《电子产品世界》3月份出版的《测试测量专刊》获奖读者名单

叶关山(西安)张成钢(深圳)王寿年(上海)王林泉(上海)田金凤(上海)杨磊(成都)沈浩波(上海)陈少华(北京)徐筱棣(北京)庄军(哈尔滨)李攀峰(上海)王鸿杰(杭州)回志业(深圳)穆佳楠(黑龙江)司农(北京)王单(四川)于志伟(滨州)周小澄(深圳)张欣德(内蒙古)王立明(北京)黄寿星(深圳)王燕(广州)杨竹林(深圳)胡行毅(北京)雷萍萍(黄石)张增昌(深圳)李海峰(吉林)任顺尧(成都)祝军生(桂林)王永军(阜新)郭世荣(梧州)李乾龙(天津)卫辉(广州)陈卯蒸(乌鲁木齐)唐黎明(深圳)唐一龙(桂林)任国栋(安徽)余恺(上海)高峰(成都)周勇(深圳)何斌(浙江)王武军(北京)陈晓宁…     

Ca~(2+)、Y~(3+)共掺杂CeO2对其发射率性能影响

本文通过共沉淀法,以草酸为沉淀剂,Ca~(2+)、Y~(3+)共掺杂CeO_2来降低其高温下红外发射率,并且Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体发射率最低,最小值为0.271。再用两种不同沉淀剂KOH及NH_4HCO_3分别合成Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体,所得结果可知,KOH为沉淀剂所合成的Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体发射率最低,最低值为0.223。通过γ射线辐照处理Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体,可使其最低发射率由0.271降至0.187。     

下一代网络的发展趋势:融合与开放——访中国数字电视国家工程研究中心首席科学家张文军教授

正2012年4月17~19日,在全美广播电视设备展NABShow2012期间,中国数字电视国家工程研究中心(NERC—DTV)联合美国高级数字电视系统委员会(ATSC)、美国电子与电气工程师学院广播技术协会(IEEE-BTs)、美国全国广播电视协会(NAB)、美国公共广播电视台(PBS)、欧洲数字电视广播标准组织(DVB)、欧洲广播电视联盟(EBU)、加拿大广播公司(CBC)、加拿大通信研究中心(CRC)、日本NHK广播电视协会(NHK)、韩国电子通讯研     

PZT-BF-MCX系压电陶瓷的烧结和电性能

研究了Pb(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为PCN)、Pb(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为PCW)、 Sr(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为SCN)、Sr(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为SCW)、Ba(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为BCN)及Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为BCW)第四组元(简为MCX)对低温烧结的PZT-BF-MCX(其中PZT为Pb(ZrTi)O_3,BF为BiFeO_3)系压电陶瓷的烧结和电性能的影响。发现PCW的降温效果最好,BCN的综合改性效果最佳。所获得的最佳配方可在950℃下烧成,其主要性能已达到或接近我国医用超声压电陶瓷材料专业标准(ZBC《医用超声压电陶瓷材料》(送审稿),1990年12月广州会议通过)中规定的发射型材料要求。     

图象通信的最近进展动向

本文先说明图象(image)与电视(video)的涵义和区别,多种业务综合(integratedservices)与多种信息结合(multimedia)的涵义和区别,有线电视(CATV)与交互电视(interactive)的涵义和区别,个人通信网(PCN)与屋内通信网(CPN)的涵义和区别。然后叙述数字图象与电视压缩编码(Video (?)mpression)的原理和发展,以及数字高清晰电视(HDTV)在通信、广播的应用和发展。     

浅析静电纺丝技术制备多种结构的纳米线

文章采用静电纺丝法制备La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3和TiO_2的纳米线,先配置La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3和TiO_2的前驱体溶液,并把它们放在静电纺丝机下纺丝后退火,得到了La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3和TiO_2的单根纳米线。在此基础上,利用同轴针头,在外层加入La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3溶液,芯层加入TiO_2溶液,观察得到纳米线的结构形貌,确定得到了La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3_TiO_2的同轴纳米线。在静电纺丝技术下,笔者成功实现了对纳米线结构的控制。     

