一维Cu-Zn-Al合金纳米结构的制备

在常温常压下以Cu-Zn-Al合金为基体，用混合酸适当处理，制得了两种不同形貌、结构新颖的一维合金纳米结构。通过透射电子显微镜对它们的形貌和结构进行观察，发现其为中空圆柱结构，接近纳米管，但管壁较厚，中空程度小。根据EDX以及选区衍射确定了产物为一维Cu-Zn-Al合金纳米结构。初步分析了一维Cu-Zn-Al合金纳米结构的形成机理。     

一维Cu-Zn-Al合金纳米结构的低温制备

在常温常压下，利用简单的化学方法成功地在铜锌铝合金基体上生长出长1600nm，直径40nm的一维Cu-Zn-Al合金纳米结构。利用扫描电镜(SEM)，透射电镜(TEM)，能量分散X射线(EDX)等研究了这些一维纳米结构的微观形貌和结构。该方法合成的一维Cu-Zn-Al合金纳米结构具有纯度高，管径均匀等特点。初步探讨了一维Cu-Zn-Al合金纳米结构的低温生长机理。     

可控合成一维金银合金多孔纳米结构(英文)

报道了一种基于纳米晶体生长及表面修饰技术制备一维金银合金多孔纳米管的合成方法。实验采用多元醇热反应制备多种直径的银纳米线为前驱物模板,通过调控银线尺寸、表面修饰、热扩散、脱合金工艺等实验参数获得结构可控的一维金银多孔纳米结构。运用多种测试方法观察了无孔纳米管、多孔纳米管、多孔纳米线等多种一维结构的孔分布及连续结构。     

MgO单晶一维纳米结构的制备与表征

研究气相法制备MgO一维纳米结构的简单工艺途径.采用直接热蒸发镁粉的化学气相沉积法在不同条件下分别制备了MgO的纳米棒、纳米线、直角网络结构纳米线、晶须等单晶一维纳米结构.温度、氧分压和过饱和MgO蒸气压等参数对形貌具有重要影响.X射线衍射和选区电子衍射确定MgO纳米结构为立方晶系.扫描电镜和透射电镜对不同产物的形貌进行表征,显示其生长受到气一固生长机制控制.光致发光表明MgO纳米线在381 nm处出现强烈的紫色光发射宽峰.     

密度可控钛纳米棒阵列的制备及其矿化性能研究

通过控制电解液中的草酸含量,在医用纯钛表面构建密度可控的钛纳米棒阵列。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)对钛表面纳米棒阵列形貌和密度进行了表征,并在模拟体液(2SBF)中对其矿化性能进行研究。结果表明:钛纳米棒阵列密度随着草酸含量的增加而增大,钛表面构建纳米棒阵列结构有利于类骨钙磷矿物的沉积,当纯钛表面纳米棒阵列密度为(1.79±0.04)×1010/cm2时,在模拟体液中矿化性能优异,可见这种结构有利于材料与骨组织形成骨性结合,提高临床疗效。     

形貌可控纳米氧化钨的制备

以含WCl6的无水乙醇溶液为前驱液,PVP为表面活性剂,通过溶剂热法制备了氧化钨纳米线。利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和选区衍射等手段对制备的纳米线进行了表征,通过调整PVP加入量来调控纳米氧化钨的形貌,并对氧化钨纳米线的生长机制和形貌发生改变的原因进行了分析。     

阳极氧化制备TiO_2纳米管阵列的可控相转变及表征

采用电化学阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列,分别在O2、N2、5%H2+95%N2(体积分数)和NH3气氛中于400~650℃退火处理,初步实现TiO2纳米管中锐钛矿向金红石相转变的可控制备。采用FESEM、XRD、Raman对退火处理后TiO2纳米管的表面形貌、结构以及相转变等进行表征。结果表明:随着退火温度的升高,在O2气氛退火时,源于Ti基体的吞噬效应(Feeding effect)是导致TiO2相转变的主要原因;在N2和(5%H2+95%N2)气氛退火后,氧空位加速了锐钛矿向金红石相的转变;而在NH3气氛中退火后,N掺杂则有效抑制了锐钛矿向金红石相的转变。在此基础上,对其相转变机理进行了初步探讨,为进一步制备具有可控相含量及微观点缺陷的TiO2半导体和高性能器件提供了有益思路。     

