晶界应力对BaTiO_3基无铅PTC热敏电阻居里温度的影响

采用固相法制备了掺杂(K0.5Bi0.5)TiO3(KBT)的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料(K0.5Bi0.5)xBa(1–x)TiO3。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电阻-温度测试对材料的微观组织和热敏特性进行了表征,研究了晶界处应力对所制陶瓷材料居里温度(tC)的影响,发现通过构建更多的氧八面体结构来减小晶界应力有助于提高居里温度,并制出了居里温度为137℃的无铅PTC元件。     

脉冲激光溅射沉积制备La0.67Ba0.33MnO3薄膜的应变效应研究

采用脉冲激光溅射沉积技术在LaAlO3(001)衬底上制备了一系列不同厚度(40～240 nm)的La0.67Ba0.33MnO3薄膜。通过控制薄膜的厚度，获得了不同应变态的La0.67Ba0.33MnO3薄膜。根据X射线衍射(XRD)数据详细分析了薄膜厚度变化对c轴晶格常数的影响。采用标准的直流四探针法和超导量子干涉仪分别测量了薄膜的电阻温度特性和磁化强度温度特性。研究发现，La0.67Ba0.33MnO3薄膜的居里温度和金属绝缘态转变温度随压缩应变的增大而减小，即压缩应变抑制了La0.67Ba0.33MnO3薄膜的铁磁性，降低了居里温度。这一结果与以往压缩应变增强铁磁性并提高居里温度的结论相异，不能利用Millis的应变理论模型进行定性解释。利用超巨磁电阻(CMR)薄膜材料的应变效应对eg轨道稳定性的影响对La0.67Ba0.33MnO3薄膜的异常磁电输运效应进行了解释。     

一种二阶补偿的低压CMOS带隙基准电压源

设计了一种利用不同材料电阻的比值随温度变化的特性进行二阶补偿的低压带隙基准电压源。通过温度补偿电阻进行电平平移,提高运放的共模输入范围,以降低运放对电源电压的限制。仿真结果表明,该电路输出电压为1.165 V,在-40~125℃范围内,温度系数为4.5 ppm/℃,电源抑制比达到60.6 dB。电路工作在1.5 V的电源电压下,最大消耗15μA电源电流。     

自燃烧合成(Sr,Pb)TiO_3及其阻-温特性

用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb) Ti O3的居里温度及 Y掺杂陶瓷阻 -温特性。结果表明 ,(Sr,Pb) Ti O3的居里温度较理论计算值稍有偏移。典型陶瓷样品的电阻升阻比为 4.2 ,V型特性明显。Y掺杂陶瓷样品的电阻率与 Y掺杂量之间关系符合一般稀土掺杂规律。     

Pt/YSZ泵氧电极响应特性研究

以钇稳定氧化锆(简称YSZ)为固体电解质,Pt/YSZ为电极材料,制备了NOx传感器。采用计时电流法(chronoamperometry)和电化学阻抗法(EIS)研究了Pt/YSZ泵氧电极对O2和NO的响应特性。结果表明,氧气浓度基本不影响电极活化能,在相同测试温度下,随着氧气浓度的增加,泵电流呈直线增加,界面电阻降低;氧气浓度一定时,泵电流与测试温度呈指数关系。特定测试温度下,随着NO浓度增加,泵电流呈指数增长趋势,而界面电阻逐步降低。     

影响半导体钛酸钡PTCR效应的因素

<正> 一、引言 大家知道,在作为强电介质的钛酸钡中添加了微量的稀土元素或者三氧化二锑、三氧化二钇、五氧化二铌等而半导体化了的钛酸钡陶瓷,在其居里点(约120℃)以上,显示出异常的正电阻温度系数(PTCR)。这种PTCR材料因具有的特殊的电阻一温度系数、电流一电压、电流一时间等特性,所以被用来制作定温度发热体、温度检测、延迟元件等。半导体化钛酸钡现巳成为一种重要的电子陶瓷材料。     

MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响

以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性.结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO) =5％时,小电流电阻率为178 Ω·cm,电阻温度系数为－1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化.     

视频显示技术（六）

控制放电电流的方法一般有两种，即DC(直流)法和AC(交流)法。DC法是在显示单元外部连接一个电阻，由此来控制放电电流。而AC法是在显示单元内部利用电容来控制电流。在这两种方法中，AC法的应用较为广泛，这是因为它具有记忆特性，可用来控制显示的亮度。在采用AC法的PDP结构中，在电极上还覆盖有一层绝缘体材料，这     

一种低工艺偏差的低功耗基准电流源

基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源。利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺偏差下较稳定的特性,获得了在不同工艺角下具有良好温度特性的基准电流,减小了工艺偏差对基准电流温度系数的影响。采用0.18 μm CMOS工艺对电路进行设计与仿真。结果表明,该基准电流源的工作电压范围为1.1~4.0 V。在1.2 V电源电压下,基准电流为23.06 nA。在-40 ℃~85 ℃范围内,温度系数为9×10-⁵/℃,功耗为50 nW,离散系数(σ/μ)为±3.4%。     

