热壁低压化学汽相沉积设备的使用与维修

文章就热壁低压化学汽相沉积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障见象及维修谈一点体会。     

热壁LPCVD系统的使用与维护

热壁LPCVD制备二氧化硅、氮化硅时系统所产生的SiO_2粉尘、氯化铵粉末以及排出的废气对系统中使用的真空泵将产生有害的影响。本文介绍了热壁LPCVD多晶硅膜时操作步骤、工艺参数的选择和操作中应注意的安全问题等。并讨论了LPCVD法制备氮化硅膜时,所用气体SiHCl_3的优缺点以及LPCVD系统中真空泵的防护措施。     

热壁 LPCVD 氮化硅薄膜的制备及其应用

论述了热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备氮化硅薄膜的工艺过程。对氮化硅薄膜进行测试分析，用它作介质膜、钝化膜，并作出了多种性能良好的光电器件。     

热壁LPCVD多晶硅膜的质量分析

对就热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅的基本原理、典型淀积条件、掺杂、均匀性，引起多晶硅膜层表面“发乌”、“发雾”的原因和提高多晶硅膜质量的工艺措施作了分析和研究。     

热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修

文章就热壁低压化学汽相淀积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障现象及维修谈一点体会。     

热壁LPCVD多晶硅薄膜的制备及其应用

论述了热壁低压化学汽相渡积（ＬＰＣＶＤ）制备多晶硅薄膜的淀积变量，是影响膜层质量的因素。其次简述了热壁ＬＰＣＶＤ薄膜在硅ＣＣＤ多路传输器和硅ＣＣＤ多路开关组件等红外信号处理器件研制中的应用。     

热壁LPCVD设备TEOS工艺炉管的使用与维护

通过介绍热壁LPCVD的TEOS工艺淀积SiO2薄膜的原理,分析了在淀积薄膜的过程中经常遇到的薄膜均匀性等方面的问题。重点分析了硅片中心与石英管轴心所处的相对位置对片内薄膜均匀性的影响关系、石英舟的位置以及恒温区的温度控制对片间均匀性的影响关系,并详细地分析、给出了具体的调整方法。对于该工艺炉管在实际的使用过程中经常遇到的一些故障现象,分析了产生故障的原因并提出了解决方法。最后对TEOS工艺炉管在日常使用过程中的保养和维护给出了一些建议。     

卧式热壁型PECVD设备

1、简介我公司研制的卧式PECVD设备专门应用于太阳能电池制造领域中氮化硅薄膜的淀积工艺。由于PECVD淀积氮化硅膜时,在生长氮化硅膜作为减反射膜的同时生成了大量的原子氢,这些氢原子不但具有表面钝化作用,同时可以很好的钝化硅中的位错、表面悬挂键,从而提高硅片中载流子迁移率,具有     

修订GB12560的几个技术问题

论述了在修订GB12560时所涉及的有关结构相似性、小批量抽样等技术问题 ,指出差别所在并进行利弊分析 ,可供研究和执行该标准时参考。     

热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析

主要介绍热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）多晶硅薄膜时，系统、温度和氧沾污对膜层质量的影响。     

电子元器件破坏性物理分析中几个问题的探讨

通过对电子元器件破坏性物理分析(DPA)试验中发现的混合电路中塑封器件检查、X射线检查密封宽度判据、剪切强度判据和半导体二极管芯片目检等问题进行分析、探讨,加强对DPA试验评价电子元器件固有可靠性机理的认识,以实现恰当、灵活运用标准开展DPA工作。     

光电设备施工中应注意的几个问题

光电设备施工中应注意的几个问题山东省邮电管理局尹春伦在光电设备施工中，有几个问题常常被忽视，为开通后设备的正常运行留下了隐患，给维护人员增添不必要的麻烦。一、设备的保护接地施工中常会发现许多局的机房设备没有专门保护地线。部分人错误地认为设备的保护地就...     

热壁低压化学汽相淀积的安全性探讨

对于热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)技术,安全性是不可缺少的一个重要方面。本文就热壁LPCVD技术中常用气体的化学性质和物理方法进行说明。只要操作人员充分理解其气体在使用过程中的危险性,并采取适当措施,LPCVD技术才是安全的。     

几种制备非晶硅膜的CVD新技术

在介绍光—ＣＶＤ制备非晶硅膜的同时，简要介绍国外近几年报导的电子回旋共振微波等离子体低温ＣＶＤ（简称ＭＰＣＶＤ）、ＣＬＴ—ＣＶＤ、均质ＣＶＤ等技术制备非晶硅膜的状况及设备市场     

列阵半导体激光器中热相互作用及改进技术的研究

从半导体激光器产生的热量在热沉中的扩散入手 ,对列阵单元器件间的热相互作用进行了分析 ,提出了该过程是通过热流的扩散而发生作用的观点。通过这一分析获得了确定列阵器件中单元器件间距的理论依据。对二维列阵中上、下层器件的热相互影响以及脉冲工作的占空比进行了讨论 ,并将结果应用到 1.55μm半导体激光列阵器件中。采用漏光波导结构的单元器件 ,实现了二维 2× 2 ,2× 4两种列阵 ,其脉冲输出峰值功率分别达到 7W和 11W。     

MOSFET中热载流子效应的计算、实验和模拟

亚微米 MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效 ,文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型 ,对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算 ;使用知名的集成电路器件模拟软件 ATL AS模拟了该效应 ;并对实际 MOSFET作了 I- V特性曲线和跨导变化量随偏压时间变化的实验测试。理论分析、实验结果与模拟结果都符合得很好。为改善MOSFET热载流子效应而提出的 GOL D结构也获得很好的模拟结果。     

光电经纬仪引导测试中几个问题探讨

提出快速度、短时间目标的多台光电经纬仪的引导测试方法,对引导测试的关键问题进行了分析、讨论,使之成为目标轨迹跟踪测量的有效方法。     

半导体激光空间通信几个问题的探讨

文章简要介绍了光空间通信三种典型的通信系统结构，并对调制／解调技术，大功率光发射机和光学光线设计进行了讨论。