采用逆导型IGBT的新型3A/600V DIP-IPM

三菱电机日前已开发出一种采用新型功率硅片技术的3A/600V超小型双列直插式智能功率模块(IPM),即第4代DIP-IPM.该技术将续流二极管的硅片集成到IGBT硅片上,从而将模块内部的硅片数量减少了一半,使得IPM的可靠性更高,功率密度更大.在此,介绍了这种新技术以及3A/600V第4代DIP-IPM的设计和特性.     

三菱电机携众多新品强势亮相2008慕尼黑上海电子展

在3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展上,三菱电机携同最新推出的第四代DIP-IPM（双列直插型智能功率模块）、第五代智能功率模块L1系列IPM以及多种系列的第五代IGBT模块强势出击,为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。     

智能功率模块自举过程分析及在伺服系统中的应用

对智能功率模块(IPM)自举电路的自举过程进行了分析.通过在伺服系统应用,以三菱公司的DIP-IPM为例给出了自举电容、自举电阻和自举二级管的参数计算方法,在硬件和软件上都详细给出了自举电路的应用.解决了自举电路设计时参数选择的难点问题.     

介绍一种用于低成本新型模块的600V第三代IGBT技术

消费类应用领域面临着低成本逆变器解决方案的挑战.这就需要人们采取相应的功率半导体和壳体设计理念.面对这一挑战,Eupec公司推出了600V第三代IGBT和一种新型超小型Easy750模块平台.作为一个主要目标,第三代IGBT的沟道栅电场截止技术第一次允许IGBT最大结温到175℃,而且,与第二代IGBT相比,其导通电压...     

新型双列直插封装智能功率模块及其外部电路设计

随着电力电子技术、微电子技术和控制理论的发展,控制驱动系统中的功率变换器和控制技术不断更新,变频控制越来越多地应用于工业现场,如电机控制、PWM整流、有源电力滤波等领域。用于变频控制的电力电子器件正向小型化、大功率、高集成度方向发展,同时价格也在不断降低。本文介绍的双列直插封装智能功率模块(DoubleIn-linePackageIntelligentPowerModule,简为DIP-IPM)就属此类高集成度电力电子器件。介绍了DIP-IPM的基础结构,给出了具体的外围电路设计和实验结果。     

三菱电机新变频家电节能技术亮相PCIM 2011展

2011年6月21日～23日,三菱电机在上海国际会议中心举行的PCIM 2011亚洲展中,介绍其出色的家电变频技术,包括受业内欢迎的第4代双列直插式智能功率模块（DIPIPMTM）PS219AX系列,和正在开发的第5代超小型DIP-IPMTM,向参观者推介更低耗能、低成本和低噪音的变频家电节能技术。     

新型双列直插封装智能功率模块及其外部电路设计

随着电力电子技术、微电子技术和控制理论的发展，控制驱动系统中的功率变换器和控制技术不断更新，变频控制越来越多地应用于工业现场，如电机控制、PWM整流、有源电力滤波等领域。用于变频控制的电力电子器件正向小型化、大功率、高集成度方向发展，同时价格也在不断降低。本文介绍的双列直插封装智能功率模块（Double In-line Package Intelligent Power Module，简为DIP-IPM）就属此类高集成度电力电子器件。介绍了DIP-IPM的基础结构，给出了具体的外围电路设计和实验结果。     

采用第6代IGBT硅片的IGBT模块

从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片.其端子和电路结构具有前所未有的灵活性.在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型晶体管(Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor,简称CSTBTTM)硅片技术实现了高效性能.介绍在NX系列开发的第2阶段所采用的1.2 kv第6代IGBT硅片技术.新的第6代IGBT模块进一步提高了效率并降低了噪声,从而拓宽了客户的应用范围.     

智能功率模块自举过程分析及在伺服系统中的应用

对智能功率模块（IPM）自举电路的自举过程进行了分析。通过在伺服系统应用，以三菱公司的DIP-IPM为例给出了自举电容、自举电阻和自举二级管的参数计算方法，在硬件和软件上都详细给出了自举电路的应用。解决了自举电路设计时参数选择的难点问题。     

智能功率模块在电动汽车中的应用

二十世纪八十年代末推出第1代智能功率模块(IPM),它集成了绝缘栅双极性晶体管(IGBT)硅片及其驱动和保护电路.至今,己开发出了5代IPM.此外介绍第5代IPM的最新技术.最新的IGBT全栅型载流子存储沟槽栅型双极性晶体管(CSTBTm)硅片技术可实现饱和压降与关断损耗的最佳折衷.最新的IPM在维持关断损耗Eoff不变的情况下,显著降低Vceset,从1.9 V降至1.75 V.新的集成技术也优化了保护功能,而且模块的功率循环和热循环能力大大得到提高.测试结果证明,IPM在电动汽车的应用中也能体现优异的性能.     

