抑制操作过电压的方法

提高灭弧室技术要求：触头是真空灭弧室的关键部件，触头材料的构成成分，纯度，表面光洁度，装配工艺都直接影响真空开关的截流水平。触头材料主要用铜铬合金，铜铋合金和铜钨合金，国外有使用高纯度铜和高纯度钢材料的。     

真空熔铸的铜铬碲触头材料及其性能研究

介绍了采用真空熔铸方法制造的铜铬碲触头材料及其性能,测试结果表明,它是一种性能优良的新型真空灭弧室触头材料。     

影响铜铬触头材料耐压特性的因素

本文研究了Cr粉晶体状态、Cr粉尺寸、Cr粉含量以及添加元素对真空灭弧室铜铬触头材料耐压特性的影响,找出了改善固相烧结法制备的铜铬触头材料耐压特性的方法。     

铜铬铁真空触头材料荣获国家发明三等奖

<正> 冶金部钢铁研究总院和西安高压电器研究所共同研制的真空断路器用钢铬铁真空触头材料荣获1993年度国家发明三等奖.此材料与国外类似材料铜铬50合金比较,开断电流能力相当,而耐电压强度提高50%～60%,且截流值降低、抗熔焊好、抗电磨损好,是我国自己创制的大容量真空断路器用的真空触头材料,已大量用于10kV、31.5kA级的真空断路器灭弧室中.并且,由于它的高耐电压强度,亦已应用于35kV、20hA和25KA级真空断路器灭弧室,还可进一步用于开发55kV级以上的高电压真空断路器灭弧室.因此,此材料的研制成功具有巨大的经济效益和社会效益.此材料的研制成功是钢铁研究总院和西安高压电器研究所密切配合的结果,材料的制取工作主要由钢铁研究总院完成,材料的电性能研究和应用工艺开发则是在西     

真空灭弧室制造技术的发展

目前用于真空开关的触头材料大概有3种：半难熔金属＋良导体,如铜铬（CuCr）合金;熔融金属＋良导体,如铜钨合金;铜合金,如铜铋等。在中压真空开关中,铜铬被认为是最佳的触头材料,它结合了触头材料中最关键的电性能于一身,即优良的导电性,高的开断电流能力,良好的抗电弧熔蚀性和很好的抗表面熔焊能力以及截流值小等。     

城网建设与高压开关

触头材料是真空灭弧室技术进步的另一个方面。触头材料最初用的典型材料为铜铋(CuBi)合金。此材料开断能力差,且截流值高。据资料介绍,采用铜铋触头材料的真空断路器的截流水平一般为10～12A。现触头材料一般用铜铬(CuCr)触头材料,它不仅开断电流大,而且截流水平低,一般为3(实验室值)～5A(厂家保证值),而我国CuCr50触头的平均截流值仅2～2.5A,最大截流值3.2A。日本已研究出低过电压触头材料,可将截流值降至1/10。同时研究熄弧能力更强的触头材料如铜钽(CuTa)等。     

非晶-晶化法制备微晶铜铬真空触头材料

本文提出了一种非晶－晶化法制备微晶铜铬触头材料的新工艺。该工艺制备的铜铬触头材料，其组织中散着几个微米大小的铬细晶颗粒。由于经过电弧熔炼过程，消除了熔渗法和烧结法制造的触头中存在的大颗粒夹杂现象。可提高触头质量及在真空开关中运行的可靠性。另外，该工艺对原料铜和铬的要求可以降低，工艺相对简单，适用于各种铬含量铜铬头触头的材料的制造，是一种高质量，低成本，便于大规模生产铜铬触头材料的新的制造工艺。     

关于高电压等级真空灭弧室研究与开发

总结分析了高电压等级真空灭弧室研究开发的关键问题 (包括真空灭弧室绝缘设计、触头结构和触头间隙纵向磁场、触头材料、真空灭弧室与操动机构配合等 ) ,可为此类灭弧室和断路器研究开发提供参考     

真空灭弧室CuCr触头材料发射率研究

真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中。触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度。本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率。利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5~20μm,加热温度为400~800℃。得到测量波长在5~7μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量。测得5~7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41。触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降。     

CuCr真空触头材料电特性的改善

对深冷处理引起的铜铬真空触头材料的组织变化进行了研究。深冷处理使铜铬触头材料组织细化,尤其是合金材料中铬相细化明显,结晶的合金组织有助于改善铜铬触头材料的电性能。     

