K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te晶体的化学腐蚀特性

Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ晶体的化学腐蚀特性莫玉东（昆明物理研究所昆明６５０２２３）用不同的腐蚀液对Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（ＣＺＴ）晶体的不同晶面尤其是（ｌｌｌ）面进行了多次反复的腐蚀实验。在不同的溶液温度经不同的时间...     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜

国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。     

声表面波大带宽滤波器的设计

报道在Ｙ旋１２７．８６°Ｘ传ＬｉＮｂＯ＿３基片上采用１／８λ＿０，５／８λ＿０结构的切指加权换能器的声表面波滤波器，成功地研制了中心频率为４０ＭＨｚ，３ｄＢ带宽为２０ＭＨｚ，矩形系数（Δｆ＿４０ｄＢ／Δｆ＿３ｄＢ）为１．４８，带内波动＜１．２ｄＢ，带外抑制＞４０ｄＢ．插入损耗＜３８ｄＢ，相对带宽（Δｆ＿－３ｄＢ／ｆ＿０）大于５０％的滤波器。     

一种用于大功率超声清洗换能器的压电材料

通过对ＰｂＭｅ（Ｃａ＿（１／４）Ｍｎ＿（１／４）Ｎｂ＿（１／２））＿ｘＴｉ＿ｙＺｒ＿ｚＯ＿３系材料的研究，并以Ｓｒ￣（２＋）、Ｍｇ￣（２＋）等价取代Ｐｂ￣（２＋），以ＣｅＯ＿２作为添加改性剂，研制出机电耦合系数高（ｋ＿ｐ＝０．６２）、机械品质因数高（Ｑ＿Ｍ＝２０３６）、机械强度高（抗张强度为４４２ＭＰａ）、经时稳定性好的适用于大功率超声清洗换能器的压电材料。     

碲镉汞中的汞空位扩散

在用移动加热器法（ＴＨＭ）生长的碲镉汞（Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ）晶体中，发现在最后凝固部分的载流子浓度明显增加，可以认为载流子与汞空位等同。观测的纵向空位浓度分布可以用一个顾及到沿晶体长度不同部分的热随时间变化过程和依赖于Ｈｇ空位扩散系数的浓度模型作定量描述。     

CATV光纤传输系统设计及维护

ＣＡＴＶ光纤传输系统设计及维护马伟宪根据以上分析，可以建立下面的光路损耗计算公式：Ｌ＿（ｏｓｓ）＝Ｌ·０．３５＋（１＋Ｌ／３）·０．０５＋２·０．３＋１０．ｌｏｇ（Ｎ％）＋０．５＝Ｌ·０．３５＋Ｌ·０．０５／３＋１０·ｌｏｇ（Ｎ％）＋１．１５（４）Ｌ...     

变温长波碲镉汞光电导现象研究

变温长波碲镉汞光电导现象研究郑为建，朱惜辰，保红珍（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文报导了ｎ型Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系研究；并考察了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到了一组光电导的实验...     

KOH对锆钛酸铅铁电微晶性质的影响

用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等实验测试手段,研究了KOH浓度c(KOH)从1 mol/L变化到7 mol/L时,对锆钛酸铅(Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3,PZT)微晶体的晶粒度、晶体结构、晶粒形态、多晶颗粒形态的影响,同时对水热反应的机理进行了讨论.实验结果表明,当c(KOH)从3 mol/L增加到7 mol/L,均有效合成了四方晶相的钙钛矿结构的PZT微晶体;随着水热反应体系c(KOH)的增大,PZT微晶体的晶粒和颗粒尺寸增大、四方度(c/a)减小,晶粒和多晶颗粒均由立方体状变为球状;在浓强KOH水热反应液中,水合Zr(OH)_4和Ti(OH)_4在活化阳离子(K~+)结构重构的作用下,吸附水合Pb(OH)_2,经集结、脱水、结晶生成PZT微晶体.     

单晶炉温场分布对碲镉汞晶体结构的影响

本文论述了不同炉温分布,对比研究温场对碲镉汞晶体结构的影响。     

用VGF法生长6英寸锗单晶中籽晶熔接工艺研究

采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一.在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败.研究了拉速器速度、保温时间及石英棉用量对6英寸(1英寸=2.54 cm)锗单晶VGF生长中籽晶熔接的影响,并确定了最佳的籽晶熔接工艺.研究结果发现,当拉速器速度为3～4 mm/h、保温时间为75～100 min、石英棉用量为15～20 9时,实现了对籽晶熔接工艺的精准控制,熔接长度为12～22 mm,位错密度小于500 cm-2,有效地降低了生产成本,提高了生产效率和单晶率.     