Logo!在消防控制系统的应用

介绍了西门子公司生产的LOGO!超小型可编程控制器的技术特点以及其在消防系统中的应用和应用后的效果。     

导弹自动定向系统中步进电机高精度细分方法和零漂抑制研究

介绍了一种利用步进电机来实现导弹自动化定向的技术方案。导弹定向精度要求在几秒以内,而步进电机整步距角一般在1°左右,因此,对步进电机步距角进行高分辨率细分十分关键。一般的细分方法只改变某一相的电流,致使电流合成矢量的幅值是不断变化的,从而引起滞后角的变化,这种变化在超高分辨率细分的情况下就会湮没掉细分角,使细分失去意义。经过一般细分方法细分后的步进电机微步距角有20多s,显然不能满足要求。为此,系统采用电流矢量恒幅均匀旋转方法,消除了滞后角变化对细分数的限制,确保了步进电机高精度细分的实现;通过改进电流取样方式,克服了传统方法中采用半导体器件带来的行严重温漂问题,使导弹定向系统实现了开机无零漂。     

新型50A和75A／600V压注模封装IPM

介绍了额定值为50 A/600 V和75 A/600 V的大型双列直插式智能功率模块(第4代DIPIPMTM),该产品是三菱电机针对柜式变频空调和工业变频驱动应用而开发的。它采用第5代全栅型CSTBTTM硅片、小型化IC和新型导热绝缘膜等多项新技术。     

微小型UUV无刷直流电机驱动控制系统

无刷直流电机(BLDCM)具有高功率密度、高效节能、高可控性、低噪声等优点,尤其适用于对占用空间有着严格限制的应用场合。针对微小型无人潜航器(UUV)内部空间狭小问题,对其电力驱动系统硬件方面进行小型化设计,在满足功率要求的前提下合理运用集成功能芯片对电路功能模块所占用空间的压缩,实现系统中控制电路、驱动电路的小型化设计。经功率试验验证,在微小型UUV内部空间限制条件下,所设计的电机驱动控制系统在速度控制精度、带载驱动性能方面均满足了微小型UUV对电动力的性能需求。     

混合储能系统在独立光伏发电系统功率平衡中的应用

提出了将能量密度大、环境友好的磷酸铁锂电池和功率密度高、循环使用寿命长的超级电容组合,构成混合储能系统应用于独立光伏发电系统。以优化系统可靠性及运行状态为目标,设计了控制结构和控制方式。对系统进行仿真分析,结果表明,在光伏电池输出功率存在波动且负载发生脉动的情况下,储能系统能迅速平衡系统瞬时功率,维持系统可靠运行。     

超高压制备n型PbTe的性能与分析

主要研究了采用超高压方法制备的n型PbTe材料的性能。对不同超高压工艺条件的样品进行密度分析、抗弯强度分析,判断其机械强度;对样品进行扫描电镜(SEM)分析,以确定其微观结构;测试样品的电导率、塞贝克系数并计算了功率因子,了解材料的热电性能。将超高压样品的各种数据与冷压样品的对应数据进行比较,结果表明,选择合适工艺条件的超高压样品的性能要明显优于冷压样品。     

嵌入式系统DSP/BIOS设备驱动开发方法

为了高效的对外部设备进行控制,给硬件设备设计驱动程序是一种有效解决方法。本文介绍了基于嵌入式系统DSP/BIOS的类/微型驱动模型及驱动开发方法,给出了视频采集设备驱动程序设计的实例。实践证明,采用类/微型驱动模型设计系统,可以极大的简化驱动程序的开发。     

超高压500kV架空导线的研制

对我国超高压架空导线发展的状况及趋势进行了论述 ,并根据我国电缆生产企业的设备状况 ,超高压架空导线的质量要求及多年的研制、试验结果 ,提出超高压 50 0 k V各工序制造的较佳技术参数及控制要点     

秦山第二核电厂发变组保护中非全相保护启动失灵动作原因的分析及解决措施

发电机出口断路器非全相保护启动失灵动作直接跳500 kV超高压开关,是发电机-变压器-线路串(发电机带出口断路器)的结线方式中元件保护的基本配置与组合。测试、分析了在1号机组调试期间发电机出口断路器非全相保护启动失灵误跳500 kV开关的原因,提出了行之有效的解决措施并在2号机组启动调试过程中得到验证和落实。