不同形貌Pt纳米颗粒有序阵列的可控制备及其光学特性*

基于目前湿化学法制备Pt纳米颗粒存在颗粒形貌难以自由调控、含有表面活性剂及易于团聚等问题,发展了以单层胶体晶体为模板,采用磁控溅射技术沉积一层Pt膜,通过改变退火温度可控制备具有不同形貌Pt纳米颗粒阵列的方法。当退火温度为300,500,700和900℃时,分别获得了"帽状"、"杯状"、"米粒状"和"球形"的Pt纳米颗粒阵列。此法操作简单、无污染,为各向异性纳米颗粒阵列的制备提供了一种新的思路。首先研究了不同形貌Pt纳米颗粒阵列的消光光谱。结果表明,样品的局域表面等离子体共振峰随着纳米颗粒形貌的变化发生相应的偏移。"帽状","杯状"和"米粒状" Pt纳米颗粒的横向局域表面等离子体共振峰从487 nm蓝移至453 nm,而纵向局域表面等离子体共振峰从1201 nm蓝移至898 nm。实现了横向和纵向局域表面等离子体共振峰分别在可见光和近红外较宽波段内移动。球形纳米颗粒由于结构上的高度对称性,表现为单一的LSPR峰(约386 nm)和由有序结构产生的阵列衍射峰(约635 nm)。进一步研究了球形Pt纳米颗粒的尺寸对其消光光谱的影响,结果表明,随着Pt球形颗粒直径的增大,LSPR峰和衍射峰位逐渐红移后基本稳定。     

激光辐照制备纳米钨颗粒

日本人开发了一种以低能量Nd∶YAG激光器为热源、用于制备难熔金属如W、Ta、Mo的纳米颗粒的系统。该系统可通过喷嘴将纳米颗粒喷射到基体上形成薄膜。激光器为Q开关型Nd∶YAG激光器，其最大能量在束径1064nm时为580mJ、在532nm时为220mJ。激光束由石英窗射入装置腔，并经聚焦后照射在钨靶表面。靶以20r/s的速率旋转。激光束入射角约为45，试验的能量密度为1.9J/cm2~ 3.8J/cm2。安装喷嘴的管子的入口在靶上方26mm处，将腔抽真空至8×10-5Pa后以2.7kPa~890kPa的压力将纯度为99.9999wt.%的氦气引入腔内，靶为抛光的多晶钨。 研究发现，…     

TiO_2纳米管阵列膜的制备及结构研究

描述了在含不同浓度NH_4F的2%H_2O(体积分数,下同)和乙二醇溶液中,在氧化钛片上获得管尺寸分布一致的TiO_2纳米管阵列膜.在不同电压、不同NH_4F浓度电解液的条件下,进行膜的管尺寸及厚度研究,利用SEM评价膜的形貌.结果显示,片状膜为平行纳米管阵列组成的膜,纳米管尺寸范围宽、尺寸分布一致.管尺寸在15～128 nm,膜厚可达360 μm.应用的电压越高管尺寸越大,电解液中NH_4F浓度增加导致管尺寸稍微减小.还观测到,NH_4F浓度的增加,导致片状膜的厚度显著增加.采用无水乙醇多次清洗膜,并迅速用脱脂棉吸附膜上的溶液,在鼓风干燥箱中100 ℃,热处理1 h,可有效解决膜卷曲的问题.     

纳米钨合金粉末的制备技术

钨合金包括W－Ni-Fe,W-Ni-Cu,W-Cu,WC-Co等钨基合金材料。钨合金材料将是21世纪出现的一种多功能高性能的多胜任的新型材料。有杉纳米粉末制备的亚微或微米钨合金块体材料具有非常优越的潜在物理力学性能,用作高性能结构件和高性能电子、微电子等功能材料方面都将具有很大的潜在优势,可以更好地满足高性能新型材料的要求。本文综合近几年来国内外纳米钨合金的研究状况,详细地介绍了有关纳米钨合金粉末的制备技术,预测了今后钨合金材料的研究方向。     

一维纳米TiO_2的可控合成及其应用的研究进展

TiO2是一种重要的多功能无机材料,一维纳米TiO2材料的可控合成是一个十分复杂的过程。由于一维纳米TiO2材料的存在形式多样(包括纳米纤维、纳米丝、纳米带、纳米棒、纳米线和纳米管等),其可控合成的工艺方法也很丰富。综述了一维纳米TiO2材料可控合成的各种方法,包括静电纺丝法、水热合成法、模板法和阳极氧化法等;分析合成过程中参数变化对所合成纳米材料结构和形貌的影响规律;回顾和总结了近年来一维纳米TiO2材料应用的研究进展;对一维纳米TiO2可控合成的研究和应用进行展望,为进一步拓展一维纳米TiO2的存在形式和应用范围提供参考。     