第五届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主 编(Editor-in-Chief)林金庭(Ln Jiming) 副主编(Deputy Editor-in-Chief)过常宁(Guo Changning) 金硫拴(Jin Yuquan) 景佩苏(Jing Peisu) 委 员(Editorial Committee) 毛昆纯(Mao Kunchun)王因生(Wang Ylnsheng) 王福臣(Wang Fuchen)许居衍(Xu Jugan)(特约) 华培忠(Hua Peizhong)冷家波(Leng Jiabo) 邵 凯(Shao Kai)陈克金(Chen Kejin) 陈效建(Chen Xiaojian)罗运生(Luo Yunsheng) 顾世惠(Gu Shihul)程棋祥(Cheng Qixiang) 熊承望(Xiong Chingkun)薛妨时(Xue Fangshi) 编 辑(Editor) 陶明德(Tao Mingde)蔡耀斌(Cat Y…     

第四届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主 编(Editor-in-chief)林金庭(Lin Jiming)副主编(DePuty Editor-in-Chief)过常宁(Guo Changning)szfli{锥(Jin Yuuuan)委 员(Editorial Committee) 毛昆纯(Mao Kunchun)王福臣(Wang Fuchen)刘良俊(Liu.iangjun) 冷家波(Leng Jiabo)罗运生(Luo Yunshe。g)林树治(Lin Shuzhi) 陈效建(Chen Xiaojian)徐稼迟(Xu Jiachi)顾世惠(Gu Shihui) 熊承望(Xiong Chengkun)编 辑(Editor) 陶明德(Tao Mingde)景佩苏(Jing Peisu)A\耀斌(Cat Yaobin)英语编辑(EDglish EdtOO)俞静娟(Yu Jingjggn)美 工(Advertisement Staff)周惠忠(Zhou …     

2014国际光电技术与应用系列创新研讨会征文通知

正会议网站:www.cnoenet.com/2014IPTA会议时间:2014年5月13-15日摘要截稿:2014年4月15日(第三轮)主办单位:中国宇航学会、中国高科技产业化研究会联合主办:国际光学工程学会(SPIE)、美国光学学会(OSA)承办单位:中国宇航学会光电技术专业委员会大会主席:金国藩院士(清华大学)庄松林院士(上海理工大学)合作期刊(持续增加中):JEOS:RP(SCI)、Applied Physics A(SCI)、Optical Engineering(SCI)、红外与激光工程(Ei)、光学精密工程(Ei)、强激光与粒子束(Ei)、中国光学,等     

微电子行业职工安全教育的新尝试(附注)

微电子行业消防安全知识考试竞赛答案1　是非题(1)是(2 )非(3)非(4 )是(5 )非(6 )非(7)是(8)非(9)非(10 )非2　选择题(1)B(2 )B(3)C(4 )D(5 )B(6 )A(7)D(8)C(9)B(10 )B3　填空题(1)隐患 ,防范。(2 )普通 ,油类 ,电气 ,金属。(3)冷却 ,隔离 ,窒息。(4 ) 119,110。(5 )吸烟 ,灭火器。(6 )略 (根据本单位实际情况作答 )。4　简述题略 (根据本单位实际情况作答 )微电子行业职工安全教育的新尝试(附注)@陈毅功$华润微电子控股有限公司!广东深圳518001…     

Al/LB绝缘膜/Si结构界面态研究

I—V特性法表明单层LB聚酰亚胺膜(～0.5nm)MIS结构的界面态密度为10~(12)～10~(13)cm~(-2)eV~(-1)。对11和41层LB聚酰亚胺膜,DLTS测试得到的界面态密度分别为10~(12)～10~(13)和10~(11)～10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。所有结果表明,在硅禁带中央附近具有较大的界面态密度。     

第四届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

<正>主编(Editor-in-Chief) 林金庭(Lin Jinting)副主编(Deputy Editor-ic-Chief) 过常宁(Guo Changning) 金毓铨(Jin Yuquan)委员(Editorial Committee)毛昆纯(Mao Kunchun) 王福臣(Wang Fuchen) 许居衍(Xu Juyan)(特约)冷家波(Leng Jiabo) 罗运生(Luo Xunsheng) 邵凯(Shao Kai)陈效建(Chen Xiaojian) 顾世惠(Gu Shihui) 程祺祥(Cheng Qixiang)熊承堃(Xiong Chengkun) 薛舫时(Xue Fangshi)     

