碳化硅表面钡铁氧体薄膜制备与吸波性能

采用柠檬酸盐溶胶-凝胶法在碳化硅表面形成钡铁氧体薄膜.XRD表明生成的铁氧体为六角磁铅型晶体BaFe12O19.测定了材料在0.1～6.0 GHz内的介电常数与磁导率.与单纯钡铁氧体比较,碳化硅表面沉积钡铁氧体薄层后复合相吸波频段宽化,吸波能力增强.     

单向碳化硅纤维/环氧树脂复合材料吸波性能的研究

采用真空袋工艺制备了纤维体积分数为10%~40%的单向碳化硅纤维/环氧树脂复合材料,研究其力学性能和介电性能,计算其吸波性能和反射率。结果表明,在10%~25%范围内,随着碳化硅纤维体积分数的提高,复合材料的介电损耗实部、虚部及损耗角正切值均增大,反射率减少,即吸波能力增大;而在高于25%之后,就吸波能力而言,存在着最优纤维体积分数值;在纤维体积分数固定之后,就吸波能力而言,也存在着最佳的材料厚度;当复合材料的SiC纤维体积分数为25%、厚度为3 mm时,其在X波段内的反射率均低于-5dB,最低为-9.9dB,平均值为-7.8dB。     

几种异形碳化硅纤维制备及其吸波性能

以聚碳硅烷为原料,采用不同规格的异形喷丝孔,经熔融纺丝、不熔化和高温处理后,制备了条形、三叶形、四叶形、五叶形、C形和中空碳化硅纤维。表征了纤维形貌,比较研究了不同规格异形纤维的电磁参数和吸波性能,发现在相同表面积下,随叶片数量增加,叶片型SiC纤维的介电常数增大,C形SiC纤维的介电常数大于中空纤维,其损耗角正切低于中空纤维。将不同规格的异形碳化硅进行阻抗匹配可有效提高结构吸波复合材料的吸波性能。     

含异质元素碳化硅纤维及其吸波性能研究进展

含异质元素碳化硅纤维由于其满足结构吸波材料对承载、吸波的要求，已经成为当今SiC系列纤维的重要发展方向之一。综述了近年来国内外含异质元素SiC纤维的研究进展，重点介绍了含异质元素SiC纤维的种类、制备及其吸波性能，并展望了今后的发展方向。     

碳化硅颗粒填充的碳纳米管/环氧树脂复合材料的吸波性能

以碳纳米管、碳化硅颗粒为原料制备环氧树脂复合吸波材料,并对其吸波性能进行测试,研究了碳纳米管、碳化硅颗粒含量与复合材料吸波性能的关系.结果表明碳纳米管、碳化硅颗粒的含量对复合材料的吸波性能有较大影响.随碳纳米管含量的增加,碳纳米管/环氧树脂复合材料的吸波性能先提高后降低,碳纳米管含量存在最佳值(12%,质量分数).将碳...     

碳化硅吸波材料的原位反应法制备及其机理

使热解碳与硅粉分别在1800℃、2000℃和2200℃进行原位反应制备三种SiC材料,观察其微观形貌、物相和晶体结构并测试其电磁吸波性能,研究了原位反应温度对其吸波性能的影响。结果表明,在1800℃硅碳原位反应生成3C结构的β相SiC,在2000℃原位反应的蒸发—冷凝过程中β相SiC向6H结构的α相SiC转变。随着反应温度的提高相变加剧,α相SiC的比例随之提高,SiC材料对电磁波的介电损耗性能减弱,阻抗匹配性能也随之提高。原位反应温度不低于2000℃时生成的SiC材料,其介电损耗和阻抗匹配性能适当,是性能较好的吸波材料。     

铜镀层复合材料的吸波性能

以2种织物材料为基材,采用化学镀铜的方法,进行铜镀层和吸波涂层复合材料的试验研究。分析了铜镀层的成分结构、织物种类、叠层顺序等因素对复合材料在9. 35 GHz下反射率的影响规律,并探讨了铜镀层对吸波特性的影响机制。研究表明,对于织物基材先涂敷吸波涂层再化学镀铜的复合结构,与未氧化的铜镀层相比,空气中氧化8天的铜镀层使无纺布吸波复合材料的反射率峰值由 - 11 dB降低至 - 13. 2 dB。对于织物基材先化学镀铜再涂敷吸波涂层的复合结构,40℃ 镀铜与常温镀铜相比,在反射率曲线峰值接近的情况下,吸波材料总厚度下降了约 1. 4 mm,说明铜镀层可用于改进吸波材料的微波吸收效果。      

