ITO薄膜射频磁控溅射法制备及性能研究

以10%SnO2和90%In2O3(以质量计)烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃基片成功地制备出光电性能优异的ITO透明导电薄膜。研究了基片温度和氧分压溅射工艺参数对ITO薄膜的结构和光电性能的影响。实验结果表明,采用氧化铟锡陶瓷靶射频磁控溅射制备的ITO薄膜沿(222)晶面生长,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带随着衬底温度和氧分压的升高向短波长方向漂移。     

磁控溅射制备大面积掺锡氧化铟透明导电膜玻璃项目通过省级鉴定

由秦皇岛耀华工业技术玻璃厂承担的河北省重点新产品开发项目一磁控溅射镀膜玻璃于1990年7月31日通过省级鉴定.该项目研究成果是在吸取国外先进技术的基础上,结合我国实际情况首创的一种磁控反应溅射制备大面积(1.5×2M~2)掺锡氧化铟透明导电膜(简称ITO膜)玻璃的新技术.采用该技术生产的ITO膜电加温玻璃,具有透过率高,电阻率低,电热均匀性好,成品率高和光学性能佳等优点.与会专家一致认为:大面积ITO膜电热玻璃的研制成功,填补了国内空白;该项技术已经达到了国际八十年代同类产品水平.     

氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响

利用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)导电薄膜,并在氮气气氛下对薄膜进行热处理。采用四探针测试仪、双光束紫外-可见分光光度计、X-射线粉末衍射仪和扫描探针显微镜等手段对所制备的ITO薄膜进行分析表征,并对掺Sn量、退火温度和退火时间对薄膜光电性能的影响进行了研究。实验结果表明:当掺Sn量为11%、热处理温度为480℃、热处理时间为60min时,能在氮气气氛中成功制备纳米ITO导电薄膜,其晶粒大小在20~90nm之间,薄膜的方阻较小为390Ω/□,可见光透过率达80%以上。     

纳米MoS2的制备及其与聚吡咯物复合膜光学性能的研究

以有机热溶剂法制备MoS2,并以XRD对其结构进行表征.TEM形貌观察表明晶粒具有纳米尺寸。以电化方法在ITO导电玻璃基体上制备聚合物聚吡咯薄膜。在导电聚合物膜上涂布纳米MoS2晶体,荧光分析发现其荧光光谱相对于聚合物膜有一定程度的红移。Z-Scan测试其折射率的结果表明其具有非线性光学特性。     

液相自组装制备BaxSr1-xTiO3功能陶瓷薄膜

以Sr(NO3)2,Ba(NO3)2,(NH4)2TiF6和H3BO3作为原料,采用自组装单分子膜(self–assembled monolayers,SAMs)技术以及利用紫外光修饰技术对十八烷基三氯硅烷(C18H37SiCl3,OTS)单分子膜进行官能团改性,在氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)玻璃基板上成功制备了BaxSr1–xTiO3功能陶瓷薄膜。通过动态/静态接触角仪测量了SAMs功能化的ITO玻璃基板表面与水的接触角,探讨功能化ITO玻璃基板在紫外光照射前后的润湿情况。通过X射线衍射、能量色散光谱和扫描电子显微镜等测试方法分析了制备的BaxSr1–xTiO3功能陶瓷薄膜的物相组成、微区结构和形貌。结果表明:改性的SAMs功能化ITO玻璃基板在50℃的前驱溶液中沉积18 h后,在600℃煅烧晶化2 h,可以成功制备出纯相BaxSr1–xTiO3功能陶瓷薄膜,薄膜的颗粒均一,形貌均匀。     

液相自组装制备BaxSr1–xTiO3功能陶瓷薄膜

以Sr(NO3)2,Ba(NO3)2,(NH4)2TiF6和H3BO3作为原料,采用自组装单分子膜(self–assembled monolayers,SAMs)技术以及利用紫外光修饰技术对十八烷基三氯硅烷(C18H37SiCl3,OTS)单分子膜进行官能团改性,在氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)玻璃基板上成功制备了BaxSr1–xTiO3功能陶瓷薄膜。通过动态/静态接触角仪测量了SAMs功能化的ITO玻璃基板表面与水的接触角,探讨功能化ITO玻璃基板在紫外光照射前后的润湿情况。通过X射线衍射、能量色散光谱和扫描电子显微镜等测试方法分析了制备的BaxSr1–xTiO3功能陶瓷薄膜的物相组成、微区结构和形貌。结果表明:改性的SAMs功能化ITO玻璃基板在50℃的前驱溶液中沉积18 h后,在600℃煅烧晶化2 h,可以成功制备出纯相BaxSr1–xTiO3功能陶瓷薄膜,薄膜的颗粒均一,形貌均匀。     

ITO薄膜的制备工艺及进展

对玻璃表面ITO膜的组成、导电机制、性质和制备工艺进行描述.介绍各种制备工艺的优点及在今后的研究中要解决的问题.     

