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集成电路局部缺陷模型及其相关的功能成品率分析 总被引:2,自引:0,他引:2
大规模集成电路(VLSI)使亚微米特征尺寸的大面积集成电路制造以及集成数百万个器件在一芯片上成为可能。然而,缺陷的存在致使电路版图的拓扑结构发生变化,产生IC电路连接错误,导致电路丧失功能,从而影响IC的成品率,特别是功能成品率。文章主要对缺陷的轮廓模型、空间分布模型和粒径分布模型作了介绍;对集成电路成品率的损失机理作了详细论述。最后,详细介绍了功能成品率的分析模型。 相似文献
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本文论述了寻代缺陷源的工作,缺陷会导致硅片上的管芯失效。要做这一工作,必须能够在线确定缺陷的类型和密度,以确定缺陷是在工艺中的哪几步产生的。通常有两种方法:一种是用显微镜对产品或测试片进行检查;第二种是使用电测试结构的短流程试验,在作VLSI技术的工程分析时,这两种方法都有明显的局限性。镜检的数据缺乏可重复性,并且,不同操作者的结果有很大降到很低的水平。电测试结构需要一层经光刻和腐蚀的导电薄膜,使 相似文献
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现有成品率及关键面积估计模型中,假定缺陷轮廓为圆,而实际缺陷轮廓为非规则形状.本文提出了矩形缺陷轮廓的成品率模型,该模型与圆模型相比,考虑了缺陷的二维分布特性,接近真实缺陷形状及IC版图布线和成品率估计的特点.比较了新模型与真实缺陷及其圆模型引起的成品率损失,表明新模型在成品率估计方面更加精确,这对成品率精确估计与提高有重要意义. 相似文献
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缺陷是影响集成电路成品率与可靠性的主要因素.本文在区分缺陷与故障两个概念的基础上,将缺陷区分为成品率缺陷(硬故障)、可靠性缺陷(软故障)和良性缺陷.利用关键区域的面积,给出了一个缺陷成为"硬故障"或"软故障"的概率,给出了精度较高的IC成品率预测模型.利用成品率缺陷与可靠性缺陷之间的关系,给出了工艺线生产的产品的失效率与该工艺线制造成品率之间的定量关系.在工艺线稳定的条件下,通过该工艺线的制造成品率可以利用该关系式可以有效的估计出产品的失效率,可以有效地缩短了新产品的研发周期. 相似文献
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随着半导体技术的不断发展 ,在硅芯片制造过程中应用行之有效的缺陷检测、分类和管理技术 ,以提高成品率、降低生产成本将变得越来越重要 ,其中最为关键的任务即是能够尽可能早地鉴别缺陷类型及其可能的成因。配以LEICAADCNT系统的LEICAINS30 0 0缺陷复检和自动分类系统能根据建立的数据库对硅片上的缺陷进行自动复检、分类和统计。帮助工程师们从缺陷类别的角度来实施缺陷管理 ,加速了诊断工艺问题的进程 ,从而达到提升成品率、降低成本的目的。 相似文献
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首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型,并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程,给出了IC功能成品率模拟器XD-YES的实现。用XD-YES对微电子测试图和实际IC的功能成品率模拟和分析表明,其结果与实际符合很好,从而表明XD-YES的可行性和实用性。 相似文献
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集成电路制造要经过成百上千个步骤,如果有一个步骤出现问题就会导致产品报废。所以在制造过程中及时发现问题,并给出有效的纠正预防措施就显得非常重要。介绍了在集成电路制造中使用统计过程控制SPC的方法,建立有效的控制规范和合理的监控频率,以便及时发现制程中存在的问题,及早制定出纠正预防措施,减少异常面的扩大。通过案例分析,详细介绍了统计过程控制SPC在集成电路制造中的运用,通过使用统计过程控制SPC的方法逐步提升制程能力,将制程稳定在受控状态。 相似文献
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简要论述了集成电路的发展和特大规模集成电路中部份硅生产工艺技术近几年的发展趋势。特大规模集成电路仍然朝着较大直径的硅单片和较小的特征尺寸方向发展。当特大规模集成电路特征尺寸在0.1μm以下时,角度限制散射投影电子束光刻和极紫外线光刻以及离子投影光刻等光刻技术是较佳侯选者。离子注入掺杂技术将向高能量与低量离子注入领域发展。淀积可靠耐用的TiN薄膜阻挡层是下一步溅射工艺的发展目标。集成电路的生产将向自动化方向发展。 相似文献
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葛羽屏 《电气电子教学学报》2017,39(3)
本文研究了如何有序变化地设计组织课堂教学,结合多种方法,上好理论性很强的高职学院 "集成电路制造工艺"课程.创新出表格式阐述,如口诀来帮助理解记忆;进行集成电路制造工艺交互任务设计并分组实施.同时结合交互式教学课件等资料,开展动态教学. 相似文献