具有雷达吸波功能的碳化硅纤维的制备

以聚碳硅烷为原料,通过熔融纺丝、不熔化处理和烧成、制备出异形截面碳化硅纤维,这种纤维与环氧树脂复合成结构吸波材料,具有良好的雷达吸波性能。     

异型截面碳化硅纤维的制备及其雷达吸波特性

以聚碳硅烷为原料,通过熔融纺丝、不熔化处理、烧成,制备出了具有异型截面的碳化硅纤维。研究了纺丝温度、压力、牵伸速度对纤维异形度和当量直径的影响,确立了异型截面碳化硅纤维的制备工艺。这种纤维与环氧树脂复合制备的结构吸波材料具有良好的雷达吸波性能。     

含碳化硅纤维正交电路屏的吸波复合材料的研究

研究了SiC纤维正交电路屏/环氧树脂复合材料和化学镀镍SiC纤维正交电路屏/环氧树脂复合材料的吸波性能.研究发现,纤维间距、镀镍纤维增重率对复合材料的吸波性能有显著影响.对于前者,纤维间距较宽时(如:8mm,6mm),材料的吸波效果很差,随着纤维间距进一步减小(6mm→4mm→2mm),材料的有效带宽和最大吸收峰值均明显增大;对于后者,随着纤维间距或增重率的增大,材料的总体吸波效果先增强后减弱.     

碳化硅增强铝基复合材料界面改善对力学性能的影响

用粉末冶金法制备了致密度较好的镀铜碳化硅增强铝基复合材料,并对碳化硅的表面化学镀工艺进行了分析.通过化学镀前后复合材料力学性能的对比研究表明,碳化硅表面镀铜较好地解决了碳化硅与基体的相容性问题,使复合材料的力学性能得到明显提高.     

化学镀镍碳纳米管的微波吸收性能研究

采用化学镀的方法对碳纳米管进行表面镀镍,TEM观察证实了碳纳米管上已镀覆了镍层,镀层厚度约8～15nm.采用HP8722ES矢量网络分析仪测量了样品在2～18GHz频率范围内的复介电常数(ε=ε′-jε″)和复磁导率(μ=μ′-jμ″).用吸收屏理论公式计算其反射损耗(R.L.)、匹配厚度(dm)及匹配频率(fm).结果表明,随着匹配厚度的增大,化学镀镍碳纳米管的吸收峰没有发生移动,当匹配厚度dm=0.2mm时,样品最低反射损耗达-11.40dB,对应的匹配频率fm=15.6GHz,而且在整个电磁波频率测试范围内,反射损耗值均＜-10.5dB,能够作为一种理想的电、磁损耗型吸波材料.     

化学镀Ni-P-SiC镀层的微观组织结构特征

对化学镀Ni-P-SiC复合镀层的微观组织结构特征进行了研究,结果表明,SiC微粒弥散分布在复合镀层中,Ni-P合金主要作为粘结金属包络着SiC微粒,两之间存在电子转移,发生了界面反应,反应扩散层为10^-1nm级,界面结合紧密,无孔隙和裂纹等缺陷。元素存在形态主要表现为Ni和P以单质的形式存在,Si以共价健SiC的形式存在,Ni－Ni之间以金属键进行结合。     

空心玻璃微珠化学镀银的研究

本文用甲醛-银氨溶液,对3～10微米的空心玻璃微珠进行化学镀银,制备出了吸波用银包覆空心玻璃微珠粉体,并探讨了pH值、稳定剂及装载量对微珠化学镀银的影响.微珠粉末中银含量的测定和SEM观察结果表明,通过增加镀液中NaOH的含量、提高镀液的pH值,能够增加镀液中的银析出量,微珠表面的银包覆较为致密连续;稳定剂可阻止镀液的自分解,但会导致表面包覆层不致密;通过调整空心玻璃微珠的装载量,能够调节表面包覆银颗粒的粒径大小,控制镀银层的厚度,同时增加装载量,也能减少自分解现象.     

热酸氧化及镀镍对碳纳米管吸波性能的影响

利用浓硝酸沸腾状态下氧化性强的特点,采用冷凝回流的方法对碳纳米管进行纯化处理,并采用化学镀的方法在碳纳米管表面镀上了一层均匀的金属镍.测量了镀镍及原始碳纳米管的介电常数、磁导率以及R～f曲线.研究了浓硝酸氧化及镀镍对碳纳米管复合材料吸波性能的影响.结果表明,与原始碳纳米管相比,镀镍后碳纳米管复合材料的吸波峰向低频移动,出现在6.92GHz,峰值为-10.46dB,吸波频带宽度为2.46GHz(R＜-10dB)和5.41GHz(R＜-6dB).碳纳米管表面镀镍后吸收峰值虽然变小,但吸收峰有宽化的趋势,这种趋势有利于制造宽频吸波材料.     

