噻吩、无机物的原有性能外,还会由于聚噻吩与无机物粒子之间的协同作用而具有优异的电性能、光性能,并从分子角度对这些性能提高的机理进行了阐述。     

聚噻吩复合材料的制备及应用现状

介绍了近年来聚噻吩复合材料制备的研究进展,简单的分析了聚噻吩复合材料的结构、稳定性以及其内部化学键的键合情况,并且简单介绍复合材料的应用状况。     

掺水量对聚吡咯高分子膜电化学性能的影响

在0.1 mol/L吡咯+0.2 mol/L Na Cl O4的乙腈溶液中加入不同含量[0,3%,6%,9%(体积分数)]的水,采用循环伏安法制备了聚吡咯(PPy)高分子膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对其表面形貌进行了观察,利用恒电流充放电曲线研究了其电化学性能。比较了不同电流密度下不锈钢/聚吡咯(SS/PPy)比电容和能量密度,当电流密度由1 m A/cm2增大到5 m A/cm2时,PPy(6%)电极的比电容下降幅度最小,下降了21.6%。     

掺水量对聚吡咯高分子膜电化学性能的影响

在0.1 mol/L吡咯+0.2 mol/L Na Cl O4的乙腈溶液中加入不同含量[0,3%,6%,9%(体积分数)]的水,采用循环伏安法制备了聚吡咯(PPy)高分子膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对其表面形貌进行了观察,利用恒电流充放电曲线研究了其电化学性能。比较了不同电流密度下不锈钢/聚吡咯(SS/PPy)比电容和能量密度,当电流密度由1 m A/cm2增大到5 m A/cm2时,PPy(6%)电极的比电容下降幅度最小,下降了21.6%。     

植酸掺杂聚吡咯制备及电化学性能

采用植酸作为掺杂剂,通过原位化学氧化聚合制备植酸掺杂聚吡咯,并利用扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)仪表征其表面形貌与结构,利用循环伏安(CV)、恒电流充放电(GCD)、交流阻抗(EIS)测试其电化学性能.FTIR结果表明,植酸与吡咯单体间的多重氢键及 π–π 相互作用有利于...     

纳微米聚（3，4-二氧乙基噻吩）导电高分子的合成及其性能研究

在导电高分子家族中，聚（3，4-二氧乙基噻吩）（PEDOT）由于具有高的电导率、环境稳定性、透明性以及良好的成膜性等优异性能而广泛地应用于有机电致发光器件、太阳能电池、防静电、电致变色器件、传感器等领域．本论文研究了绝缘高分子聚乙二醇（PEG）和乙二醇、一缩二乙二醇等有机极性溶剂提高PEDOT／PSS（聚苯乙烯磺酸钠）电导率的机理，并通过改变稳定剂、掺杂剂等因素制备了具有不同结构和性能的PEDOT胶体颗粒以及PEDOT／PMMA（聚甲基丙烯酸酯）复合微球，取得了以下主要的创新性结果。     

聚噻吩/SBA-15的合成与表征

以FeC l3为氧化剂,采用原位化学聚合的方法制备了聚噻吩/SBA-15新型复合材料,并对其结构和性能进行了表征。结果表明,小角X射线衍射和氮气吸附与脱附说明复合材料具有规则的介孔结构并且孔径明显小于分子筛SBA-15的孔径,红外光谱分析进一步证明PT进入了SBA-15的介孔孔道内,热重分析表明,聚噻吩进入孔道之后热稳定性得到了提高。     

聚噻吩/MCM-41的合成与表征

文章以FeCl3为氧化剂,采用原位化学聚合的方法制备了聚噻吩/MCM-41新型复合材料,并对其结构和性能进行了表征。结果表明:小角X射线衍射和氮气吸附与脱附说明复合材料具有规则的介孔结构并且孔径明显小于分子筛MCM-41的孔径,红外光谱分析进一步证明PT进入了MCM-41的介孔孔道内,热重分析表明,聚噻吩进入孔道之后热稳定性得到了提高。     

电沉积MnO_2薄膜及其性能研究

以纸质电池的正极为研究目标,采用恒电位电沉积的方法,于柔性纸质膜上电沉积了γ-MnO2纳米薄层.经测试,电极表面形貌呈现五敛子状.研究了沉积电位对其电化学性能的影响,发现在0.8 V,vs SCE电位下,恒电位电沉积制得的γ-MnO2电极电化学性能最优.     

