1581MHz压控振荡器

CVCO55CC-1581-1581 VCO的控制电压范围是0．5～4．5V，频率为1581MHz，适合用于数字音频设计、固定的无线接入、卫星通信系统和基站。该VCO在10kHzN频偏下具有-120dBc／Hz的典型相位噪声，     

一种C波段低相噪锁相频率源的研制

提出了一种采用同轴介质谐振压控振荡器(CDRVCO)模式的锁相频率源设计方案,利用其低相噪、高Q值和高频率稳定度的优点,通过对锁相源合理的电路设计、仿真与实验,研制了一款C波段低相噪、单点频率为7 850 MHz的频率源。对样品的测试表明该频率源达到了预期的技术指标,测试结果为:工作频率为7 850 MHz时,相位噪声为-96dBc/Hz/1kHz、-98dBc/Hz/10kHz、-120dBc/Hz/100kHz、-143dBc/Hz/1MHz,近端参考杂散抑制>-95dBc。     

美国国家半导体推出业界相位噪声最低的时钟抖动滤除器系列产品

美国国家半导体公司（National Semiconductor）宣布推出一系列全新的时钟抖动滤除器,该系列产品拥有业界最低的相位噪声和均方根抖动性能：在12kHz与20MHz之间的均方根抖动只有111飞秒（fs）；若输出频率为184MHz，锁相环的宽带噪声基底则只有-162dBc／Hz。对于无线和有线通信系统、测试和测量设备、医疗成像系统、     

一种900MHz RFID读卡器中的高性能CMOS频率综合器

实现了一个应用于RFID系统的低功耗、低噪声的锁相环频率综合器.该频率综合器采用UMC 0.18μm CMOS工艺实现,输入时钟为13MHz,经测试验证输出频率为718～915MHz,相位噪声为-124dBc/1MHz,-101.13dBc/100kHz,频率分辨率为200kHz,功耗为54mW.     

一种高稳频型射频振荡器的设计

基于反馈式正弦波振荡器原理,设计出一款适合于UHF波段的高稳频型射频振荡器,本设计使用了高Q值选频技术,利用回路的谐振特性设计出多级的选频结构。振荡器输出频率范围：400 MHz~720 MHz,输出带宽大于300 MHz,属宽带射频振荡器。测试结果表明,在可用频段范围内,振荡器输出增益波动低于1 dB,输入驻波比VSWR<1.5 dB,输出驻波比VSWR<1.7 dB;中心频率f0=510 MHz时：频偏Δf=1 kHz处,相位噪声PN=-77.9 dBc/Hz;频偏Δf=10 kHz处,相位噪声PN=-95.8 dBc/Hz;频偏Δf=100 kHz处,相位噪声PN=-140.3 dBc/Hz;当频偏继续增加时,相位噪声呈指数下降。本设计可满足电视系统、无线对讲机系统、无线遥控系统等多种主流射频领域的应用要求。     

基于单片机控制的频率综合器设计

以ADF4360芯片为核心,设计实现了频率综合器作为1.95 GHz一次变频超外差射频接收机的本振部分,并制作了单片机控制电路。经测试,可以在1.6GHz～1.95GHz范围内以0.5MHz为步长调节输出本振信号频率。在频率为1.9GHz时,相位噪声为-68dBc/Hz（1kHzoffset）、-71dBc/Hz（10kHz offset）、-110dBc/Hz（100kHz offset）、-115dBc/Hz（1MHz off-set）。频率偏差小于50kHz。     

一种900MHz RFID读卡器中的高性能CMOS频率综合器

实现了一个应用于RFID系统的低功耗、低噪声的锁相环频率综合器.该频率综合器采用UMC 0.18μm CMOS工艺实现,输入时钟为13MHz,经测试验证输出频率为718～915MHz,相位噪声为-124dBc/1MHz,-101.13dBc/100kHz,频率分辨率为200kHz,功耗为54mW.     

