CdO／SnO2双层薄膜的气敏性能

以ＣｄＯ、ＳｎＯ＿２粉料作为靶，采用直流溅射方法制得ＣｄＯ、ＳｎＯ＿２双层薄膜元件，比较了ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２与ＳｎＯ＿２／ＣｄＯ在性能方面的差异。认为ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２的气敏性能较好，并初步探讨了工作温度和膜厚等因素对ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２元件的电学性质及气敏特性的影响。     

Sol—Gel法制备ZrO2—SnO2薄膜的常温气敏机理

根据Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备的ＺｒＯ２－ＳｎＯ２薄膜的气敏性能数据，提出了常温下ＳｎＯ２（ＺｒＯ２）薄膜对Ｈ２Ｓ的气敏机理模型。根据此模型所得定量分析结果与实验结果一致。     

多孔SnO2薄膜的导电和气敏特性

用ＲＧＴＯ方法制备多孔，颗粒状ＳｎＯ薄膜；根据ＳＥＭ观察结果建立简单导电模型，并验证其导电机制主要是晶界导电；研究纯ＳｎＯ２薄膜及掺杂ＳｎＯ２薄地ＣＯ，乙醇等气体的气敏特性，掺Ｐｔ的薄对ＣＯ有很好的气敏响应；选择合适工作温度，可提高灵敏度改善选择性。     

微结构气敏传感器敏感薄膜制备方法的研究

随着微结构气敏传感器的出现 ,金属氧化物半导体薄膜因具有灵敏度高、热质量小、批量制备一致性好等特点受到日益广泛的重视。本文比较了在微结构气敏传感器中三种方法制备的SnO2 敏感薄膜的结构和气敏响应特性。结果表明 ,用液涎生长和热氧化技术制备的SnO2 薄膜灵敏度高、稳定性好 ,但这种方法与lift off技术不兼容 ;室温直流溅射Sn然后热氧化方法制备的SnO2 薄膜虽然能采用lift off技术成形 ,但由于膜中晶粒结构和Sn/O比不合适使得它的气敏响应特性很差 ;室温混合气氛 (Ar/O2 比为 8∶2 )下射频溅射SnO2 靶然后退火制备的SnO2 薄膜 ,不仅对有机分子十分灵敏 ,而且与微电子工艺相容。室温射频溅射是制备微结构气敏传感器敏感薄膜较理想的方法     

SnO2光敏,气敏元件的性能研究

报道了用常压蒸发法制备的ＳｎＯ２薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏全一体的传感器的研究。     

掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究

本文用常压化学气相淀积法（ＡＰＣＶＤ）制备了α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和表面形貌（ＳＥＭ）分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明，用ＡＰＣＶＤ工艺制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性；本研究还对所制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜进行了有效的掺杂，对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Ｓｎ的掺入对α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用ＡＰ     

多层气敏薄膜表面吸附及界面扩散的研究

制备了ＳｎＯ３／ＺｎＯ及ＺｎＯ／ＳｎＯ３多层结构的气敏薄膜，用能谱结合氩离子刻蚀的方法及Ｘ射线衍射法，对薄膜的表面吸附。膜间的相互与组成等进行了研究，结果表明：薄膜表面存在少量的吸附多层膜中锌的扩散远比锡一个模型，对吸附现象作了初步的解释，讨论了造成锌锡扩散的原因。     

掺镉纳米SnO2的热稳定性,电导及气敏性能

本文研究了ＣｄＯ掺杂对纳米ＳｎＯ２粉料的热稳定性，电导及气敏特性的影响。结果表明，以非晶状态均匀分散在ＳｎＯ２颗粒表面的ＣｄＯ能阻止ＳｎＯ２之间的相互扩散，提高了纳米ＳｎＯ２的热稳定性；固溶于ＳｎＯ２昌粒中的ＣｄＯ量（Ｃｄ／Ｓｎ〈０．０５）很小，但对元件的电导影响显著；纳米级的晶粒尺寸（〈６ｎｍ）及ＣｄＯ的掺杂大大改善了ＳｎＯ２的气敏特性。     

多功能NiO—SnO2气敏材料的敏感特性

采用化学共淀淀法合成了不同配比的ＮｉＯ－ＳｎＯ２气敏材料，用Ｘ射线衍射法分析材料的结构与组成，测试了元件的气敏性能，并利用表面催化作用较好的解释了材料的敏感机理，通过改变ＮｉＯ的掺杂量及气敏元件的加热功率，ＮｉＯ－ＳｎＯ２材料可分别实现对Ｈ２，Ｃ２Ｈ５ＯＨ的选择性检测以及对Ｃ２Ｈ５ＯＨ、Ｈ２、ＣＯ、Ｃ４Ｈ１０和汽油等气体的广谱检测。     

