取代苯基硫脲在Au表面自组装单分子膜的AFM观察

采用自组装（ＳＡ）技术制备了对甲苯基硫脲、对氯苯基脲和２，４，６－三溴苯基硫脲Ａｕ表面的自装单分子膜（ＳＡＭｓ）。在Ａｕ－溶液界面，硫脲Ｓ原子与Ａｕ－Ｓ键诱导吸附分子形成取向在序排列的单分子膜。用原子力显微镜（ＡＦＭ）对单分子膜进行了直接观察，ＡＦＭ所获得的结构信息与椭圆偏振测量、接触角测量和Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析结果一致。     

Mo／Si多层膜界面离子束处理及TEM观察

Ｍｏ／Ｓｉ多层膜界面离子束处理及ＴＥＭ观察薛钰芝Ｒ．Ｓｃｈｌａｔｍａｎｎ，林纪宁Ａ．Ｋｅｐｐｅｌ，Ｊ．Ｖｅｒｈｏｅｖｅｎ（大连铁道学院，大连１１６０２２）（荷兰ＦＯＭ原子分子物理研究所）软Ｘ射线多层膜（ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｆｏｒＳｏｆｔＸ－ｒａｙＯ...     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

CS2,SO2对亚稳态CO（a）的猝灭及化学发光

本文利用流动余辉技术测定了ＣＳ２、ＳＯ２对亚稳态分子ＣＯ（ａ）的电子态猝灭速率常数，实验中观察到ＣＳ２、ＳＯ２对ＣＯ（ａ）的猝灭产物ＣＳ（Ａ，ａ－Ｘ）、ＣＳ＾＋２（Ａ－Ｘ），ＳＯ（Ａ－Ｘ）的化学发光，讨论了猝灭和产物的形成机理测量得了产物的形成速率常数，获得了产物初生振动布居的信息，并用统计模型对态布居进行了分析。     

五品牌手机生产日期轻松辨

爱立信（ＥＲＩＣＳＳＯＮ） 输入（右*左*左*左*）后会显示： ＡＢＣＤＥＦ ＧＨＩＪ ＰＲＧＸＸＸＸＸＸＸＸＸ ＡＢＣＤＥＦ为年、月、日（ＹＹ／ＭＭ／ＤＤ） 诺基亚（ＮＯＫＩＡ） 输入*＃０００＃显示： ＶＸＸ·ＸＸ为软件版本, ＤＤ－ＭＭ－ＹＹ为生产日期（日－月－年）, ＮＸＸ－Ｘ为手机型号：如３３１０为ＮＨＭ－５。 摩托罗拉（ ＭＯＴＯＲＯＬＡ） 查ＭＳＮ（在手机标贴上）内容,ＭＳＮ长度为十位： ＡＡＡ－Ｂ－ＣＣ－ＤＤＤＤ ＡＡＡ为型号代码（Ａ７４－ Ｃｄ９２０／９２８, Ａ８４ ２０００）; Ｂ为产地代码（２－…     

β—FeSi2／SIMOX—一种新结构的光电子材料

本采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性。     

β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料

本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性．     

OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ｂ）两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行了加速寿命试验，得到其中值寿命（ＭＴＦ）相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流应力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律     

Ne^3P0,2）与乙腈的能量转移反应研究

在流动余辉装置上，我们研究了亚稳态原子Ｎｅ（＾３Ｐ０，２）与乙腈的能量转移反应，观察到了ＣＮ（Ａ－Ｘ），ＣＮ（Ｂ－Ｘ），ＣＨ（Ａ－Ｘ）的发射谱。计算了ＣＮ（Ａ，Ｂ）的相对振动粒子数布居，并对该反的机理进行了讨论。     

用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜

用ＰＥＣＶＤ淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜,ＳｉＦ４的流量达到６０ｓｃｃｍ时,薄膜的相对介电常数可以降低到３．２。对试样的ＦＴＩＲ分析表明,薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测试表明,薄膜介电常数随氟含量的增加而减小,但薄膜的吸水性随氟含量的增加而变大。并进一步讨论了介电常数和薄膜稳定性与薄膜中氟原子含量之间的内在联系。     

F原子与胺类分子反应的可见化学发光研究

在交叉分子束装置上，进行了F原子与胺类分子（甲胺、乙胺、正丙胺、正丁胺）反应的可见化学发光实验研究，依次观察到了HF（3，0）、（4，0）、（5，1）、（6，2）、（7，3）、（8，4），HCF（A－X）和CN（A，B－X）的发射光谱．除F原子与甲胺的反应外，其余反应还观察到TCH（A－X）发射谱．依据产物光谱强度随反应物和反应压力的变化，对F原子与胺类分子反应的动力学过程进行了分析．     

