碲镉汞晶体表面的电子衍射研究

用RHEED(反射高能电子衍射)方法研究了碲镉汞晶体的机械损伤。结合逐次剥层方法,测定其损伤深度约为400～500微米。     

碲镉汞晶体的杂质控制

本文综述了HgCdTe晶体中的杂质行为,提出了实现杂质控制的可能性。     

碲镉汞晶体的热处理相图

用热探针的方法测定了x=0.20和x=0.265两种材料的本征线。实验表明:在P—T相图中,x=0.265的本征线在x=0.20的本征线上面。     

用碲作熔剂生长碲镉汞晶体

本文报告了碲镉汞晶体的生长方法,并对我们做的六种生长工艺作了比较。着重介绍用Te作熔剂生长高质量组分均匀Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的实验工艺,以及对所得结果进行分析讨论。所得晶锭中段组分比较均匀,且与预定值相近。单晶经切片退火后,在77K时电子浓度可达到3×10~(4)(厘米~(-3)),迁移率可达10~5厘米~2伏~(-1)秒~(-1),用这样的晶体制成的光导、光伏器件D_(bb~*均可达到6×10~9厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)。光伏器件不需要加偏压。响应率较大,可达10~3伏·瓦~(-1)。     

碲镉汞晶体研制及应用

本研究的目的在于实现８～１２μｍＨｇＣｄＴｅ晶体的商品化。文中介绍了其生长工艺和性能检测，用付里叶红外光谱仪测得标准组分偏差△＝０．００４，测得原生晶体的空穴浓度可低达７．０３×１０１６／ｃｍ３热处理后，晶体的Ｎｎ和μｎ分别为３．４～５．７×１０１４／ｃｍ３和（２．０６～２．２９）×１０５ｃｍ２／ｖ．ｓ用以上材料制成２４元至１６０元光导红外探测器阵列及３２元至６４元光伏红外探测器阵列，其实验数据表明所研制的晶体均能满足不同应用之需要。     

碲镉汞晶体中的第二相

前言碲镉汞(MCT)可以看成是由Ⅱ—Ⅵ族化合物Cd Te和Hg Te按不同化学计量比组成的。其相图的固相线和液相线分离得很宽,也就是说从液态缓慢地结晶成固态时,Cd Te相对于Hg Te要产生严重的分凝,以致晶体不具有均匀的组分。为克服这一严重缺陷,使熔体通过强制冷却快速凝固,是一种广泛用来制备MCT晶体的工艺。用这种方     

碲镉汞晶体辐射损伤的高分辨电镜研究

碲镉汞晶体是应用于红外探测的重要半导体材料。它属于闪锌矿结构,分子式Hg_((?)-x)Cd、Te。其中x=0.2～0.3。Anderson等人曾使用电镜技术对碲镉汞晶体进行过研究,结果发现Te沉淀、孪晶、位错和亚晶界现象。我们的研究采用高分辨电子显微术,首先从[110]方向观察碲镉汞晶体。通过电子衍射和晶格象等技术,第一次发现碲镉汞在200KV电子辐射下会产生较强的结构损伤。这些结构损伤包括:1)电子辐射使碲镉汞晶体产     

碲镉汞晶体电学参数分布的研究

利用Te溶剂法生长x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体在300K和77K下的定点霍耳测量。其电阻率ρ的轴向分布和x光萤光光谱法所获x值的轴向分布具有相对应的关系,利用Drude-Lorentz理论和电子有效质量与x值的关系,给予了初步的分析,它为选取适当ρ值范围提供了条件。选取低补偿的样品。验证了理论计算本征载流子浓度和霍耳测量值的一致性,这样便为通过简单的霍耳测量估算响应波长提供理论依据。     

碲溶剂法生长碲镉汞晶体的特点

本文扼要叙述碲溶剂法生长高质量、组分均匀的碲镉汞晶体的工艺;着重说明本法具有:降低长晶温度,减少爆炸;拉平长晶时的固-液界面,改善晶体径向均匀性和区域提纯而提高晶体本身纯度的作用。本法所生长的晶体结构较完整,晶体中段组分较均匀,晶体中段经一次退火后,在77 K下,电子浓度可达3×10~(14)厘米~(-3),其迁移率可达2×10~5厘米~2·伏~(-1)·秒~(-1)。用这种晶体可制成有较好性能的光导和光伏型红外探测器。     