NiO薄膜材料的制备及其电化学电容性能

以镍箔为基底,在Ni(NO3)2溶液中,用电沉积法制备Ni(OH)2薄膜,进行热处理后转化为NiO薄膜电极材料。采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征产物的结构和形貌。用循环伏安法、恒电流充放电等电化学方法系统研究所制样品的电化学性能。研究结果表明,在Ni(NO3)2溶液浓度为0.08 mol.L-1,电压为-0.9 V条件下沉积,并经过250℃热处理制备的NiO薄膜材料属于立方结构,表现出良好的电化学性能,其单电极比电容值达1220 F.g-1。     

生物大分子印迹聚合膜的表征及电化学应用

使用扫描电子显微镜(SEM)、红外图谱(IR)、循环伏安(CV)、差示脉冲循环伏安(DPV)对血红蛋白聚合物膜修饰电极进行了表征。DPV测试表明血红蛋白的浓度和峰电流分别在低浓度和高浓度下均有良好的线性关系,低浓度下满足线性回归方程ip(μA)=13.05-3.58C(μM),相关系数R为-0.9960。检出限为2.7×10-9M,线性范围8.0×10-9~7.1×10-7M;高浓度下满足线性回归方程Ip(μA)=10.56-0.1001C(μM),相关系数R为-0.9957。检出限为5.7×10-7M,线性范围1.7×10-6~1.4×10-5M。可用于构建生物分子印迹的电化学传感器。     

羟基氧化镍的电解制备，结构表征和电化学性能研究

NiOOH was prepared by one-step electrolysis of spherical Ni（OH）2 and the effects of electrolysis parameters were examined. The highly pure NiOOH was obtained after electrolysis at a current density of 60mA.g^-1 and 30℃ with anodic potential controlled in the range of 1.73-1.85V （vs. Zn/ZnO） for 360min. The NiOOH samriles were characterized bv X-ray oowder diffraction （XRD） and scanning electron microscope （SEM） analysis.Resuits indicate that the electrolysis product is spherical NiOOH doped with graphite. Charge and discharge tests show that the prepared NiOOH offers a discharge capacity of over 270mAh·g^-1 at current density of 30mA·g^-1 and can be directly used as cathode material of alkaline Zn/NiOOH batteries. Galvanostatic charge/discharge and cyclic voltammetry （CV） tests reveal good cycling reversibility, of the NiOOH electrode.     

聚乙烯醇/二氧化钛自清洁膜的制备、性能及表征

采用溶胶-凝胶法制得纳米二氧化钛(TiO2),然后以其为助剂通过溶液法制备聚乙烯醇/二氧化钛(PVA/TiO2)自清洁复合材料;通过XRD、Raman、TEM等对Ti O2进行结构表征,同时考察了TiO2对PVA的光催化自清洁性能、力学性能、紫外吸收性的影响。结果表明:Ti O2的最佳制备条件是钛酸丁酯/冰醋酸为10:3.5,焙烧温度600℃;加入TiO2有助于提高PVA膜的自清洁性能、力学性能及紫外吸收性。     

农用棚膜人工加速老化试验与大气曝露试验相关性探讨

介绍农膜大气曝露试验与人工加速老化试验的结果,寻求农膜老化性能的变化规律,并探讨农膜大气曝露与人工加速老化试验之间性能变化的相关性。     

CdTe纳米微粒荧光复合薄膜的制备与表征

半导体纳米晶（QDs）是一种三维团簇．它由有限数目的原子组成稳定的尺寸在2～20nm之间的微粒．三个维度尺寸均在纳米量级．与传统的有机荧光分子相比．量子点具有许多特殊的光学性能：具有激发光谱单一、荧光谱线窄、发光效率高、发光颜色可调、可用同一波长的光激发不同的量子点、可进行多色联合标记等．纳米晶的这些优良性质使其在多元分析、多色成像、     

亚甲蓝的电化学聚合及其聚合膜特性

研究了亚甲蓝在平面薄膜型铂盘电极的电化学聚合及聚亚甲蓝膜的电化学特性。结果表明 ,亚甲蓝在偏碱性溶液中能较好地电聚合成膜 ;聚亚甲蓝膜具有较强的化学稳定性和快速电子传递能力。聚亚甲蓝修饰膜电极在较低氧化电位下对 NADH有较明显的电催化氧化     

Electrochemical Synthesis and Characterization of Poly(o-anisidine) Film with Various Dopants: A Comparative Study

In the present work, the doped (composite) films of póly(o-anisidine)–polyvinylsulphonic acid (POA-PVS), poly(o-anisidine)–toluenesulphonic acid (POA-pTS), and poly(o-anisidine)–dodecylbenzenesulphonic acid (POA-DBS) were synthesized on a platinum electrode, using electrochemical polymerization. These synthesized films were characterized by electrochemical techniques, conductivity measurement, UV-visible spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and scanning electron microscopy (SEM). The optimal film growth was achieved for synthesis of the POA film in the presence of dodecylbenzenesulphonic acid (DBS). The POA-DBS composite film exhibits good electrochemical properties, conductivity with a uniformly porous surface morphology which can be used for the immobilization of biocomponent.