温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻

研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30mV/℃,常温下也可达到23mV/℃左右。同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。     

一种高精度自偏置共源共栅的CMOS带隙基准源

介绍了一种高精度的CMOS带隙参考电路(BGR),它采用自偏置共源共栅电流镜,不需要运放.通过在传统共源共栅结构中加入一简单的反馈晶体管和几个电阻,分别构成了电源抑制和曲率补偿电路.用Spectre工具和0.35μm CMOS模型进行了仿真,结果表明电源抑制和温度特性均得到明显改善.直流时的电源抑制比(PSRR)为93dB,-40~ 125℃温度范围内的温度系数为7ppm/℃.     

基本电子电路

TN7 2007010969一种新的CMOS带隙基准电压源设计/徐静平,熊剑波,陈卫兵(华中科技大学电子科学与技术系)//华中科技大学学报(自然科学版).―2006,34(2).―36～38.设计了一种新的CMOS带隙基准电压源。通过采用差异电阻间温度系数的不同进行曲率补偿,利用运算放大器进行内部负反馈,设计出结构简单、低温漂、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源。仿真结果表明,在VDD=2V时。电路具有4.5×10-6V/℃的温度特性和57dB的直流电源抑制比,整个电路消耗电源电流仅为13μA。图3表1参4     

基于ARM7的炭黑复合导电材料的电阻-温度测量系统

以研究炭黑复合材料的特性为目的,设计了一种炭黑复合导电材料的电阻一温度测量系统。简要介绍了炭黑复合材料用途,分析了系统的组成和原理,给出实验数据。该系统以ARM7内核的LPC2124微处理器为主控制器,实时监测电源电压,实现对温度准确控制,同时测量炭黑复合材料的电阻和温度的变化,经阻值和温度校准后,显示被测材料的电阻和温度值并提供一个友好的用户界面。实验结果表明,该系统具有较高的测量准确度。     

多铁性材料BiFeO3的掺杂改性研究进展

同时具有铁电、铁磁、铁弹特性的多铁性材料在功能器件中具有潜在的应用前景。BiFeO3是唯一居里温度和尼尔温度均在室温以上的多铁性材料。综述了多铁性材料BiFeO3的结构、制备、掺杂改性研究进展,指出了BiFeO3材料存在的问题,提出了BiFeO3材料今后可能的研究方向。     

一种低温漂低电源电压调整率的基准电流源

利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35 μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40 ℃~100 ℃的温度范围内,电流变化为2.4 nA,温度系数为7.49×10-6/℃;在3.0~5.5 V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096 nA/V;在5 V工作电压下,输出基准电流为2.301 μA,电路功耗为0.08 mW,低频时电源电压抑制比为-57.47 dB。     

高端双向电流并联监测芯片INA170

1主要特点INA170是美国德州仪器公司生产的高端双向电流监视器单片IC。该器件具有宽输入共模电压范围和低静态电流特性 ,并可利用输出偏移完成双向电流检测。其偏移电压电平由外部一只电阻和电压参考设定。当INA170单电源供电工作时 ,允许双向电流测量。INA170可将差动输入电压变换成一个电流输出 ,输出电流在负载电阻上产生的一个电压降 ,可在1到100的范围设置任意一个增益。IN A170的主要特点如下 :●具有较宽的电源电压范围 : 2.7～ 40V ;●具有 2.7～ 60V的、与电源电压独立的宽输入共模电压范围 ;●增益(1～100)可由电阻编程…     

高电源抑制比带隙基准电压源的设计

提出一种采用0.25 μm CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计.设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并且实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿.使用Hspice对其进行仿真,在中芯国际标准0.25 μm CMOS工艺下,当温度变化范围在-25～125℃和电源电压变化范围为4.5～5.5 V时,输出基准电压具有9.3×10-6 V/℃的温度特性,Vref摆动小于0.12 mV,在低频时具有85 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),整个电路消耗电源电流仅为20μA.     

平面型2.6μm InGaAs 红外探测器变温特性研究

通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R     

高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源

在0.18 μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在0.9~3 V变化时,该电压源均可正常工作,输出电压约为558 mV。1.2 V电源电压下,在－55 ℃~100 ℃温度范围内,该电压源的温度系数为2.3×10-5/℃,低频电源抑制比为－81 dB,总功耗约为127 nW。     

一种新的V_T基准源

从理论上分析了适合于纯CMOS工艺的VT基准电流源的温度特性,用该电路同时实现基准 电压和基准电流。并用0．18μm纯CMOS工艺模型(BSIM 3V3 Level=49)在Hspice U2003．9中 进行了仿真验证。该电路具有较小的面积、较高的电源电压抑制比和较低的温度系数。