2.5 GHz低相位噪声LC压控振荡器

在0.35 μm SiGe BiCMOS工艺条件下,设计了一个全集成的低相位噪声LC压控振荡器(VCO).该VCO采用尾电阻结构替代传统的尾电流源结构实现电流控制,以减小尾电流源产生的噪声.该VCO的调谐范围为480 MHz,可以覆盖2.32～2.8 GHz.当振荡频率为2.5 GHz时,100 kHz和1 MHz频偏处的相位噪声分别为-104.3 dBc/Hz和-124.3 dBc/Hz.振荡器工作电压为5 V,尾电流为5 mA.工作在2.5 GHz时,其100 kHz频偏处的性能系数为-178 dBc/Hz.     

一种低功耗自动增益控制集成石英振荡器

通过分析三点式振荡器的结构原理,选取桑托斯（Santos）结构,利用非对称差分对的电流分配特性实现幅度控制,以降低功耗。采用反相器链整形满摆幅输出,设计了一种适用于无线接收芯片的12 MHz自动增益控制晶体振荡器。基于和舰（HJ）射频(RF)0.18 μm CMOS工艺,完成电路设计、版图设计与仿真,流片并测试。结果表明,该晶体振荡器的总电流为120 μA,相位噪声为-121 dBc/@1 kHz,-165.1 dBc/@1 MHz,满足无线接收芯片的性能指标。     

L/S/C波段低相噪、单片锁相频率源实现

介绍一种在20 mm×20 mm PCB上实现L/S/C波段频率源的方法,当频率最高达4 820 MHz时,相位噪声达到-100 dBc/Hz@10 kHz。当步进设为2 MHz,环路带宽为100 kHz时,杂波抑制＞40 dBc,跳频时间＜200 μs;环路带宽为40 kHz时,杂波抑制＞60 dBc,跳频时间＜600 μs。可以应用于一些低端的接收机和校正源上,或是对杂散抑制要求不高的射频通信中。     

我国数字对讲机市场即将打开

近期，信息产业部无线电管理局正式发布了信无函[2007]81号文件，“关于发布《数字对讲机系统设备无线射频技术指标要求》（试行）的通知”。“通知”指出：《技术指标要求》适用于137MHz-167MHz、403MHz-425MHz和915MHz-917MHz。“通知”还指出《技术指标要求》在原规定的25kHz的信道配置上，新增加12．5kHz和6．25kHz信道配置，合法用户可以在25kHz信道内自行选择使用。[第一段]     

测试与测量

涵盖9kHz～20GHz的经济型微波频谱分析仪安立公司推出涵盖9kHZ～7．1GHz、9kHz～13GHz及9kHz～20GH2频率范围的Ms271xB系列经济型微波频谱分析仪。Ms271xB系列产品具有1Hz～3MHz的RBW、高于土1．3dB的振幅精度,以及在10kHz偏移时-114dBc/Hz的低相位噪声。凭借这种高测量性能,这些频谱分析仪可准确测量大多数无线本地振荡器及合成器。它们典型值为100dB的出色动态范围可使MS271xB系列快速、     

6GHz整数N频率合成器

LTC6945具有226dBc／Hz归一化闭环带内相位噪声、-274dBc／Hz归一化带内1／f噪声、－157dBc／Hz的宽带相位噪声层和102dBc杂散输出。在典型的900MHz应用中,这样的性能特性可在1kHz偏移时实现－100dBc／Hz的闭环相位噪声。LTC6945设计为与高达6GHzN外部低噪声VCO一起工作。此外,该器件有一个内置的输出分频器,可从1到6编程,以将调谐频率覆盖范围扩展为低至350MHz。     

