准上贝氏体BF／AR界面错配位错的TEM观察

运用透射电镜研究了含Ｓｉ钢准上贝氏体中贝氏体铁素体（ＢＦ）／残余奥氏体（ＡＲ）的界面错配位错，发现是混合型位错，使得界面能沿其法线方向作滑移运动，表明贝氏体可以切变形成。     

多铁性材料中螺型位错与含弱界面圆形夹杂的相互作用

考虑无穷远反平面力载荷和平面内电磁载荷情况下,横观各向同性的压电磁介质中广义螺型位错与含非完整界面的圆形夹杂的电磁弹性耦合效应。广义螺型位错位于基体的任意一点处并且在其位错核上作用有点力、点电荷和线电流。通过运用复变函数方法,得到了电磁弹性场的解析解。借助于广义的Peach-Koehler公式,求解出了广义螺型位错上位错力的精确表达式。研究了非完整界面对夹杂区域中电磁弹性场的影响。讨论了各种参数(非完整界面,材料匹配性和位错位置)对作用在非完整界面附近广义螺型位错上位错力的影响规律。这些基本解可以作为分析压电磁介质中相应裂纹问题的格林函数。     

晶体生长机理的研究综述

控制晶体生长使材料达到最高的强度可以采取两条相反的途径:一是尽量增大位错密度,非晶态材料就可看成是位错密度极高的材料;二是尽量减少位错密度,晶须就是这种方法的一个实例.晶体生长理论研究包括晶体成核理论、输运理论、界面稳定性理论、界面结构理论和界面动力学理论的体系.揭示了晶体生长的基本过程,介绍了晶体生长的机理,概述了晶体生长理论研究的技术和控制晶体生长的途径及手段,阐述晶体生长研究的发展方向,以及晶体生长与界面相的关系.这将对晶体生长的实践起着一定的指导作用.晶体生长理论研究的发展方向是使晶体生长过程可视化,这也是晶体生长实验技术的最终目标.     

金属界面的计算机模拟

用分子动力学模拟方法研究了金属－金属在形成界面前后以及静态和动态过程中的力学性质,从而证实界面的存在影响了材料的力学性质,以及失配位错对界面性质的影响。     

同质位错缺陷二维声子晶体带隙结构及传导模的研究

为了研究声子晶体因缺陷而产生的声波导问题,提出了同质位错缺陷模型.以二维铝圆柱/空气体系正方格子声子晶体为研究对象,采用平面波法结合超元胞的方法研究了声子晶体同质位错结的传导模.结果表明,横向位错效应与线缺陷相似,它可以使处于禁带频率范围内的声波沿位错通道进行传播,形成声波导;纵向位错效应由于其对称性而类似于点缺陷,界面两边3个最接近的"格子"形成腔,因而能够产生局域模.横向位错距离和纵向位错距离的大小将影响传导模的位置和数量.     

压电材料中螺型位错与含裂纹非理想界面 圆形夹杂的干涉效应

研究了在无穷远反平面剪切和面内电场的共同作用下一个压电螺型位错与含裂纹非理想圆形界面夹杂的电弹耦合干涉作用;运用复变函数方法,获得了该问题的封闭形式解,给出了基体和夹杂区域的广义应力场和位移场;利用Peach-Koehler公式,计算了作用在位错上像力的解析表达式;讨论了裂纹的几何尺寸、非理想界面、以及材料常数对位错力(像力)的影响规律.研究表明:裂纹和界面非理想性对位错力以及位错平衡位置的扰动效应较大.     

基体界面屈服强度和残余应力失配对界面裂纹扩展的影响

对基体界面屈服强度和残余应力失配情况下的界面裂纹扩展机制进行了力学理论分析,并通过位错与裂纹的关系理论计算了界面裂纹尖端塑性区尺寸。结果表明:当界面裂纹由低强度区向高强度区扩展时,高强度区的残余压应力和屈服强度减少了裂纹尖端的塑性区长度和裂纹尖端张开位移,从而起到了抑制界面裂纹扩展的作用。     

计算机模拟界面失配位错对复合材料力学性能的影响

复合材料的界面问题是材料研究的难点之一．实验手段复杂且难以获得准确数据．利用计算机模拟方法研究界面结构与力学性能现已成为界面研究的重要方法．本文利用分子动力学模拟了错配比分别为３％和１５％的ＡＧ／州和Ｃｕ／Ｎｉ两种界面在静态弛豫和动态弯曲过程中的原子结构和力学性能曲线．结果表明，界面失配位错的错配比不同，其力学性能亦不同．     

