真空中电极间隙的预击穿特性研究

本文对真空中的预击穿特性进行了研究，分析了影响真空中电极间隙预击穿特性的因素，并对真空灭弧室的顶击穿特性进行了研究。     

真空间隙的直流脉冲长延时击穿

就高压真空绝缘来说，导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长延时情形下的击穿过程，到目的为止尚有诸多不明了的地方。近期的测量结果表明，机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿几年在原始触头条件下最高，而在经过大电流燃弧后有所降低。非金属杂质和遥机杂质在击穿过程中起着重要作用。与可式真空灭弧室相比，商用真空灭弧室没有对机械冲击表现出任何敏感性。除了击穿几率与延时之外，我们也对击穿过程中的暂态电压和电流进     

配永磁机构的真空断路器的同步关合的研究

通过真空灭弧室的预击穿和真空断路器的关合速度对同步关合的影响,以及对配永磁机构的真空断路器进行动态计算,可以得出真空间隙随时间的变化关系。     

电极表面形态对真空击穿特性的影响

真空击穿是影响许多电子器件性能的一个重要因素,引起真空击穿的原因很多,其中电极的表面形态在真空击穿的起始阶段发挥着重要的作用。采用有限元法分析了不同电极表面形态对电极间电场的影响,研究表明当电极表面有凹凸缺陷时易引起击穿的发生,其中凸缺陷将导致电场强度几十倍增加,且圆锥形凸起引起的最大电场强度和尖端角度成线性关系;并进一步模拟研究了老炼对真空击穿特性的改进,结果表明老炼可将峰值电场强度降低70%以上。     

真空中均匀电场间隙发生介质击穿的概率

为了研究用真空作为绝缘介质的设备的绝缘可靠性,本文对真空间隙中击穿概率的分布进行了分析。并做了多次实验来研究试验方法、电极面积和电极材料对均匀电场间隙中击穿概率分布的影响。试验结果表明真空间隙的击穿概率分布可用一个临界参数通过维泊尔分布来阐明。而此参数表示临界击穿电压。为了能做出高可靠的真空绝缘设备,进行绝缘设计时要把刚才的位置参数这个重要因素考虑进去。位置参数与电极面积有关。这可能是由于微观隆起与微观粒子这些击穿弱点的存在概率与电极面积有关。     

真空断路器中屏蔽电极的高压绝缘强度

本文研究的主题是真空断路器中屏蔽罩和电极的高压绝缘强度．本文介绍了不同几何参数、表面面积和屏蔽材料对屏蔽罩击穿特性的影响．在雷电冲击电压下用屏蔽电极模型进行了试验。并通过各种场模拟对绝缘结果进行了讨论。     

电真空器件管壳耐压特性分析

本文指出了电真空器件的高压放电和击穿类型,真空击穿和沿面闪络的物理机理、影响因素和预防措施.     

真空灭弧室内部屏蔽罩间隙雷电冲击击穿特性的面积效应

随着真空灭弧室电压等级的提升，其内部屏蔽罩间隙的尺寸增加将产生击穿面积效应，这将成为制约真空灭弧室绝缘性能的关键因素之一。本文研究了真空屏蔽罩间隙在不同间距条件下雷电冲击击穿特性的面积效应，实验中采用了三种直径的典型屏蔽罩结构，直径分别为40、60和80 mm,电极材料为不锈钢。结果表明，在恒定间距条件下，随着有效面积的增加，真空屏蔽罩间隙的绝缘强度呈下降趋势，并且下降速度逐渐增大。当间距增大时，一方面任意有效面积下屏蔽罩间隙的击穿电压显著提升；另一方面，由于有效面积的增大对击穿电压的削弱作用逐渐降低。本文的研究结果不仅可以指导真空灭弧室内部屏蔽罩间隙的绝缘设计，也可以为具有不同电极结构真空间隙的绝缘评估提供理论依据。     

Cu合金在真空小间隙下的击穿表面特征

本文研究了真空Ｃｕ，ＣｕＣｒ３和ＣｕＣｒ５０合金在真空小间隙下的击穿强度和击穿后表面组织特征，认为个同成份的合金由于表面熔化层快速冷却时产生的不同表面组织形貌特征是影响其击穿强度的一个重要原因。     