碲镉汞晶体变温变磁性能研究

对x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体,其R_H～1/T关系曲线可以定性确定材料的杂质或缺陷含量情况;定量的确定光导探测器的响应波长。在弱场下的R_H～B关系曲线可以确定材料的补偿情况,从而确定严格的测试条件与选取高性能的光导材料。     

碲镉汞晶体微区组份测量

本文介绍用EER光谱法测量Hg_(1-x)Cd_xT_e晶体组份的原理,测量装置和不同组份的Hg_(1-x)Cd_xT_e晶体的EER光谱曲线。用EER光谱法测出了Hg_(1-x)Cd_xT_e晶体中直径为0.1mm的微区组份。     

高压回流法生长碲镉汞晶体

HgCdTe的汞蒸汽压很高,使材料的制备与结晶过程的研究变得十分困难.采用高压回流的工艺生长HgCdTe晶体,可使整个长晶过程在一个开口的石英管内进行,汞的压力可严格地进行控制,从而避兔了闭管工艺所存在的一系列问题。高压回流的工作原理与扩散泵一样,当碲镉汞材料化合时,熔料内的汞元素被蒸发,在炉腔内高压惰性气体与陡峭的     

用X射线研究碲镉汞晶体的缺陷

用x射线劳埃大斑点,以及x射线形貌术法,观察晶体表面结构,近年来已成为检查晶体的完整性和作为晶体选片的一种有效的方法之一。它的特点是照相速度快而且直观,其表面的相衬度与被分析晶片的表面结构,有非常好的对应关系。本文报导,用x射线研究碲镉汞晶体表面在热处理前后,其组织结构的状态变化,碲镉汞晶体生长方向的纵向偏离,小角度晶界的大小,以及碲溶剂法与再结晶法生长的碲镉汞晶体缺陷形态的比较。实验用(111)原子面做为参考面,(440)原子面为衍射面。x射线源为Cuka_1。在Lang相机上摄取形貌像。摄取劳埃大斑点像系用Co的连续谱为x射线源。其样品表面在拍照前,     

离子注入碲镉汞

本文概述了离子注入碲镉汞的主要工作,较详细地论述了该工作的近期进展,对离子注入碲镉汞的光电性能,以及在红外探测器制造方面所取得的成就进行了综述。最后评述了国内的有关工作,并对今后的发展提出了建议。     

碲镉汞晶体及器件鉴定会议圆满结束

KG814型碲镉汞晶体和HTD—PV—1型碲镉汞红外探测器鉴定会于一九八○年六月四日至六日在昆明召开。有关的研究所、院校和工厂共二十三个单位的54名代表参加了会议。会议由五机部科研局组织,委托云南省国防工办主持。会议期间,成立了由省国防工办、科学院上海技术物理所、四机部1411所、八机部8358所、冶金部401厂、     

碲镉汞探测器

美国Honeywell公司继续研制碲镉汞探测器以扩大它们的能力和系统应用。已证明长波长红外光电导碲镉汞探测器多元阵列     

碲镉汞CCD

在最近举行的国际电子器件会议上,有几家公司透露在红外传感器方面获得重大的技术进展。得克萨斯仪器公司报告它们成功地用碲镉汞制得CCD。这种材料也来用制造红外前视装置的红外探测器。这样,各元件的扫描及输出信号的积分就可在器件的镶嵌     

碲溶剂法生长碲镉汞晶体输运方程的初步探讨

本文描述碲镐汞晶体生长的输运过程,并试图把气态、液态和结晶态三者结合起来,利用亨利定律等原理建立一个输运方程,在晶体尖端和等径处分两部求解。通过初步讨论,能半定性地解释沿晶体纵向的x值分布曲线,并得到一些有益的结论。