直空灭弧室的耐压特性及其分析

对真空灭弧室的耐压特性进行了分析和研究，包括灭弧室触头间隙及触头和屏蔽罩间隙的耐压特性，探讨了面积效应在真空灭弧室设计中的应用，本文对于改善真空灭弧室的耐压特性及高电压大容量真空灭弧室的开发有重要意义。     

真空灭弧室的耐压特性及其分析

对真空灭弧室的耐压特性进行了分析和研究，包括灭弧室触头间隙及触头和屏蔽罩间隙的耐压特性，探讨了面积效应在真空灭弧室设计中的应用。本文对于改善真空灭弧室的耐压特性及高电压大容量真空灭弧室的开发有重要意义。     

真空断路器铜铬触头材料中铬含量对开断能力的影响

我们研究了铜铬触头材料中铬含量从１２．５％￣７５％（重量比）的范围内变化对电流开断能力以及电弧形态，阳极熔化时间和电流开断后的触头侵蚀的影响。结果表明，在上述的铬含量变化范围内，铬含量越低，电流开断能力越高。当铬含量减少后，电弧聚集时间和电流开断后的阳极熔化时间都缩短，但是铜铬触头的侵蚀量变化，根据这一结果，可以看出真空断路器中铜铬触头材料中存在一个铬的最优含量。     

真空断路器铜铬触头材料中铬含量对开断能力的影响

我们研究了铜铬触头材料中铬含量从12．5％～75％（重量比）的范围内变化对电流开断能力以及电弧形态、阳极熔化时间和电流开断后的触头侵蚀的影响。结果表明，在上述的铬含量变化范围内，铬含量越低，电流开盼能力越高。当铬含量减少后，电弧聚集时间和电流开断后的阳极熔化时间都缩短，但是铜铬触头的侵蚀量变大。根据这一结果，可以看出真空断路器中铜铬触头材料中存在一个钻的最优含量。     

近期国内外真空灭弧室的发展动向

本文阐述了国内外真空灭弧室结构的发展过程和提高性能的研究。触头材料的性能分析和开发。采用新工艺、新结构和新材料以降低真空灭弧室制造成本的措施。最后介绍了真空灭弧室向高电压等级发展的动向。     

大开断电流真空灭弧室触头材料含气量允许值理论判据

本文根据真空灭弧室在开断短路电流燃弧过程中灭弧室内动态压力的变化从理论上推导出触头材料含气量、灭弧室有效容积、触头电弧侵蚀率和开断电流之间的关系,给出了大开断电流真空灭弧室触头材料含气量最大允许值的理论判据。     

大功率真空灭弧室触头材料的开发与进展

本文评述了真空灭弧室触头材料的发展。在过去的十五年里，Cu－Cr触头材料在中压大电流真空灭孤室应用中已逐步占有统治地位。文中讨论了这种材料的制造方法。其他材料，如Cu－W，Ag－WC和Cu合金只作了简要描述。在运行条件下，对真空灭弧室触头材料的使用性能也作了评论。本文论述表明，真空断路器所用的触头材料最好的还是Cu－Cr。     

真空断路器开断大电流时的物理特性研究

<正> 这年来,铜铬合金的采用、铜铬合金生产工艺的改善及触头形状的优化,使真空断路器的开断能力大为提高。ABB公司采用激光暗影成象(LIF)和激光感应原子和离子荧光技术(LIFAI)等现代化诊断技术,系统地研究了真空灭弧室大电流开断后的物理过程,还从试验结果中建立了模型,显示了弧后等离子体、金属蒸汽和触头表面状况,在弧后介质强度恢复过程中所起的重要作用。 ABB公司的研究表明,决定介质恢复过程的主要因素不是电弧燃烧所产生的微粒数目,而是触头表面的熔化结构,微粒在绝缘恢     

大开断电流真空灭弧室触头材料含气量允许值理论判据

本文根据真空灭弧室在开断短路电流燃弧过程中灭弧室内动态压力的变化从理论上推导出触头材料含气量、灭弧室有效容积、触头电弧侵蚀率和开断电流之间的关系,给出了大开断电流真空灭弧室触头材料含气量最大允许值的理论判据。     

触头结构对真空灭弧室开断能力影响的试验研究

<正> 真空断路器的灭弧室外形结构,几乎已典型化,而灭弧室中触头的几何形状及触头材料,则相差很大。近几年来,由于触头几何形状设计改变,开断电流有了较大的突破,在实验室中开断能力已达到200kA以上。为了研究触头结构对真空灭弧室的开断能力的影响,我们对几种不同触头结构的真空灭弧室的开断能力,进行了试验研