镧掺杂对CdO—SnO2系物相及性能的影响

在ＣｄＯ－ＳｎＯ２体系中加入Ｌａ＆３＋可以提高钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３的热稳定性。通过对掺镧材料的物相及微结构的研究，认为Ｌａ＾２＋部分固溶到β－ＣｄＳｎＯ２晶格中要提高其稳定性的主要原因。并可控制掺镧方式及热处理温度来合成不同相组成的气敏材料，改善ＣｄＯ－ＳｎＯ２系的气敏性能。     

SnO2超细粉体应用于低温气敏材料

采用超临界流体干燥技术制备了纳米级ＳｎＯ２粉体。通过简单的掺杂，测试了其对ＣＯ、Ｈ２气敏效果，使其检测温度分别降至３０℃和１２０℃左右。同时，通过对元件成型温度的考察，使其烧结温度比传统ＳｎＯ２元件下降１００￣２００℃。从而肯定了超细ＳｎＯ２可以大大节省能耗，适用于低温气敏材料。     

PECVD法制备的SnOx气敏膜的色变机理

有用ＰＥＶＣＤ法制备了非晶掺Ｓｎ有机膜，经过退火处理得到ＳｎＯｘ气敏膜，考察了退火过程和气敏响应过程的阻温特性和颜色变化的关系，研究了表面掺Ａｇ对ＳｎＯｘ元件电阻、     

ZrO2掺杂对SnO2薄膜电性及气敏性的影响

本研究不用金属醇盐而以无机盐ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ为主体原料，以Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－疑胶Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备了不同ＺｒＯ２掺杂份量的ＳｎＯ２薄膜，发现ＺｒＯ２薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ气体具有较好的气敏性能，同时本文研究了ＺｒＯ２掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜导电率及气敏性能的影响。     

电弧等离子体法制备纳米Ce-NiO的气敏特性

用Ｈ２＋Ａｒ电弧等离子体法制备纳米Ｃｅ－ＮｉＯ并研究其气敏特性。实验结果表明：与通常用作氧敏传感器的Ｐ型ＮｉＯ半导体材料相比，Ｈ２＋Ａｒ电弧等离子体法制备的纳米Ｃｅ－ＮｉＯ气敏材料表现出一定的ｎ型导电性，对乙炔具有很好的选择性和较高的灵敏度；其气敏特性与纳米Ｃｅ－ＮｉＯ晶粒的显微结构有关。     

CuO－SnO_2半导体陶瓷气敏机理研究

本文根据实验结果，分析了以ＳｎＯ＿２为主体材料的ＣｕＯ作添加剂的ＣｕＯ－ＳｎＯ＿２气敏传感器的敏感性能，并从理论上对其气敏机理进行了探讨。     

掺杂SnO2氨气敏感材料研究

通过主体材料ＳｎＯ２掺入多处掺杂剂对气敏特性影响的研究，得到了对氨气（ＮＨ３）敏感的材料的较佳配方，该敏感材料作成的气敏传感器对氨气具有较高的灵敏度和较好的稳定性。     

Y_2O_3-SnO_2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ,Ｙ（ＮＯ３）３·６Ｈ２Ｏ为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２薄膜的电学和气敏性能．从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响．实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜在常温下对ＮＯｘ具有较好的灵敏度和选择性,并具有较好的响应恢复性能;在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度．     

SnO2气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

采用平面丝网印刷工艺制备ＳｎＯ２厚膜气敏试样,分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成,测量试样的灵敏度和稳定性,并通过复阻抗分析方法,研究了ＳｎＯ２气敏元件烧结工艺和电性能的关系,探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响,结果表明,适当调整结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性,复阻抗分析表明,随保温时间延长,试样的电阻－电工线半圆弧的弥散角逐渐减小至零,说明适当延长保温时间使     

镧掺杂对CdO－SnO_2系物相及性能的影响

在ＣｄＯ－ＳｎＯ＿２体系中加入Ｌａ￣（３＋）可以提高学钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ＿３的热稳定性。通过对掺镧材料的物相及微结构的研究、认为Ｌａ￣（３＋）部分固溶到β－ＣｄＳｎＯ＿３品格中是提高其稳定性的主要原因。并可控制掺镧方式及热处理温度来合成不同相组成的气敏材料，改善ＣｄＯ－ＳｎＯ＿２系的气敏性能。     

纳米ZnFe2O4气敏材料的结构和敏感特性研究

ＺｎＦｅ_２Ｏ_４是传统的铁氧体材料,近年来又发现具有良好的气敏性能．本文采用化学共沉淀法制备了纳米尺寸的ＺｎＦｅ_２Ｏ_４粉末,利用ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ等手段研究了结构特性．以ＺｎＦｅ２Ｏ４纳米粉末为原料制备了厚膜气敏元件,测试了元件的气敏性能,并对气敏机理给予了解释．