两种凝胶-溶胶前驱体制备钡铁氧体的研究

应用sol-gel技术制备钡铁氧体,分别研究了以柠檬酸和硬脂酸作为前驱体的两种不同的制备工艺A、B。研究结果表明,两种工艺均可制得单相BaFe12O19(简称BaM)。由工艺B得到产物晶粒度为15～40nm,其比饱和磁化强度Ms=61.74Am2/kg,矫顽力Hc=389.4kA/m;由工艺A得到产物晶粒度为30～80nm,其比饱和磁化强度Ms=60.61Am2/kg,矫顽力Hc=382.7kA/m,但工艺A得到的产物晶体结晶更完善。     

退火工艺对Fe91.63B1.27Si7.09非晶带材软磁性能的影响

针对采用单辊甩带法制备的Fe_(91.63)B_(1.27)Si_(7.09)非晶合金带材,在不同温度下进行退火处理,利用X射线衍射仪(XRD)、热分析仪(DTA)、振动样品磁力计(SEM)、差示扫描量热法(DSC)对退火后的非晶特性及其软磁性能进行研究。结果表明:Fe_(91.63)B_(1.27)Si_(7.09)非晶带材具有很好的软磁性能,其饱和磁化强度可以达到74.37 k A/m,矫顽力达到12.04 A/m,带材样品在495.17℃开始晶化,剩余磁化强度Mr、矫顽力Hc增大;当温度升高到717.67℃时,非晶带材完全晶化,剩余磁化强度Mr、矫顽力Hc数倍于非晶态带材。XRD实验结果表明,退火温度达到700℃时,合金中出现Si4Cu15析出相。     

Ar~+混合诱发非晶Fe/Y多层膜的相变

由双源真空镀膜机制备了Ｆｅ／Ｙ 多层膜，在室温下用１００ｋＶ 的Ａｒ＋ 注入多层膜，通过Ｘ射线衍射方法研究了Ａｒ＋ 混合引起的多层膜相变。结果表明：经２×１０１６／ｃｍ ２ 以上剂量Ａｒ＋ 注入后，沉积态为非晶的Ｆｅ／Ｙ 膜发生了晶化，该现象可认为是离子束退火效应     

磁退火对FeAg薄膜结构和磁性的影响

磁场退火对直流溅射沉积得到的FeAg薄膜结构和磁性具有显著的影响。X射线衍射和磁滞回线测量的结果表明,随着磁退火温度和磁场强度的升高,颗粒生长,平行膜面和垂直膜面矫顽力增加,在400℃退火时达到最大值,并且垂直薄膜表面方向的矫顽力大于平行薄膜表面方向的矫顽力,FeAg薄膜在磁场下经过此温度退火表现为垂直磁各向异性。继续升高退火温度矫顽力则有减小的趋势。     

用Sol-gel法制备NiCoZn铁氧体/SiO_2纳米复合材料的结构与磁性

以正硅酸乙酯和硝酸盐为原料利用溶胶-凝胶法制备Ni0.25Co0.25Zn0.5Fe2O4/SiO2纳米复合材料。用TG-DTA分析热处理过程中干凝胶的质量变化。用XRD、TEM和VSM分析样品的结构、晶粒尺寸和磁性。结果表明:随热处理温度的升高,NiCoZn铁氧体的晶粒尺寸、比饱和磁化强度和磁场强度逐渐增大;1100℃热处理后,样品中Ni0.25Co0.25Zn0.5Fe2O4平均晶粒尺寸为62nm,比饱和磁化强度σs为53Am2/kg,磁场强度Hc为8.04kA/m。     

甲烷压强对类金刚石薄膜结构与性能的影响

以氩气、氩气-甲烷为辅助气体,高纯石墨为靶材,采用脉冲非平衡磁控溅射技术制备了无定形碳膜(a—C)及氢化无定形碳膜(a—C∶H)。利用台阶仪、傅里叶红外光谱、Raman光谱、纳米压痕测试仪、椭偏仪对所制备类金刚石膜的沉积速率、结构、力学性能、折射率随甲烷气体含量的变化进行表征。结果表明:甲烷压强对类金刚石膜的结构与性能具有较大影响;类金刚石膜的沉积速率和键合氢的含量随着甲烷压强的增加而增加,但是薄膜中的sp3杂化碳的含量随着甲烷压强的增加而减小;类金刚石膜的纳米硬度和折射率均随甲烷压强的增加而减小。     

