应用半导体工艺的波导型光器件

一、平面光波回路(PLC) 为了适应这种急速的信息增长,在干线传输系统中,采用一根光纤复用传输相近而不同波长光信号的WDM(波分复用)方法,从而得到通信的大容量化。还有在FTTH(光纤到家)的终端电信局与用户住宅之间利用光     

Ⅱ族氧化物半导体光电子器件基础研究启动

据《科学时报》2011年1月28日报道,近日,"973"计划项目"Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究"启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将     

半导体光电子器件的应用

半导体光电子器件大致分为两类:一类是将电能转变为光能的发光器件;一类是把光能转变为电能的光敏元器件.这些光电器件在工业自动控制、家用电器、少年科技模型和儿童玩具、现代通讯技术、报警以及医学和农业等诸方面均有极其广泛的应用.本文在简述光电器件工作原理的基础上,着重介绍其报警方面的应用实例.光电元器件的工作原理发光器件主要有发光二极管、发光三极管和半导体激光器件等.这些器件都是将电讯号转变成光讯号的器件,它们的基本结构是pn结,如图1所示.发光方式有多种,但用得最多的是利用pn结正向注入的少子,通过直接或间接复合而产生光的辐射,对于直接跃迁的半导体,辐射光的波长由材料的禁带宽度确定,其关系式为     

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况，叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。     

SOI集成光电子器件

Silicon-on-insula tor(SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容,采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路。文章回顾了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展。     

新型半导体面发光激光器

半导体激光器从光纤通信用的光源到CD、DVD、激光打印机等的光源被广泛应用。实际上这种被广泛应用的半导体激光器是“侧面发光型”的激光器。它是从半导体晶片的劈开面射出光束的激光器,光束截面呈椭圆形,在应用中有时需要采用光学系统。另一方面,最近人们开发了一种叫作“面发光激光器”的新型半导体激光器,在光数据链路等领域,作为光源正处于实用化阶段。它将在信息处理和新型激光打印机等领域得到广泛应用。     

半导体超晶格材料和光电子器件的研究和发展

半导体超晶格材料和以这些材料为基础的光电子器件是半导体科学和技术的一个新生长点。 超晶格材料是新一代半导体材料,它为新一代光电子器件奠定了基础。而这些新一代光电子器件正是廿一世纪光电子产业的核心。 半导体超晶格材料的研究和发展,把半导体光电子器件的研究和发展推进到一个崭新的阶段。可以预言,正如廿世纪是电子产业的时代一样,廿一世纪必定是光电子产业的时代。     

泵浦用大功率半导体激光器研制与应用发展状况

详尽地介绍了当前可以使用半导体泵浦的固体激光器泵浦要求，相应的半导体泵浦源的发展状况，存在的问题，最后介绍了列阵和耦合两种提高半导体泵浦源功率，改善其光束质量的方法。     

石墨烯在半导体光电器件中的应用

基于石墨烯透明、软性、能带结构连续可调、电子迁移率高等一系列优点,着眼于石墨烯与其他半导体光电功能材料的复合,对石墨烯在有机和无机发光二极管、太阳能电池、纳米发电机等方面的应用和研究进展进行了介绍.     

多孔硅(PS)及其光电器件研究进展

综述了近几年来人们对多孔硅材料的研究及其其于硅基光电器件制造方面的进展。 ‘     

高效率高亮度半导体激光器技术进展

半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用,近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展.综述了提高功率转换效率的技术方法和途径,指出经过工艺优化后焦耳热和阈值热将是未来激光器的主要研究内容,介绍了波长稳定的激光器的两种制作方法,即外光栅法和内光栅法,激光器的波长稳定性达到0.1 nm/K以下.在外延材料结构中采用各种形式的大光腔结构设计,可以扩展近场光斑,从而使半导体激光器的光束发散角达到25°甚至更低.对较热门的近衍射极限激光器的制作方法进行了介绍,分析了不同方法的优缺点及应用情况.     

蓝绿光半导体光电子器件的研究与发展现状

综述了CaN和ZnSe两大系列半导体光电子器件的研究与发展现状,重点讨论了材料的生长方法,给出了器件发展的最高水平。     

硅基集成光电子器件的新进展

综述了硅基微纳激光器、调制器、探测器及光传输控制器件的最新研究进展.重点阐述了表面等离子体、量子阱、光子晶体及纳米光栅等新型结构在提高器件综合性能和降低器件尺寸方面的重大作用.同时,还展示了用标准互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现硅基光子器件和电子器件在同一基片上微纳集成的巨大前景.     

高温高效率半导体激光器阵列封装结构研究

分析了热沉和陶瓷基板对背冷式封装结构半导体激光器阵列性能的影响.通过栅格化厚铜填充技术降低了复合金刚石热沉的等效电阻,并实现了热膨胀系数匹配;采用热沉和陶瓷基板嵌入焊接技术,提高了封装散热能力和稳定性.制作了间距为0.4 mm的5Bar条芯片阵列样品,在70℃热沉温度、200 A工作电流(占空比为1％)条件下进行性能测试,结果显示器件输出功率为1 065 W、电光转换效率为59.2％.在高温大电流条件下进行了 1 824 h寿命试验,器件表现出良好的可靠性.     

光电器件近年来的发展趋向

文章从不电器件的单元技术、成像器件和垂直腔面发射半导体激光器三方面评述电器件的进展，说明它是一个充满活力的研究领域。     

大功率半导体激光器最新研究进展

大功率半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛的应用.综述了大功率半导体激光器最新研究进展,着重于在提高可靠性、提高功率转换效率、波长稳定、拓展波长范围等方面所取得的进步,并对目前大功率半导体激光器在材料加工领域中的直接应用进行了介绍,并展望了其发展趋势.     

高稳定度激光器驱动器的研究与设计

本文介绍了一种实用型基于单片机的高稳定度半导体激光器驱动器.该驱动器由单片机进行程序化控制.末级电路采用功率MOSFET作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.最后对输出电流的稳定度进行了分析,输出电流长期稳定度可达到4.O×10-5以下.