薄膜电致发光〔TFEL)用荧光粉的技术发展动态

荧光粉的技术进步在ＴＦＥＬ器件的发展中起着举足轻重的作用。本文分门别类地对各种ＴＦＥＬ用荧光粉作了介绍，并从它们的工艺、性能及结构等方面论述了ＴＦＥＬ用荧光粉的技术发展动态。     

FED用荧光粉技术进展

本文简要介绍了ＦＥＤ显示器件对荧光粉的要求及ＦＥＤ用荧光粉的技术进展。     

有机薄膜电致发光的回顾和展望

综述了有机薄膜电致发光（ＯＴＦＥＬ）的发展过程，总结了ＯＴＦＥＬ的四种器件结构和工作原理，介绍了器件的制备并了选择有机发光材料的基本原则，文末展望了ＯＴＦＥＬ的应用前景。     

倒置结构型TFEL

在显示应用中如果把优秀的易读性作为一个重要指标，薄膜电致发光显示器（ＴＦＥＬ）则将变成一种颇有吸引力的显示器。现已将电池工作式ＴＦＥＬ作为商品化产品推向了市场，同时商品化多色ＴＦＥＬ也已开发成功。倒置结构型ＴＦＥＬ，在多色显示应用领域中，将是颇有竞争力的。     

高压RESURF LDMOSFET的实现

利用ＲＥＳＵＲＦ技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ。本文介绍了该高压ＬＥＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺测试结果，此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅－金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。     

EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响

在建立的理论模型基础之上,定量地分析了ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响,指出位于本征费米能级以下的ＥＬ２能级是影响ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压大小的主要因素,ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响程度与ＥＬ２能给的缺陷密度呈线性关系。     

NEAX61-E的集中交换功能

ＮＥＡＸ６１－Ｅ的集中交换功能天津日电电子通信技术有限公司李素鹏ＮＥＡＸ６１－Ｅ←ＩＣＴＯＧＴ→ＭＤＦ普通用户ＣＥＮＴＲＥＸ用户ＬＣ用户环路，用户线和电话机都一一对应。在用户侧不需用户交换机等其它设备。↑←↑ＭＤＦ：主配线架ＯＧＴ：出中继ＬＣ：用户线...     

信息与动态

ＮＥＣ强化显示用ＬＳＩ生产今年３月日本ＮＥＣ显示用ＬＳＩ销售总额６００亿日元，其中ＴＦＴ用４００亿日元，移动电话用１００亿日元，剩余１００亿日元用于ＰＤＰ等其他显示。预计到２００３年３月将比今年同期移动电话用ＬＳＩ销售额增加３００亿日元，且日本移动电话将全部彩色化显示，而预计２００３年世界彩色化显示可达２０％。２００２年３月日本移动电话用的显示ＳＴＮ和ＴＦＴ各占一半，随着移动电话兼用游戏机等快速响应功能的要求，ＴＦＴ将全部取代ＳＴＮ。２００１年笔记本电脑２　６００万台，ＴＦＴ监视器１　６００万台…     

信息窗

信息窗邮电高速寻呼网决定采用“ＦＬＥＸＴＭ”规程邮电部决定采用美国摩托罗拉公司的“ＦＬＥＸＴＭ”高速寻呼规程作为全国联网的高速寻呼的编码方式和标准。双方就此项合作在北京签署了谅解备忘录。这一选择表明了中国邮电通信行业与国际先进高速寻呼技术接轨的决心和...     