新型长波红外非线性晶体PbIn6Te10的生长

新型长波红外非线性晶体PbIn6Te10具有透光波段宽(1.3~31μm)、非线性系数大(d11=51 pm/V),双折射适宜(~0.05)等优点,在14~25μm乃至25μm以上波段具有较大应用潜力。文中通过相图分析结合具体实验,筛选出较合适的组分配比,并采用高温单温区法合成多晶,布里奇曼法生长出尺寸φ11 mm×55 mm的单晶棒。对生长的PbIn6Te10晶体进行X射线衍射、摇摆曲线、透过率等测试,结果表明,晶体为三方结构,晶格常格为a=b=1.496 1 nm,c=1.825 7 nm,生长出的单晶结晶性较好,半高宽(FHWM)约0.253°,2.5~25μm波段晶体的平均透过率在50%以上,对应收系数处于0.3~0.6 cm-1之间。     

反射式掺杂液晶光子晶体光纤电场传感实验研究

提出了一种反射式结构的掺杂向列液晶(NLC)光子晶体光纤(PCF)电场测量传感器。传感器由小于1cm长的掺入液晶实芯PCF构成,在掺杂光纤端面镀Ag膜以提高端面反射率。通过实验,测量出了反射光强随电场强度增加的变化情况,证实了设计的传感器可以用于电场在1.4～3.7kVrms/mm范围内的电场测量,同时获得了镀膜对反射光强的影响以及对传感器灵敏度、精度的影响。     

新型激光晶体Y_3(In,Ga)_2Ga_3O_(12):Cr~(3+)的光谱特性

Gd_3(So,Ga)_2Ga_3O_(12):Or~(3+)(简称GSGG:Cr~(3+))是一种性能优异的终端声于激光晶体。其晶场强度较弱,电子-声子耦合作用较强,室温下可观测到强的半宽度约为100nm的终端声子发射谱带,同时已在实验上观察到了室温下的宽带连续可调谐激光输出。自报道以来倍受人们重视。但因钪(Sc)的稀有昂贵使其应用受到局限。作者曾以离子半径与之相近的In离子替代Sc,生长出Gd_3(In,Ga)_2Ga_3O(12):Cr~(3+)(简称GIGG:Cr~(3+))单晶,其晶场强度与GSGG:Cr~(3+)相同,但斯托克斯频移及荧光带宽都明显比GSGG:Cr~(3+)小,结果不甚理想。     

SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂特性研究

通过扫描电镜(SEM)观察了SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂面形貌。模拟了SiC籽晶与AlN晶体之间的应力分布。通过计算不同晶面的面间距,确定了六方晶系的AlN晶体中m面为解理面。拉曼光谱仪对不同晶面的特性进行了表征。结果表明,断裂面为m面,即裂纹扩展并沿m面解理形成断裂面。切割面为c面,AlN沿垂直于c方向生长。拉曼光谱中波数为656.2 cm-1的（E2(high)声子模为AlN单晶中的特征拉曼峰） 声子模式的半高宽为6.5 cm-1,晶体质量高。残余的张应力是裂纹产生的主要原因。     

太赫兹频段一维介质光子晶体中的史密斯-帕塞尔辐射特性模拟

基于Smith-Purcell(SP)效应,采用粒子模拟的方法探讨了电子束团激发一维介质光子晶体中的SP辐射特性.模拟研究了单个束团激发一维介质圆柱光子晶体产生的SP辐射现象,并对周期束团激发的THz频段的相干SP辐射进行了模拟分析.研究表明,提高介质的相对介电常数和增加光子晶体的层数都可使辐射强度增加,选择合适的参数能够有效地增强THz频段的相干SP辐射强度.     

通信波段液晶电光特性的实验研究

利用偏光干涉理论,通过对BL-009型向列相液晶透射比的测试,分析了液晶透射比随电场的变化情况,对液晶的电控双折射效应进行了研究。在20℃下,利用岛津UV-3101PC分光光度计,通过改变加在液晶盒两端的电压,测出了入射光波长为1 330 nm和1 550 nm时液晶双折射率随电压变化的关系曲线。实验结果表明:当液晶盒两端加1 V电压时,入射光波长从1 310 nm到1 350 nm有一较稳定的高透射带;加2 V电压时,从1 520 nm到1 580 nm有一比较稳定的高透射带。     

液晶电控效应的实验研究

详细阐述了液晶的电光效应,介绍了利用分光光度计测量液晶透射比的方法。通过改变加在液晶盒上的电压大小及其频率高低,详细测量了液晶的透射比。通过做图分析了液晶的电控双折射效应,得出液晶的透射比随所加电压的大小和频率的高低而变化,以及液晶的阈值电压随频率的增高而减小的规律,这对液晶器件的设计与研究均具有一定的参考价值。