基于等效磁化强度法的一种电磁式角振动台气隙磁场分析方法

针对有限元法求解气隙磁场的磁路几何模型占用内存空间多和计算时间长等问题,提出一种基于等效磁化强度法求解电磁式角振动台气隙磁场分析方法。基于等效磁化强度法建立矢量磁位的微分方程组,得到包含磁路几何参数的磁感应强度解析表达式;与有限元法计算结果对比,验证等效磁化强度法的正确性;采用等效磁化强度法对磁路参数进行优化。分析结果表明：当气隙厚度保持不变时,随着永磁体扇形角的增加,气隙中有效均匀磁感应强度的区域变宽,而随永磁体厚度的增加,气隙磁感应强度将增强;当永磁体扇形角和厚度保持不变时,磁感应强度随气隙厚度的增加而减小。该方法可以快速分析磁路结构参数变化对气隙磁感应强度的影响程度,为优化设计电磁式角振动台磁路结构提供理论参考。     

NiTi形状记忆合金表面氧化膜的成分和结构

用AES和XPS研究了NiTi合金表面氧化膜的成分和结构.结果表明,NiTi合金表面主要元素有C、O、Ti、Ni等;氧化膜的最外层由TiO2和TiO及少量的Ni组成,TiO和TiO2的相对含量分别为 30.32%,69.68%;表面氧化膜下存在一层富Ni层.随表面距离的增加,TiO2和TiO的含量逐渐减少,Ti的含量增加,而Ni一直没有价态的变化.     

电弧源掺入Al、B离子改性TiN涂层性能的研究

采用AlB12+2%AlB10电弧靶与Ti靶中频磁控溅射共沉积的工艺,在高速钢基体上形成Ti-Al-B-N多元复合涂层。电子扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析结果表明:涂层由TiN的柱状结构转变为TiA1BN的多层混合结构,组织更为致密均匀;通过调节电弧电流,增加Al、B元素剂量,涂层晶面取向生长增多,并逐渐出现新相。涂层的显微硬度和耐磨性测试表明,随膜层中Al、B成分的增加,膜层维氏硬度增大,耐磨性能提高。     

RF溅射Ta－10W合金薄膜性能与沉积参数的关系

利用ＲＦ溅射技术在ＰＣｒＮｉ２ＭｏＶＡ基上沉积Ｔａ－１０Ｗ合金薄膜，利用扫描电镜等分析手段研究了薄膜的沉积速率、断口的组织形貌与沉积参数之间的关系。结果表明，沉积速率随功率的增加而线性增加，随Ａｒ气压强的增加呈非线性增加，基底无论加正偏压还是加负偏压都使沉积速率下降。薄膜的组织形貌随Ａｒ气压强的增加由纤维组织变为粗大锥状晶。气压越高，组织越粗大，孔洞尺寸也越大。基底加偏压使组织细化。     

Ar~+及沉积气压对离子溅射制备铜钨复合膜结构的影响

研究双离子束溅射组装铜钨复合膜Ar+能量及束流对膜影响。用XRD分析溅射沉积后的薄膜结构。实验结果表明,随靶Ar+能量和束流增加,铜钨膜向晶态化转变。铜钨复合膜的沉积速率主要由钨靶Ar+束流决定,并且增加气压会使复合膜晶粒尺寸变小,固溶进钨的铜原子也会相应减少。     

镍离子注入剂量对氧化铝陶瓷焊接性能影响研究

研究了镍离子注入剂量对陶瓷焊接性能的影响 ,结果表明 :镍离子注入可以明显改善陶瓷的焊接性能。且注入剂量不同 ,其焊缝的剪切强度存在着较大差异。注入剂量适中 ,其剪切强度较高     

循环氩离子轰击-等离子体增强化学气相沉积 TiN 膜组织与性能研究

分析对比了常规ＰＥＣＶＤＴｉＮ膜与循环氩离子轰击－ＰＥＣＶＤＴｉＮ膜组织与性能的差异。结果表明，循环氩离子轰击－ＰＥＣＶＤＴｉＮ膜较之常规ＰＥＣＶＤＴｉＮ膜，其组织细小致密，膜内残余氯含量显著降低，膜的硬度与耐磨性提高，但膜－基体结合强度没有显著改变。     

不同轰击能量下CrN硬质薄膜的生长方式和择优取向变化

用闭合场非平衡磁控溅射离子镀(CFUBMIP)系统沉积制备CrN硬质薄膜,通过调节偏压改变薄膜沉积过程中离子轰击能量。采用XRD分析薄膜的相结构,结合SEM和AFM对薄膜表面形貌和截面结构的观察,探讨离子轰击能量对CrN硬质薄膜生长方式以及取向的影响规律。结果表明,随着偏压从-60 V增大到-90 V,薄膜始终由CrN单相组成,且均呈柱状生长,但生长择优取向从(200)向(111)转变。偏压的变化主要通过改变离子轰击能量影响薄膜的生长机制,低偏压时以表面能主导,因此呈(200)择优取向生长,而高偏压时以应变诱导生长机制为主,呈(111)择优取向生长。     

基于Java的嵌入式网络视频服务器

嵌入式网络视频监控设备的开发,采用以S3C2410为核心的开发板,通过扩展其外围接口,结合JavaApplet和Web浏览器实现.系统外接存储设备包括2片32M的SDRAM、64M的NAND Flash和2M的NOR Flash.外围接口包括串行口、JTAG调试接口和USB接口.USB接口连接摄像头,负责视频数据的采集.该服务器通过底层驱动、流媒体服务进程、及Java Applet的应用完成程序的运行.     