空心微珠表面改性及其吸波特性

采用化学镀的方法对空心微珠表面金属化改性进行研究，并利用扫描电镜及能谱分析仪对表面镀镍后的形貌进行观察、测定，结果表明镍较均匀附着在微珠的表面。分别将改性前后的微珠制备成吸波材料，测试其吸波性能。测试结果表明，改性后的空心微珠具有较好的吸波性能，在8-18GHz扫频测试范围内，小于-10dB的频段范围在16.6-18GHz，最大吸收可达-13.57dB，对应的频率为17.2GHz。空工心微珠表面改性为其再利用找到有效的途径。     

(SiC)p表面修饰和表征及动力学分析

利用简单的化学镀技术,通过改进前处理工艺,对(SiC)p进行低成本的表面修饰,获得了镀层连续,无光滑(SiC)p裸露的较高质量的改性碳化硅复合粉体[简写为(Ni/SiC)p].SEM、EDS、XRD测试结果表明,修饰后的(Ni/SiC)p较修饰前的(SiC)p导电性提高,形貌、组成、结构发生改变.同时对(SiC)p表面修饰的动力学机理给出初步分析,并尝试给出该过程的碰撞速率方程.     

溶胶凝胶法制备碳化硅陶瓷材料及其性能的研究

以甲基三乙氧基硅烷为原料,盐酸为催化剂,乙醇为溶剂在一定的条件下制备二氧化硅溶胶,再与竹炭粉、硅粉按照一定的比例充分混合均匀,在Ar气氛下经高温烧结制得SiC陶瓷材料。借助FT-IR、SEM-EDS和XRD等测试方法对转变为SiC过程中的物理化学结构变化、显微结构和物相变化进行了表征,并对其吸附性能和导电性能进行了试验。试验结果表明,在竹炭转变为SiC的高温处理过程中,化学键Si—O键基本上全部转变为Si—C键;竹炭的显微结构很好的留在了SiC陶瓷中;竹炭SiC陶瓷材料是一种包含单质Si、C和SiC多相组分的复合材料。在1650℃条件下的SiC陶瓷材料的吸附能力比其它两个要高;竹炭SiC材料具有较低的电阻率,是一种半导体材料。     

Ni-P-(Ni/SiC)P镀层及其工艺条件的研究

为解决Ni-P-(SiC)P镀层中基体的金属键与增强体的共价键间相容性差,增强体颗粒易脱落,镀层性能降低等问题.采用简单的化学镀方法实现了(SiC)P表面修饰、改性,得到了涂覆型改性(Ni/SiC)P,以(Ni/SiC)P为第二相粒子制备了Ni-P-(Ni/SiC)P化学复合镀层,并初步分析了复合镀机理.实验结果表明:温度、pH值、搅拌速率及(Ni/SiC)P加入量对Ni-P-(Ni/SiC)P镀层的沉积速率及沉积量有较大的影响,本实验条件下的最佳温度为82~86℃;最佳pH值为4.2~4.6;最佳搅拌速率为200 r/mim;最佳粒子加入量10 g/L.SEM、EDS分析显示Ni-P-(Ni/SiC)P镀层均匀、致密,Ni、P、Si沉积量大,耐磨性实验证明Ni-P-(Ni/SiC)P化学复合镀层硬度、耐磨性优于常见的Ni-P、Ni-P-(SiC)P镀层.经表面修饰、改性后得到的(Ni/SiC)P可以进一步提高Ni-P-(SiC)P镀层的使用性能.     

高硅SiCp/Al复合材料的表面敏化

高硅SiCp/Al复合材料化学镀镍是其表面金属化的关键步骤,化学镀前的敏化工艺易造成该复合材料表面Al合金的过度腐蚀,形成腐蚀孔洞缺陷,金属化后的试样表面粗糙度增加,并对后续的钎焊工艺产生不利影响。本文采用SnCl2+HCl溶液对高硅SiCp/Al复合材料进行敏化处理,研究了敏化时间和敏化液浓度对试样表面质量的影响。结果表明,敏化0.5min后试样表面Al合金腐蚀程度小,沉积的Sn(OH)2颗粒数量少。敏化1.5min以上,试样表面Sn(OH)2颗粒数量多,但Al合金完全腐蚀,留下大而深的腐蚀孔洞;降低敏化液浓度也不能明显提高敏化试样的表面质量。敏化1.0min后,试样表面Al合金连续分布,无大而深的腐蚀孔洞,Sn(OH)2颗粒数量适中。经过1min敏化的高硅SiCp/Al复合材料试样表面化学镀层质量良好。