ZnO基透明导电薄膜的制备和掺杂改性研究进展

ZnO基透明导电膜的研究进展迅速,其光电性能已接近锡掺杂铟氧化物透明导电薄膜(ITO),而且它相比ITO薄膜易于掺杂、更易刻蚀、在等离子体中稳定性好,未来有望成为平板显示器中取代ITO薄膜的材料。概述了氧化锌基透明导电膜的制备方法和掺杂改性研究进展,对单层膜和多层膜的制备进行了分析,对氧化锌基透明导电膜的研究趋势进行了展望。     

掺锡量对溶胶-凝胶法制备ITO薄膜性能的影响

本文以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物,利用溶胶-凝胶法在玻璃载片上旋转涂膜制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO薄膜)。采用了紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪、X-射线衍射仪和扫描电镜等对ITO薄膜的透射率、方块电阻、物相组分和结构形貌进行测量与表征。研究了掺锡浓度对ITO薄膜的光电特性的影响。实验结果显示:ITO薄膜的光电特性与掺锡浓度有关,在掺杂溶度为12wt%时,制备出的ITO薄膜最低方块电阻为124Ω/□,最高透射率为92.85%。     

空气和氮气气氛中热处理温度对ITO薄膜性能影响

以InCl_3·4H_2O和SnCl_4·5H_2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺。在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO),采用x-射线粉末衍射、紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了在空气和氮气气氛中,不同热处理温度对ITO薄膜的微结构、光学和电学性能的影响。     

透明导电薄膜栅述

系统的介绍了导电膜分类,并着重描述了第二代光学透明导电隐身膜系ITO薄膜的结构、电学性能、光学性能.指出目前国内外的研究重点以及低温成膜技术是ITO研究的方向.     

有机溶剂热生长技术制备硫族化合物及其光学特性的研究

以有机溶剂热生长技术(solvothermaltechnique)制备了半导体硫族化合物(CdS、ZnS、MoS2)等纳米颗粒,采用XRD、TEM等技术对其结构进行表征.以ITO导电玻璃以及导电聚合物(PANI、PPY)膜为基底,将纳米颗粒涂布其上并以PL法研究其光学特性,实验结果表明:经修饰后,材料的荧光发射位置发生显著的变化.     

C_(60)/聚苯胺自组装薄膜的制备及性能研究

依靠化学键组装法在导电玻璃ITO表面制备了C60/聚苯胺薄膜。通过紫外-可见光谱证实了导电聚苯胺和足球烯之间存在着π-π相互作用。在C60亲电子作用的影响下,导电聚苯胺薄膜的电化学氧化还原性质发生了显著变化,表明聚苯胺和C60之间发生了电荷转移。     

三氯化铈掺杂聚苯胺电致变色器件的制备与表征

利用恒电位法在ITO导电玻璃表面制备了三氯化铈掺杂聚苯胺薄膜,该薄膜比未掺杂三氯化铈的薄膜更加光滑致密、附着力更好,用该薄膜组装成了电致变色器件,器件具有深蓝色–蓝色–蓝绿色–黄绿色–浅黄色的颜色变化。     

磁控溅射法制备As-S玻璃薄膜

采用磁控溅射法在ITO导电玻璃上制备As-S玻璃薄膜,采用XRD、透可见-红外性能、扫描电镜、XPS等现代测试手段,研究薄膜的结晶形态、光学性质和成分。结果发现,利用磁控溅射方法得到了透过率较高、光学质量优良、没有明显的缺陷的As-S硫系玻璃薄膜,XPS光电子能谱结果显示薄膜As/S摩尔比为0.686,大于设计组成。     