ADF4111在锁相式频率源中的应用

为了得到射频接收机中稳定的频率源,设计了一种以ADF4111为核心的锁相式频率源,采用单片机进行控制。介绍了锁相环芯片ADF4111的基本结构、工作原理及其编程控制过程,同时介绍了环路滤波器和压控振荡器的设计。测试表明该频率源的工作频率为754 MHz～764MHz,频率步进为100kHz,相位噪声优于-90dBc/Hz@10kHz、-110 dBc/Hz@100kHz,输出功率为6dBm。     

40MHz射频信号源的设计与分析

直接数字频率合成(DDS)是研制信号源的关键技术.采用DDS技术,设计了输出频率范围为5MHz～40MHz,频率步长为1MHz的射频信号源.首先,分析了其相位噪声和杂散.然后通过传统制板工艺制作了PCB板,使用安捷伦公司频谱分析仪E4403B对其进行了测试,测试结果表明:40MHz射频信号源偏离100kHz处的相位噪声约为-112dBc/Hz,在20MHz带宽内杂散约为-73dBc.     

国外简讯

美国泰克特罗尼克斯公司研制出812-0005-01/02/03型SAW谐报器振荡器,在频率容限为±25(Hz(01)、±100kHz(02)和±250kHz(03)的500MHz标准频率下工作.二次谐波信号电平为-16dBc(标准值),三次谐波信号电平为-20dBc(标准值).在500MHz和温度系数为-2.5     

CPT铷原子钟锁相环频率合成器设计和分析

基于CPT(相干布局囚禁)87铷原子钟设计出输出频率为3417 MHz的锁相环频率合成器,通过ADIsimPLL仿真出最佳环路带宽,环路滤波器参数以及相位噪声等,并通过STM32对锁相环芯片进行控制。对频率合成器进行了测试,电路尺寸为40 mm×40 mm,输出信号功率范围为-4 dBm^+5 dBm可调,输出信号噪声满足要求-88.65 dBc/Hz@1 kHz,-92.31 dBc/Hz@10 kHz,-104.63 dBc/Hz@100 kHz,杂散和谐波得到抑制,设计的频率合成器能很好的应用于原子钟的射频信号源。     

Ku波段低相噪锁相介质振荡器

应用取样锁相技术对Ku波段低相噪锁相介质振荡器进行了研究,对取样锁相技术的工作原理和电路特性进行了分析,阐述了取样锁相环路的设计过程.对制成的实物进行了测试和调试,取得了预期的相位噪声指标.实验结果表明,该取样锁相源的频率为17GHz,输出功率≥10dBm,杂波抑制比≥70dBc,相位噪声-103dBc/Hz@1kHz, -107dBc/Hz@10kHz, -110dBc/Hz@100kHz, -128dBc/Hz@1MHz.     

基于取样鉴相器的谐波混频低相噪PDRO设计

基于取样鉴相器设计了一款低相位噪声的谐波混频锁相介质振荡器(HMPDRO)。利用取样鉴相器中的阶跃二极管和肖特基混频二极管并联结构构建了谐波混频器。采用陶瓷介质振荡器(DRO)来保证载波较低的远端相位噪声。该电路在载波14.01GHz相位噪声分别为-109.8dBc/Hz@1kHz、-112.0dBc/Hz@10kHz、-113.5dBc/Hz@100kHz、-144.7dBc/Hz@1 MHz,杂波抑制80dBc。     

基于LTCC 技术的Ka 波段频率合成器

本文介绍了把LTCC 技术和频率合成技术结合起来实现的Ka 波段频率合成器,采用带小数分频的双环结构同时实现了低相位噪声和高频率分辨率,并结合LTCC 技术,在表面安装有源器件,无源器件集成在基片内部,这样可以进一步提高系统集成度,实现小型化目标。该频率合成器输出频率为34.8GHz-35.2GHz,步进2MHz, 相位噪声为-5dBc/Hz@1kHz,-80dBc/Hz@10kHz,-90dBc/Hz@100kHz,通过合理布局,该频率合成器面积仅为42mm×49mm,与文献[2]相比面积缩小了37%。