好消息

1.《电子世界》2004年度幸运读者名单一等奖(5名):李东风(广州) 王大兵(安徽) 赵文华(湖北) 王春杰(河北) 辛立(江苏)二等奖(10名):杨阳(武汉) 任效明(河北) 何浩(广州) 匡江山(广州) 杨占军(吉林) 程敏(合肥) 郭春柱(福建) 孙申同(济南) 赵玉安(湖北) 王江(深圳)三     

特效文字大制作

特效文字一 (1) 进入Photoshop5.0; (2) 用File菜单下的New命令创建一个图像文件,文件尺寸设置为400×200Pixels(像素),模式设为RGB Color,分辩率(Resolution)设为72Pixels/Inch,背景(Contents)设为白色; (3) 进入文字工具,设置字体(Font)、大小(Size)等选项后,在工作区输入“特效文字”四个字; (4) 用工具箱中的移动工具调整文字到合适位置; (5) 用Layer(图层)菜单下的Merge Down(两个图层合并)命令     

第四届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主 编(Edtor-in-Chief)林金庭(Li。1i。ting)副主编(DePuty Edtor一n-Chief)过常宁(Guo Clianzninz)金蹦拴(Jinyuquan)委 员(Editorial Committee) 毛昆纯(Mao Kunchun)王福臣(W aug Fuchen)刘良俊(L1u L1angjgn) 许居衍(Xu Juyan)(特约)冷家波(Leng Jiabo)罗运生(Luo Xunsheng) 林树治(Li。Shuzhi)陈效建(Chen Xiaojian)徐稼迟(Xu Jiachi) 顾世惠(Gu Shihui)熊承堑(Xiong Chenznun)编 辑(Editor) 陶明德(Tao Mingd。)景佩苏(Jing Peisu)蔡耀斌(Cat Yaobin)英语＄M(Eng"sh Edtor) 俞静娟(Yu Jinsjuan)美 工(AdV6rtiSSS…     

临界导电模式下PFC储能电容电压及电流分析

针对工作于临界导电模式下(CRM)的功率因数校正器(PFC)的输出储能电容有效值(RMS)电流及其电压纹波,进行了详细的教学推导.对功率因数校正(PFC)和临界导电模式(CRM)进行了简要的介绍,给出了临界导电模式下(CRM)输出储能电容(Bulk Capacitor)的有效值(RMS)电流及其输出电压纹波(Rippl...     

作者索引

BA Fa-hai(巴发海)287,707BAI Jin-tao(白晋涛)923BAI Shao-xian(白少先)1664BAO Cheng-yu(包成玉)622BAO Jian-hua(鲍建华)1421BAO Nai-keng(鲍乃铿)1489BAO Xing-he(鲍星合)1397,1549BAO Yong(薄勇)1477Bayanheshig(巴音贺希格)301BI Yong(毕勇)13,453BI Zhi-yi(毕志毅)655BIAN Bao-min(卞保民)1101BO Lin-hou(柏林厚)1086BU Yang(步扬)475,1178BU Yi-kun(卜轶坤)597,1017CAI Bang-wei(蔡邦维)379CAI Hai-wen(蔡海文)83,232,441,549,1357,1397CAI Jian(蔡建)889CAI Lan(蔡兰)1006,1300CAI Qing-kui(才庆魁)6…     

La掺杂对Ca_(3-x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y复合热电材料的性能优化研究

采用助溶剂法和固相反应法分别合成Ca_(3-x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)(0≤x≤0.16)和Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y陶瓷粉体,通过热压烧结制备Ca_(3–x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y复合热电材料,研究了La掺杂对复合热电材料的微观结构、物相组成和热电性能的影响。结果表明:La掺杂复合热电材料的XRD谱与标准JCPDS卡保持一致,没有引进新的杂质;La掺杂样品的电导率和Seebeck系数同时增加,功率因子得到显著提高。在973 K时,Ca_(2.92)La_(0.08)Co_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y样品的功率因子达到4.477×10~(–4 )W·m~(–1)·K~(–2)。     

数字通信技术讲座：第八讲 Internet网络服务

Internet能在较短时间内获得高速发展,与它能提供内容丰富且不断扩展的网络服务分不开,这些服务主要有Telnet(远程登录)、FTP(文件传输)、E-mail(电子邮件)、Archie(快速寻找)、Gopher(菜单式浏览工具)、Netnews(网络新闻)、WAIS(数据库查询工具)和     

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.