ITO薄膜的研究进展

ITO是锡掺杂氧化铟薄膜的简称,属于透明导电氧化物材料。常规沉积方法制备的ITO薄膜通常为非晶态或体心立方晶系晶体,为n型半导体材料,其载流子为自由电子,主要来源于沉积过程中薄膜化学计量比偏离或阳离子掺杂形成的施主杂质。ITO薄膜是当前研究和使用最为广泛的透明导电氧化物薄膜材料,由于具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射率等独特物理特性而被大量应用于平板显示器、太阳能电池、发光二极管、气体传感器、飞机风挡玻璃除霜器等领域。此外,ITO薄膜对微波还具有高达85%的衰减作用,因而在电磁屏蔽等军用领域显示出巨大的潜在应用价值。过去几十年里,针对ITO薄膜的研究工作主要聚焦于薄膜的光电性能上。当前,伴随着ITO薄膜的应用范围在航空航天和军用武器装备等领域的拓展,ITO薄膜在恶劣力学环境中的使用日渐增多。因此,除光电性能外,ITO薄膜的力学性能也开始受到研究者越来越多的关注,人们对薄膜器件在各类恶劣使用环境中的稳定性及耐久性提出了更高的要求,这一要求使得对ITO薄膜力学性能的深入研究分析有了重要的理论及实际意义。本文综述了近年来ITO薄膜在微结构特性、能带结构、光电性能及力学性能等方面的研究进展,简略探讨了ITO薄膜的研究发展方向。     

石墨烯电热薄膜材料的制备及表征

采用超临界二氧化碳剥离的方法制备了2种不同的剥离石墨烯EG-6、EG-6u,并制备了以石墨D、剥离石墨烯EG-6、EG-6u为导电填料的导电薄膜。采用扫描电镜(SEM)、拉曼光谱对原材料石墨以及导电薄膜进行表征,并对所制备薄膜进行电热特性测试。结果表明,经过超临界二氧化碳剥离之后,石墨烯片层从石墨块上剥离下来,尺寸为3～10μm。导电薄膜中石墨烯以片层方式存在,而石墨以粒状存在,片层方式的存在方式使得石墨烯片层定向排列,导电网络更丰富高效。在12 V电压下升温达到相同的空间温度,相比于导电薄膜D,导电薄膜EG-6所需功率减少22.5%,膜层温度降低9.623℃,膜层的传热效率更高,综合传热系数增大,为2.60×10~(-3)W·cm~(-2)·℃~(-1)。相比于导电薄膜D,石墨烯导电薄膜的升温速率更高,升温时间更短。导电薄膜EG-6u的初始升温速率为导电薄膜D的19.3倍,升温时间为导电薄膜D的24.7%。     

TiO_2纳米棒多孔光阳极复合薄膜的制备和表征

分别利用钛酸异丙酯和四氯化钛水溶液,采用水热合成法制备了锐钛矿型的球状氧化钛(Ti O2)纳米溶胶及Ti O2纳米棒。采用不同质量配比共混得到电流体动力学技术(EHD)用溶胶,利用EHD技术在涂有Ti O2致密膜的导电玻璃基体上成膜,成功制备Ti O2纳米棒多孔光阳极复合薄膜。薄膜存在纳米至亚微米尺寸的多级孔道。     

不同基材上Co掺杂CdSe薄膜电极的制备及光电催化性能

采用脉冲电流沉积法制备了负载于氧化锡铟(ITO)导电玻璃、不锈钢板、镍板和铜板等不同基材上的Co掺杂CdSe薄膜电极,利用紫外可见漫反射和交流阻抗实验测试了Co掺杂CdSe薄膜电极的性能,并以对硝基苯酚降解来评价该薄膜的光电催化性能.结果表明:基材的种类对Co掺杂CdSe薄膜电极的性能影响较大,其催化降解对硝基苯酚的活...     

锆钛酸钡钙的结构与铁电光学性能研究

通过溶胶凝胶法,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底和ITO导电玻璃衬底上分别制备了BaTiO3(BTO)、(Ba0.85Ca0.15)TiO3(BCT)、Ba(Ti0.8Zr0.2)O3(BZT)和(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.8Zr0.2)O3(BCZT)薄膜.X射线衍射结果表示,Ca、Zr元素成功掺入钛酸钡薄膜,并且造成了衍射峰的移动,对薄膜的铁电性能有较大的提升.同时用积分球光谱仪测试了薄膜的吸收光谱,通过计算得到薄膜的禁带宽度.结果 表明锆钛酸钡钙薄膜具有较小的光学带隙为3.1 eV.