真空间隙中较宽面积的圆形铜阴极预击穿辐射场的分布

用透明的阳极对圆形铜阴极上的预击穿辐射场的分布情况进行了分析研究,使用无氧铜作为阴极材料。实验表明预击穿不会总发生在场值最强的位置,也就是说不在阴极的中心,有时也能在远离阴极中心的位置观察到预击穿场,不仅在中心位置,同时在周围地区也都可以发现预击穿场。周围地区的场强度比中心的要弱得多。     

Electrical breakdown in vacuum

Theories and experimental facts of vacuum breakdown are reviewed. Measurements with gap spacings of 0.015 inch indicate little or no variation of breakdown with tube pressure between approximately 10^-5and 10^-7torr and with frequency of the applied voltage from 0 to 6 Mc/s. Variation of electrode materials, geometry, and surface preparations provide no marked improvements, but high voltage aging or conditioning does improve the breakdown characteristics by a factor of as much as 2 to 1. Enhanced field emission, from whisker-like protrusions on the cathode surface, causes individual beams of field-emission prebreakdown current to flow from cathode to anode. This prebreakdown current can cause resistive heating of the protrusion and localized electron-bombardment anode heating both of which produce vaporization and destructive effects which could lead to breakdown.     

真空控制系统的发展现状

主要介绍真空应用设备中可视化界面控制的发展概况.回顾了真空控制系统的发展历程,以几个典型界面为例,介绍了国内外有关真空设备可视化界面控制发展概况,分析了其控制特点,并对真空应用系统可视化控制界面的未来发展提出了自己的看法.     

楔形阴极的真空微电子三极管的计算机模拟

本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析．通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空微电子三极管的性能，计算了有关参数并提出优化设计方案.     

太赫兹微型电真空器件及其制造工艺

随着科学技术发展,人类对电磁频谱的掌握与应用也在不断发展,继毫米波波段开发的日益成熟之后,科学界已开始了向太赫兹领域进军。太赫兹电真空器件可以产生高功率太赫兹辐射真空电子器件,在太赫兹辐射源方面可做出很重要的贡献。本文介绍了国内外几种大力发展的太赫兹真空电子器件的研究技术水平及发展方向;重点分析了太赫兹电真空制造工艺的特点和关键技术。     

高温真空钎焊设备的研制

主要介绍了真空钎焊的发展和高温合金钎焊的工艺特点。根据Inconel 718高温合金钎焊的工艺要求,高温真空钎焊设备应具有高真空度和低泄漏率、高控温精度、高温度均匀性、一定的加热速率和冷却速率等工艺性能。详细阐述了高温真空设备的结构特点和主要关键技术,包括加热室内温度的均匀性、真空度和压升率以及较高的自动化程度等。     

市场前景广阔的真空冻干食品

介绍了真空冷冻干燥食品的发展现状、特点及其工艺流程，着重讨论了发展冻干食品工业的广阔前景。     

从真空微电子学到真空纳电子学

微细加工技术和场发射作为电子源促成了真空微电子学的诞生,许多从事微细加工技术、真空电子技术、微波电子学、材料科学、表面科学、薄膜科学等领域的研究人员也开始了这方面的研究工作,1988年在美国召开了第一届国际真空微电子学会议（IVMC）,随后每年一届在世界各地轮流召开。科学技术的发展非常之快,纳米结构、纳米加工技术、纳米材料等也渗透到这个领域,真空微电子学的研究领域也随之扩展,所以2004年在美国召开的第17届国际真空微电子学会议改名为国际真空纳电子学会议（IVNC）。本文就真空微电子学的发展历史,该领域的技术发展做了综述和分析,对目前真空纳电子学的兴起、研究内容的变化做了分析。     

当代电子学的标志——真空微电子学

本文概述了真空微电子学的基本原理、特性、用途及发展现状。现在真空场发射三极管高频电压增益可做到11dB,跨导为38μS。预计真空微三极管的频率可达3GHz以上。指出,新研制的真空微电子微带放大器在35～1000GHz(1THz)频段下输出功率可达1～50W。     

发展高电压等级真空断路器的技术问题探讨

本文对发展高电压等级真空断路器的关键技术问题，如触头材料，灭弧室耐压特性、电弧特性、弧后特性、波纹管设计及触头运动特性等进行了探讨，可为高电压等级真空断路器的设计提供依据。     

真空探针设备工艺研究

以手动真空探针设备为例,介绍了真空探针设备与常规设备不同的工艺技术,并分析了真空腔体密封方式及操作流程。