PAM辅助水热法制备形貌可控的ZnO纳米结构(英文)

采用PAM辅助水热法制备了形貌可控的ZnO纳米晶。X射线衍射分析表明,分别以水和丙三醇为溶剂制备的短棒和棒状的ZnO纳米晶是纤锌矿结构。场发射扫描电镜结果显示,短棒状ZnO的直径约200nm,长约1.5μm,而棒状ZnO的直径约100nm,长度约3μm。当ZnO形貌从短棒向棒状转变时,晶体纵横比从7.5转变成30。荧光光谱分析表明,位于400-450nm的紫峰强度随着形貌从短棒向棒状转变时增大,表明更细更长的ZnO一维纳米结构的缺陷越多;位于520-550nm的绿峰强度随着形貌从短棒向棒状转变时增大,表明更细更长的ZnO一维纳米结构的氧空位越多。并对不同溶剂对ZnO纳米晶形貌的影响机制及ZnO纳米晶在水热条件下的生长机理进行了探讨。     

一维W纳米材料的场发射性能及其可控制备的研究进展

一维W纳米材料是一种新型的场发射材料,具有优异的场发射性能。介绍场致电子发射的基本原理及性能评价标准;讨论一维W纳米材料的6种制备方法:气相沉积法、电子束诱导法、蚀刻法、溅射法、自组装法和模板法;分析不同制备方法对场发射性能的影响;指出电场增强因子是决定一维W纳米材料场发射性能优劣的首要因素,设计制造出结构可靠、场发射性能优异、成品率高以及寿命长的一维W纳米材料器件是未来的研究重点。     

纳米钨铜材料制备工艺的研究

研究了成型方法、烧结温度和烧结时间等对纳米钨铜材料制备工艺的影响。     

纳米钨铜复合材料制备技术的研究进展

阐述了当前纳米钨铜复合材料制备技术的研究进展.从粉末的制备、成形、烧结等方面对传统制备工艺和剧烈塑性变形新工艺进行了论述,并比较了传统的制备工艺和剧烈塑性变形新工艺.     

钨铜纳米复合粉末的制备技术研究

本文针对纳米钨铜复合粉末的制备方法,从粉末制备原料角度出发,分别以W-Cu、W-CuO、WO3-CuO粉末及盐溶液为原料,阐述了几种工艺的优缺点,并分析、比较了这几种工艺方法。通过对比发现以W-CuO粉末为原料的制备方法具有很好的优越性。     

硅基底TiO2纳米管阵列的制备

本文采用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层金属钛膜,用于取代传统阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列所用的金属钛片.分别在乙二醇和丙三醇两种电解液中进行阳极氧化,均在硅基底上形成了高度有序的TiO2纳米管阵列.该方法与硅工艺集成技术兼容,有利于基于TiO2纳米管阵列的微纳米器件的设计和制造.     

模板法制备结构可控纳米材料的研究进展

综述了模板法制备结构可控纳米材料的研究进展,讨论了模板法可控制备纳米材料的原理及高度有序自组装的纳米多孔Al2O3模板的形成机理。重点介绍了纳米材料的可控制备方法,主要包括纳米多孔Al2O3模板法、聚合物模板法和生物模板法。其中纳米多孔Al2O3模板法又分为电化学纳米多孔Al2O3模板合成法和电化学诱导的溶胶-凝胶方法等。根据材料的物化性能,选用适合的模板,采用合理的工艺路线,可以制备出结构可控的纳米材料。     

自组装制备准一维金纳米复合导线

为了获得性能优异的微电子材料,通过化学镀和自组装制备了平均直径小于50 nm的准一维金纳米复合导线.通过实验证实了金纳米线的形成机制,即纳米金复合导线是纳米金微粒在巯基化的碳纳米管表面通过自组装而形成的.碳纳米管分别依次与浓硝酸和浓硫酸的混酸(1:4)、LiAlH4、PBr3和NaHS反应,可得到活性基团巯基修饰的碳纳米管.分别用XPS、TEM、XRD等对实验结果进行了表征.