Al-Cu-Mg-Ag合金中半共格Ω析出相与位错的交互作用

通过透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜研究了Al-Cu-Mg-Ag合金在变形过程中位错与Ω析出相的交互作用.研究表明:对于与基体呈半共格的Ω相,位错在变形过程中是切割过而不是绕过Ω相.位错切割Ω相形成的衬度变化以及细小的台阶可通过透射电子显徽暗场相和高分辨电子显微镜观察到.位错切割Ω相后留下由一系列同号位错组成的台阶,台阶的界面有很高的应变能.这种高的应变能阻碍了位错的连续切割,使得台阶的同一位置及附近只能被位错切割有限的次数,从而限制了台阶的高度.在位错切割Ω相后留下的台阶附近,原子的周期性排列遭到破坏,形成了一个刃性位错.由于Ω相与Al基体有不同的晶体结构,因此其滑移系(滑移方向与滑移量的大小)不同,位错在基体中的滑移方向是沿[011]方向,而在Ω相中的滑移方向是沿[001]方向,2个滑移方向有近30°的夹角.     

碳化硅颗粒和界面脱粘对SiCP/Al复合材料变形行为的影响

为研究SiC颗粒增强铝基复合材料的强化与断裂模式,采用修正的等效介质模型定量计算加入碳化硅颗粒后基体组织变化、颗粒尺寸分布和界面脱粘对12%的SiC(5 μm)/Al（体积分数）复合材料的弹塑性变形的影响。理论计算与实验获得的应力-应变关系符合得较好,研究表明,碳化硅颗粒加入后,基体载荷转移、基体晶粒细化和因热错配造成的高密度位错提高了复合材料的流动应力,界面脱粘则降低复合材料的流动应力;载荷转移、晶粒细化、位错强化是SiCP(5 μm)/Al复合材料的主要强化机制,而界面脱粘、基体韧性断裂是其主要的断裂模式。     

Banach代数中的行列式理论

探讨了 Banach 代数中的行列式理论.给出了具有单位元的迹 Banach 代数具有行列式的充要条件.     

非织造布滤料性能及过滤过程的研究进展

对近年来非织造布滤料的研究进展做了简要综述,介绍了内部结构的研究及表征、过滤性能及其影响因素、过滤过程的计算机模拟,指出进一步发展所需要解决的问题。     

Towards Excellence in Science Chinese Academy of Sciences

<正>May 26,2014,BeijingScience is a human enterprise in the pursuit of knowledge.The scientific revolution that occurred in the 17th Century initiated the advances of modern science.The scientific knowledge system created by human beings,the tremendous productivity brought about by science,and the spirit,methodologies and norms formulated in scientific practice since the 17~(th)Century have long become essential elements of     

SCIENCE CHINA Technological Sciences SUBJECT INDEX TO VOLUME 57(2014)

<正>~~     

高师物理专业人才培养与基础教育衔接问题的研究

分析了当前高师物理专业人才培养与基础教育人才需求存在的问题,结合调查情况,提出了高师物理专业在培养目标、课程设置、教学内容、教学方法及实践教学环节方面的改革措施。     

JOURNAL OF BEIJING INSTITUTE OF TECHNOLOGY TOTAL CONTENTS(Vol.23)

正~~     

鞋面织物染整过程节能减排技术方法

鞋面织物染整是纺织工业中一个特殊分支,公司通过采用先进染色技术和工艺,可以从源头上达到节能和减少废水产生量的效果,废水产生后经过处理达标排放,部分经深度处理后回用。公司经长期实践后已经达到吨织物染整用水125m~3/t_(产品),吨织物排放废水79.2 m~3/t_(产品),水回用率达37.8%,吨产品蒸汽耗量从9t/t_(产品)下降到7 t/t_(产品),均达到国内国际先进水平。     

单面约束系统的微分变分原理与运动方程

研究单面约束力学系统的微分变分原理和运动方程。方法利用Ｄ＇Ａｌｅｍｂｅｒｔ原理建立Ｄ＇Ａｌｅｍｂｅｒｔ－Ｌａｇｒａｎｇｅ原理．Ｊｏｕｒｄａｉｎ原理和Ｇａｕｓｓ原理,结果与结论得到系统的微分变分原理和带乘子的Ｅｕｌｅｒ－Ｌａｇｒａｎｇｅ形式,Ｎｉｅｌｓｅｎ形式和Ａｐｐｅｌｌ形式的运动方程。     

q-树的重构性

q 是一个正整数,所谓 q-树的图是递归定义的:最小的 q-树是完全图 K_q,一个 n+1阶的 q-树是通过在 n 阶 q-树上加上一个新点并连接这点与 n 阶 q-树中任意 q 个互相邻接的点而获得,其中 n≥q.1-树我们通常称为树.在本文中,证明了对任意正整数 q,q-树是可重构的.     

β-环糊精-毛细管区带电泳分离扑尔敏对映体

采用毛细管区带电泳模式,以β-环糊精为手性选择剂分离了药物扑尔敏的光学对映体.考察了在不同背景电解质 pH 值尤其是较低 pH 值下环糊精浓度对对映体表观淌度差的影响,并研究了有机改性剂尿素在分离中的作用.