TFT LCD技术的发展

本文介绍了近期ＴＦＴ ＬＣＤ技术发展动态，简述了ＴＦＴ ＬＣＤ发展趋势。     

深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

对溶亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用。本文从基本器件数理方程发出，对深亚微米常规及ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

TFT技术挑战二十一世纪

本文简要说明什么是ＴＦＴ－ ＬＣＤ, ＴＦＴ－ ＬＣＤ产品的技术特点及其在工业、国防、教育、医疗、交通运输、家电、视像和信息产业中的广泛应用,指出了ＴＦＴ－ＬＣＤ技术发展的美好前景。     

TFT—LCD：国际上新的经济增长点

介绍了国际上ＴＦＴ－ＬＣＤ产业的最新发展,ＴＦＴ－ＬＣＤ技术的进步,长期困扰液晶的三大难题：视角,色饱和度和亮度,已经获得解决。液晶产业进入了全面高速发展时期,文章并分析了国际上ＴＦＴ－ＬＣＤ市场的发展趋势。     

提高国产激光器组件直接调制速率与PIN－FET组件频响带宽的新技术

本文对如何提高国产１．５５μｍＩｎＧｒａＡｓｐＤＦＢ－ＬＤ组件直接高速调制速率以及国产ＰＩＮ－ＦＥＴ组件的频响带宽进行了理论与实验研究。在实验测量的基础上建立了国产ＬＤ组件小信号等效电路模型，对其调制响应速率的主要限制因素进行了分析，研制了高速ＤＦＢ－ＬＤ组件，将其调制速率提高到３．２ＧＨｚ。同时，在对谐振式ＰＩＮ－ＦＥＴ光接收机进行噪声分析的基础上，采用微波混合集成工艺研制了一个串联谐振式ＰＩＮ－ＦＥＴ光接收组件，有效地提高了ＰＩＮ－ＦＥＴ的频响带宽。     

便携式显示器

韩国便携式终端显示器由单色ＳＴＮ ＬＣＤ显示器向反射式彩色ＳＴＮ ＬＣＤ ,ＴＦＴ ＬＣＤ ,ＯＬＥＤ等方向发展。从今年开始韩国便携式终端显示器中已不再配备单色ＳＴＮ ＬＣＤ显示器 ,而配备反射式彩色ＳＴＮ ＬＣＤ ,ＴＦＴ ＬＣＤ ,ＯＬＥＤ等显示器。韩国 2 0 0 0年生产的移动电话中 0 .4 %用ＴＦＴ ＬＣＤ显示器 ,ＰＤＡ中 1 5%用ＴＦＴ ＬＣＤ ;2 0 0 1年移动电话中 7%用ＴＦＴ ＬＣＤ ,ＰＤＡ中 3 5%用ＴＦＴ ＬＣＤ。可见便携式终端显示器产品的更新换代是非常快的。在今后的便携式终端显示器市场中 ,反射式彩色ＳＴＮ -ＬＣＤ …     

跳频多址数字式TRS系统技术报告会在京举行

跳频多址数字式ＴＲＳ系统技术报告会在京举行由韩国双龙集团、韩国亚南集团和美国ＧＥＯＴＥＫ公司联合举办的跳频多址数字式ＴＲＳ系统技术报告会于１９９６年８月２０日在北京举行。跳频多址技术（ＦＲＥＱＵＥＮＣＹＨＯＰＰＩＮＧＭＵＬＴＩＰＬＥＡＣＣＥＳＳ，简...     

用于全彩色场致发光显示的氧化物荧光体

已经证明，用过渡族金属激活的氧化物荧光体作为场致发光器件的发光层以获得三角色，是有前途的。例如，发红光用Ｃｒ，发绿光用Ｍｎ与发蓝光用Ｔｉ。也已证明了ＺｎＡｌ２Ｏ４：Ｍｎ或Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ ＴＦＥＬ器件发出的绿光，Ｚｎ－Ｃａ２Ｏ４：ＣｒＴＦＥＬ器件发出的红光与Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｔｉ发出的蓝光均具有高亮度，适于用作全彩色ＴＦＥＬ显示器的三基色。     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

具有同步整流功能的高效单端反激变换控制器ML4863的应用

近年来,为了提高低压变换器的效率,通常采用同步整流技术。为此,需要两种驱动信号,ＭＬ４８６３既可驱动单端反激式变换器初级功率开关（ＭＯＳＦＥＴ）,也可驱动作同步整流的ＭＯＳＦＥＴ。因此大大简化了电路结构,提高了效率,本文介绍了ＭＬ４８６３的内部结构和实际应用电路。