硅外延程序控制仪

一、硅外延程序控制仪的技术性能 硅的外延生长,多年来我们都是由人工进行操作的。例如:在将硅衬底片装入外延反应管之后,人工控制通入氢气的时间;操作高频炉升温加热;人工测量硅衬底片上的温度;当温度稳定并符合所需温度时,通入HCl气腐蚀硅片;关闭HCl气;而后通入SiCl_4进行外延生长;停高频炉;冷却。直至最后人工取出外延片止。在这样的工序中,操作人员除控制气体的流量外,还要在不同的情况下随时调节高频炉;控制气体流量开关;测量和调节衬底片的温度。这些工作要做得精确可靠,由二人操作也是很紧张的。特别是高频炉功率输出的波动,使外延温度很难保持不变。造成外延层厚度有较大的起伏,     

液相外延新方法

本文详细介绍了在半导体激光器制造中采用控制蒸汽压温差法进行液相外延的原理、工艺过程以及实验结果的检测分析。这是一种按化学计量组分与晶格常数补偿生长完美晶体和晶格匹配的异质结的方法。我们制得的GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)Py异质结晶格匹配达1×10~(-5),激光谱宽达1.61 A。用此法生长单层外延片,已获得室温载流子浓度～10~(15)(厘米)~(-3),室温迁移率～8000(厘米)~2/伏特·秒的高纯GaAs单晶。用腐蚀坑密度为5000(厘米)~(-2)的掺硅GaAs作衬底,可生长出腐蚀坑只有500(厘米)~(-2)以下的GaAs近完美晶体。这种液相外延新方法,用于制做半导体激光器和发光二极管,可获得高量子效率长寿命工作的器件。     

液相外延生长HgCdTe外延层

本文用滑舟式液相外延方法对HgCdTe薄膜的生长进行了研究。1.汞压控制。我们采用附加汞源的方法有效地控制了母液的成分。采用了三段温度分布的炉子。中间是反应区,温度为500℃。两边是控制汞压区。氢气流上方的汞槽在一定温度下产生汞蒸气压和反应区内母液的蒸气压相平衡。出口处的高温区形成热阻,以阻     

内热式电阻加热低压外延炉及外延

作者设计并建立了用于SiH_4—H_2系统的新型内热式电阻加热外延炉。该装置最大优点是比其它类型的装置在制备外延片时消耗的电能少数倍。本文研究了利用该装置制备高性能外延层的条件以及一些动力学因素的影响。     

液相外延生长装置

一、发明的特点本发明的液相外延生长装置具有以下特点: (1) 在由外管和内管组成的双层管的内管中放置液相外延生长器具。内管和外管之间只有很小的间隙可以使气体流通,而且使内管的一端与汞蒸汽源相通,在外管的周围有几个     

液相外延新枝术——电外延介绍

本文主要从四个方面较详细地介绍电外延技术:一、生长机理;二、生长过程的动力学理论,提出了对流和无对流模型,进而讨论了外延层的生长速度和厚度,並提出在电外延生长过程中的珀尔帖致冷和电子迁移作用的判断;三、生长技术;四、电外延技术和通常的液相外延技术的比较。     

Si薄膜低温液相外延

选用Ａｕ／Ｂｉ合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度４００℃～５００℃，采用Ｓｎ源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬底的氧化，运用扫描电镜，Ｃ－Ｖ法及俄歇能谱对外延膜形貌和结深附近载流子浓度进行了观察和测量。     

光栅衬底液相外延技术

光栅衬底液相外延是分布反馈激光器研制的关键技术之一。利用 Sn-In-p 和 GaAs 单晶作为光栅衬底表面的高温热保护盖片,有效地解决了光栅表面高温热损伤问题,在光栅表面重复地生长出了高质量的外延层,并以此为基础,研制出了DFB 激光器。     

