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一种4GHz、23dB CMOS宽带限幅放大器的设计与实现 总被引:4,自引:3,他引:1
该文主要介绍了关于宽带限幅放大器在0.18μm CMOS工艺下的设计与实现,该宽带限幅放大器在第二次流片中采用了反比例级联结构、有源电感负载以及添加输出缓冲级技术来保证展宽带宽以及保证整个放大器的稳定性.最后所得测试结果为23dB增益,4GHz 3dB带宽. 相似文献
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文中采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了适用于芯片间光互连的的接收机前端放大电路,将跨阻放大器(TIA)和限幅放大器(LA)集成于同一块芯片中.跨阻放大器采用调制型共源共栅(RGC)结构来提高其带宽,限幅放大器采用二阶有源反馈结构和有源电感负载来获得高的增益带宽积.整个接收机前端放大电路具有85dB中频增益,-3dB带宽为4.36GHz.芯片的面积为1mm×0.7mm,在1.8V电源电压下功耗为144mW. 相似文献
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采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种多级级联的差分架构宽带高增益限幅放大器。该限幅放大器是为5Gb/s同步光纤网络(SONET OC-96)设计的。采用反比例级联结构和低电压降有源电感负载来提高系统带宽,达到了设计目标。仿真结果显示,该限幅放大器获得了约30dB的增益和5.5GHz3 dB带宽,电路功耗为30mW。 相似文献
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设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的限幅放大器。电路采用有源电感负载来拓展带宽、稳定直流工作点 ,通过直接耦合技术来提高增益、降低功耗。测试结果表明 ,在从 5 m Vp- p到 5 0 0 m Vp- p,即40 d B的输入动态范围内 ,在 5 0 Ω负载上的单端输出电压摆幅稳定在 2 80 m Vp- p。在 5 V电源电压下 ,功耗仅为1 30 m W。电路可稳定工作在 1 5 5 Mb/s、62 2 Mb/s、1 .2 5 Gb/s三个速率上。 相似文献
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随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50Hz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能,越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0.35μmCMOS工艺实现的2.9GHz单片低噪声放大器,放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成。在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于-12dB. 相似文献
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提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0~10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。 相似文献
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介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。 相似文献
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文章介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺设计,多级级联、差分结构宽带限幅放大器的设计方法。本限幅放大器应用于5Gb/s同步光纤网(SONET OC-96)系统,采用反比例级联结构、有源电感负载来提高系统带宽。芯片实际测试结果为23dB增益,3dB带宽达到5.5GHz,实现了设计目标。 相似文献
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基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作速率为2.5 Gbit/s的高灵敏度跨阻放大器(TIA)。TIA输入级电路采用三级反相器级联结构。为了提高动态范围,采用了双自动控制增益(AGC)电路来调节反馈电阻阻值。输入级电路后级的三级差分放大器进一步放大电压信号,并运用有源电感峰化技术来提高带宽,最后进行缓冲器输出。为了降低跨阻放大器的噪声,设计了基准带隙电路和电压偏置电路,采用温度补偿技术来保证芯片的温度稳定性。电路仿真结果表明,在误码率BER=1×10-12情况下,TIA的后仿真灵敏度为-30.2 dBm, 跨阻增益为87.5 dBΩ,带宽为1.8 GHz。在3.3 V电压的条件下,功耗为119.4 mW。 相似文献
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800MHz CMOS低噪声放大器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好. 相似文献
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徐跃 《微电子学与计算机》2006,23(7):93-95
文章介绍了一种用IBM公司0.5μm SiGe BiCMOS HBT工艺设计的12Gbit/s用于光纤传输系统的限幅放大器。整个系统包括一个输入缓冲级、三个放大单元、一个用于驱动50传输线的输出缓冲级和一个失调电压补偿回路。采用3.3V单电源供电,功耗只有150mW,小信号增益大干35dB,在40dB的输入动态范围内输出电压幅值可以保持800mVpp恒定。 相似文献