可用度约束条件下装备健康管理信息测试周期优化研究

针对传统测试周期设计没有考虑装备健康状态和可用度约束对周期决策影响的问题,研究了面向装备健康管理的测试周期优化模型。在装备健康状态退化模型基础上,提出了控制限维修策略。基于此,建立了以更新周期内费用率最小为优化目标,以装备使用可用度为约束条件,以测试周期为决策变量的非线性权衡优化模型。基于更新过程实现了测试周期优化设计。仿真结果表明,所提模型能有效指导贮存模式装备测试周期优化设计,具有一定的工程应用价值。     

载荷对含Cr碳膜摩擦磨损性能影响研究

用闭合场非平衡磁控溅射技术制备了高硬度含Cr碳膜。分别用压入法和划痕法测定了薄膜的结合强度。薄膜厚度用球坑法表征。用显微硬度计测定了薄膜的努氏硬度。在不同载荷条件下,用Ball-on-disc球盘磨损试验机研究了薄膜的摩擦系数、比磨损率的变化规律。分析讨论了载荷对含Cr碳膜摩擦磨损性能的影响。结果发现：随着载荷的提高,对磨钢球时薄膜的摩擦系数呈下降趋势．对磨损轨迹和对磨球磨损表面的扫描电镜（SEM）观察发现存在转移膜现象。对磨球磨损表面的EDX分析结果进一步证明了转移膜的存在。文中还对含Cr碳膜磨损机理进行了分析和讨论。用闭合场非平衡磁控溅射技术制备了高硬度含Cr碳膜。分别用压入法和划痕法测定了薄膜的结合强度。薄膜厚度用球坑法表征。用显微硬度计测定了薄膜的努氏硬度。在不同载荷条件下,用Ball-on-disc球盘磨损试验机研究了薄膜的摩擦系数、比磨损率的变化规律。分析讨论了载荷对含Cr碳膜摩擦磨损性能的影响。结果发现：随着载荷的提高,对磨钢球时薄膜的摩擦系数呈下降趋势．对磨损轨迹和对磨球磨损表面的扫描电镜（SEM）观察发现存在转移膜现象。对磨球磨损表面的EDX分析结果进一步证明了转移膜的存在。文中还对含Cr碳膜磨损机理进行了分析和讨论。     

SAE8620H钢奥氏体连续冷却转变曲线

采用Formastor-digital全自动相变测量仪,测定SAE8620H钢的临界点Ac1,Ac3,Ar3,Ar1以及不同冷却速度下连续冷却时的膨胀曲线,研究冷却速度对组织及硬度的影响。结果表明:当冷却速度为50℃/h,转变产物为先共析铁素体、珠光体和少量的3次渗碳体;当冷速为3 200℃/h时,转变产物为先共析铁素体、珠光体组织和贝氏体组织;冷速为120~600℃/min时,转变产物基本上是贝氏体组织;临界淬火冷却速度大于60℃/s可得到完全马氏体组织。     

热光伏系统中透明导电氧化物滤波器的优化分析

建立了透明导电氧化物(TCOs)滤波器的理论模型,分析了载流子浓度和迁移率对其光学性能的影响。计算了TCOs滤波器应用于以GaSb电池为转换器的热光伏(TPV)系统的最佳载流子浓度和薄膜厚度,最后讨论了石英玻璃衬底厚度的影响。得出以下结论：辐射器温度为1400～1600 K时,匹配Al2 03/Er3Al5 012熔融陶瓷选择性辐射器的TCOs滤波器的最优载流子浓度、薄膜厚度区间分别为(4.3～4.4)×1020 cm -3、389～399 nm,而匹配SiC灰体辐射器的则为(4.4～4.6)×1020 cm -3、382～383 nm;石英玻璃衬底的厚度对TCOs滤波器性能的影响很小,可以忽略。辐射器温度为1500 K时,Al203lEr3Al5012选择性辐射器／TCOs滤波器／GaSb电池的TPV系统输出电功率密度为0.38 W／cm2,光谱效率和TPV效率分别为56.6%和16.7%．