液相外延碲钖铅

先用布里奇曼或气相法长成P型PbTe单晶。掺Te之后,用作外延基片。布里奇曼法生长的PbTe单晶长10厘米,但多半都含有少量不圆滑的小晶粒。可是,并不影响做出性能良好的器件。不掺Te的PbTe单晶虽然也是p型的,但用作外延基片时,由于组分富Pb,所以外延时基片表面会有Pb扩散,形成一层n型转换层。液相外延采用普通碳舟、卧式滑动法。图1表示三层DH结构生长的温度程序。     

HgCdTe液相外延生长技术

随着研究生产高质量HgCdTe晶体的工作日益增多,HgCdTe作红外探测器材料用的潜力正在被越来越多的认识到。因为存在高的汞蒸汽压、大的熔体分凝效应,以及晶体的密度会随熔体组分的变化而发生很大的改变,所以生长块状晶体总是要遇到一些特别困难的问题(图1)。尽管存在这些特殊的困难,用常规的方法还是能够生长出直     

液相外延HgCdTe的研究

本文对液相外延生长HgCdTe及其汞压控制进行了研究。在理论上对开管滑动系统中汞损失的影响作了分析和计算,提出了准平衡汞压的方法。在实验中设计制作了独特的汞回流装置,实现了对汞压的控制。通过生长工艺的条件实验,得到了各工艺参数影响外延片性能的关系,制备出表面光亮,组分为x=0.2110.002,x=0.280.001的Hg1-xCdxTe外延片。在77K下n型(未退火)和P型外延片的迁移率分别为3.36105cm2/Vs和1.81103cm2/Vs,载流子浓度分别为1.091015cm-3和1.041016cm-3。     

单片式外延炉在硅外延生产中的应用

使用单片式外延炉生产的硅外延材料具有良好的厚度和电阻率均匀性。该外延炉具有良好的系统气密性、较大的生产能力、大直径外延(150～300mm)加工能力、较广阔的应用范围等优点,已经成为国际上硅外延片生产的发展主流。利用单片炉的各种优点,在150～200mm重掺砷和P型衬底上外延、150mmBiCMOS薄层外延、150mmSiGe和SOI外延等领域进行了生产应用。将所得性能参数和批式外延炉性能参数进行比较,获得的性能参数试验结果在原有基础上得到了很大的提高。实验研究结果应用于实际批量生产。     

PbTe／PbSnTe液相外延溶液

为了研究多元红外探测器响应波长均匀性,用PbTe/PbSnTe液相外延单相溶液进行了实验。本文论述了单相溶液的配比、结晶温度的测定、外延温度曲线、外延Pb_(1-x)Sn_xTe薄膜和溶液的分析以及用该溶液制备的PbTe/PbSnTe异质光伏16元红外探测器的性能。     

液相外延生长中的输运过程

本文用谐振子模型描述液体的微观输运过程,导出了矢量输运系数与分子运动参量的关系,从而得到扩散系数随温度和组分变化的近似表达式,最后讨论液相外延生长的输运描述。     

液相外延设备温度控制系统研究

水平液相外延设备是目前生产碲镉汞薄膜材料的主要设备,其温度控制的精度、温度场的均匀性等是设备的关键性能指标.为了满足液相外延设备对温度控制的要求,设计了多段独立控制的加热系统,并采用串级控温方式对炉体中反应管內温度进行精准控制;通过在不同加热阶段对串级参数进行动态调整,提升反应管內温度的动态跟随性能;开发了设备控制软件...     

液相外延生长的理论计算

本文用单向扩散流导出了离解系数和分子扩散速度的参量表达,用界面竞争分凝模型导出了平衡分凝系数和界面分凝系数与绝对分凝系数的关系;用扩散分凝控制模型讨论了具有赝二元结构的三元系的液相外延生长,得到了过冷生长的有效分凝系数、生长速度和生长厚度的表达式,从而得出根式冷却具有均匀的生长速度。