低介电常数含氟氧化硅薄膜的红外光谱分析

用等离子体化学气相淀积 (PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜 (Si OF薄膜 )。通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR)分析 ,研究了氟掺入后薄膜结构的变化 ,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响。研究表明氟掺入后改变了 Si- O键上的电荷分布 ,降低了薄膜中 Si- O键的极性 ,导致 Si- O键伸缩振动吸收峰发生蓝移。同时氟的掺入抑制了强极性 Si- OH键的形成。这些变化有利于薄膜中离子极化和偶极子转向极化的降低 ,因而使薄膜介电常数减小。对 Si- F吸收峰的高斯拟合表明 ,在氟含量较高时 ,薄膜中掺入的氟一部分会以 Si F2 结构存在。由于 Si F2 结构稳定性较差 ,易与水汽发生作用 ,因而高氟掺杂的 Si OF薄膜易吸水 ,并使薄膜性能变差     

Polycrystalline-silicon LPCVD by silane pyrolysis: The effect of hydrogen injection

Experiments are conducted to investigate the effect of hydrogen injection on polycrystalline-silicon (poly-Si) deposition by silane (SiH₄) pyrolysis at 640–700°C in an industrial hot-wall LPCVD reactor, the hydrogen concentrations being comparable with the silane concentration. The main results are as follows: (1) Hydrogen injection raises the activation energy of silane pyrolysis from 171 to 247 kJ/mol. (2) Hydrogen injection considerably retards silane pyrolysis by affecting the molecular mechanism of the reaction in the gas phase, the effective reaction order in hydrogen being ?2 ± 0.02. (3) The expended silane percentage is a complicated function of surface-area-to-volume ratio. (4) Process conditions at 700°C are identified that provide a uniform profile of deposition rate along the heated zone of the reactor; having doped with phosphorus, poly-Si films thus obtained are found to have conductivities 1.5 to 2 times as high as those of films deposited under standard conditions at 640°C and doped in the same fashion.     

基于辨识性统计特征的PQ隐密图像识别算法

提出一种基于辨识性统计特征的PQ（perturbed quantization）隐密图像识别算法。该算法根据经典PQ隐写对图像数据的更改方式,提取可有效区分该类隐密图像与其他类隐密图像的辨识性统计特征,并运用SVM（support vector machines）分类器进行分类识别。实验结果表明：本算法能够可靠地将PQ隐密图像从5类典型JPEG隐写PQ、F5、nsF5、MB1和MOD的隐密图像中识别出来;即使F5、nsF5、MB1和MOD的隐密图像不参与分类器的训练,本算法仍能有效识别PQ隐密图像。     

sol-gel法制备表面改性纳米氧化锌

采用Zn(NO3)2.6H2O和NH3.H2O及合适的表面改性剂,通过sol-gel前驱体法,制备了高纯度的纳米ZnO粉体。采用激光粒度分析、SEM、XRD等手段,对所制备的粉体进行了表征。并研究了主盐浓度、反应温度、反应体系的pH值、表面改性剂等因素对ZnO晶体形成过程和显微结构的影响。结果表明:在Zn2+浓度为0.1mol/L、反应体系温度为50℃、pH值为6.0,采用聚乙二醇(PEG-2000)作为表面改性剂,将制得的前驱体在400℃分解2h,获得了纯度高、分散性好、结晶完整、粒度分布窄、粒状的纳米ZnO粉体。     

Reliability investigations on LIFT-printed isotropic conductive adhesive joints for system-in-foil applications

The reliability of a commercially available isotropic conductive adhesive (ICA) deposited via laser induced forward transfer (LIFT) printing is reported. ICAs are particularly important for surface mount device (SMD) integration onto low-cost, large-area system-in-foil (SiF) applications such as radio frequency identification (RFID) transponder tags. For such tags, and for SiF in general, the reliability of the printed interconnects under harsh circumstances is critical. In this study, the reliability of surface mounted resistors bonded onto screen-printed conductive circuitry on polymer foil was assessed. The prepared samples were subjected to thermal shock testing (TST), accelerated humidity testing (AHT) and flexural testing, while electrical measurements were conducted at regular intervals. Die shear testing was performed to evaluate the bond strength. The reliability characteristics of the LIFT-printed samples were benchmarked against current industry standard stencil printing process. Finally, the applicability of the LIFT–ICA process for practical applications is demonstrated using RFID transponder integration and testing.     

晶体硅太阳电池减反射膜的研究

在太阳电池表面形成一层减反射薄膜是提高太阳电池的光电转换效率比较可行且降低成本的方法。应用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）系统,采用SiH4和NH3气源以制备氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生长氮化硅薄膜的基本物化性质以及在沉积过程中反应压强、反应温度、硅烷氨气流量比和微波功率对薄膜性质的影响。通过大量实验,分析了氮化硅薄膜的相对最佳沉积参数,并得出制作减反射膜的优化工艺。     

微波活化制备双电层电容器用活性炭的研究

以炭化椰壳为原料,微波活化制备出高比电容量双电层电容器用活性炭。考察了微波辐射时间、起电弧时间,以及KOH与炭化椰壳配比对活性炭比电容量的影响。结果表明,在微波辐射时间为7min,起电弧时间为5min,KOH与炭化料质量比约为3∶1时,比电容量达266.71F/g。以该活性炭作电极的双电层电容器具有良好的充放电性能和循环稳定性能。