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相似文献
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1.
本文用 X 射线径向分布函数、电镜观察、X 射线电子能谱和 X 射线衍射图谱较系统地研究了纳米 Si_3N_4固体。结果表明,纳米非晶 Si_3N_4在25—1300℃热处理后颗粒没有明显长大,界面组分仍然占有相当大的比例,保持纳米非晶态基本特征、界面为一种新型短程序,Si—N 键配位严重不足,Si 悬键较多。纳米 Si_3N_4键结构不是典型的共价键。高于400℃退火,氧化明显,试样表面有 SiO_2生成。  相似文献   

2.
Si3N4/SiC纳米复合陶瓷的制备,结构和性能   总被引:6,自引:0,他引:6  
李金望  田杰谟 《功能材料》1998,29(5):452-457
Si3N4/SiCU纳米复合陶瓷是近年发展起来的高温高温度结构材料,它通过纳米SiC颗粒在Si3N4基体中的弥散达到强化增韧的效果。研究表明,这种增韧方法所获得的室温和高温机械性能均远远高于其它的增韧方法。本文综述了Si3N4/SiC纳米复合陶瓷在制备、结构和性能方面的研究成果,指出了尚待解决的问题和今后的研究方向。  相似文献   

3.
Si3N4—TiC复合材料的微观结构和化学反应   总被引:1,自引:0,他引:1  
在1800℃温度和Ar,N2气氛下热压试样中,研究了TiC加入Si3N4中对TiC-Si3N4体系的微观结构和中间相化学反应的影响。根据热力学方法,估算出TiC1-xNx固溶体的组成,并以氰化钛作为一种理想的固溶体。这个估算值(x=0.7)略高于通过测定晶格参数和根据Vegard定律而计算出的值(x=0.67)。样品在N2气中热压后可观察到4个区别明显的相区,它们是β-Si3N4、TiC和氰化钛固  相似文献   

4.
助烧剂对热压Si3N4基陶瓷组织结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用XRD,SEM,TEM分析了用Y2O3+Al2O3及Y2O3+AlN做助烧剂的两种热压Si3N4基陶瓷的组织结构,用EDXA分析了Si,Al,Y等元素的含量。结果表明,两种Si3N4都是由长柱状β相组成;  相似文献   

5.
纳米SiC—Si3N4复合粉体的制备及研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文以炭黑和气凝氧化硅为原料,采用碳热还原氮化的方法制备纳米SiC-Si3N4复合粉体;复合粉中SiC的含量由起始粉中C:SiO2的摩尔比控制。在复合粉体的表征中用XRD线宽法测量SiC粒径大小。TEM照片显示Si3N4粒径在100 ̄200nm;SiC为纳米级。文中还对生成复合粉体的反应机理进行了探讨。同时利用这一工艺制备出单相的Si3N4粉和SiC粉。  相似文献   

6.
采用激光诱导有机硅烷气合成的纳米非晶Si/N/C粉为原料,在1600℃,101.3kPaN2气下,在石墨感应炉中原位制备出α-Si3N4晶须,其直径为0.1-0.5μm,长可达几毫米,纯度较高,无过剩碳及金属杂质。  相似文献   

7.
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9.
提高Si3N4抗氧化性能的陶瓷涂层   总被引:1,自引:0,他引:1  
张其土 《材料保护》1997,30(6):22-24
采用Sol-Gel法在热压Si3N4表面涂上一层SiO2涂层,用X光电子能谱(XPS)检测了涂覆SiO2后Si3N4表面的组成,结果表明,在Si3N4表面有SiO2涂层存在,经涂覆 热压Si3N4在130℃氧化100h后,氧化增重从未涂覆的0.42mg/cm^2降到0.28mg/cm^2。  相似文献   

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11.
自韧Si3N4陶瓷的显微结构及其性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用热压的方法制得室温断裂韧性和抗弯强度分别为11.2MPa·m ̄(1/2)、823MPa,高温(1350℃)断裂韧性和抗弯强度分别为23.9MPa·m ̄(1/2)、630MPa的自韧Si_3N_4陶瓷。研究了显微结构和力学性能之间的关系。结果表明:玻璃相的含量、β-Si_3N_4的长径比等对性能有重要影响。分析了自韧Si_3N_4陶瓷的增韧机理,通过SEM明显观察到Si_3N_4中存在裂纹偏转、分支和β-Si_3N_4拔出现象。  相似文献   

12.
纳米非晶Si3N4粉的晶化及粒子长大行为研究   总被引:7,自引:1,他引:6  
  相似文献   

13.
陈森凤  高勇 《材料导报》2000,(Z10):222-223
研究第二相粒子Ti(C0.3N0.7)的引入对氮化硅陶瓷材料力学性能的影响。结果表明,在Si3N基体中添加Ti(C0.3N0.7)粒子能起到增韧补强的作用。  相似文献   

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16.
Si3N4/SiC纳米复合陶瓷的微观结构   总被引:5,自引:0,他引:5  
利用JEM2000EXⅡ高分辨电镜和HF2000冷场发射枪透射电镜对Si3N4SiC纳米笔合陶瓷材料的微观组织,结构和成分进行了研究。结果表明,SiC颗粒弥散分布基体相β-Si3N4晶内和晶界,晶内SiC颗粒与基体相的界面结构有三种类型;1)直接结合的的界面;2)完全非晶态的界面;3)混合型的界面,晶间SiC颗粒与基体相的界面大部分是直接结合的。  相似文献   

17.
18.
以TiSi2-SiC—N2体系反应制备Si3N4-TiN—SiC复相陶瓷材料进行理论分析和理论计算,通过对TiSi2-SiC—N2体系的DSC试验和XRD检测来研究TiSi2与N2的反应温度区间。结果表明:TiSi2和N2在2000K以下在热力学上可以发生反应,而TiSi2不分解;DSC结果发现在1105℃以上TiSi2与N2开始反应。  相似文献   

19.
邹红  邹从沛 《材料导报》1999,13(2):66-68
通过添加TiN改善Si3N4陶瓷的加工性,结果表明,添加TiN含量达30wt%,可实现电火花切割加工。  相似文献   

20.
熔盐热析出反应金属化Si3N4与Si3N4的连接   总被引:1,自引:0,他引:1  
在采用熔盐热析出反应在Si3N4陶瓷表面沉积钛金属膜的基础上,对CuAg合金在金属化表面的润湿性进行了研究,结果表明,CuAg合金能对采用该方法金属化的Si3N4陶瓷实现良好润湿.在此基础上,成功实现了钛金属化Si3N4陶瓷与Si3N4陶瓷的连接并对连接工艺进行了系统研究.连接界面的TEM研究发现,界面上广泛存在Ti-Cu-Si-N相并对这种相对连接强度的影响进行了讨论.  相似文献   

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