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本文以测量钢钨合金的电阻率为例,从测量原理、测量技术要求等方面进行了认真分析,说明了测量新型合金材料电阻率的方法,为一些用户解决了实际测量问题。 相似文献
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石墨材料已成为真空加热设备尤其是高温(>1600℃)真空炉的首先材料,电阻率是其作为加热元件的首选指标。真空电阻炉用石墨件经过设计、加工,多为异形件,为了更好的掌握石墨材料的相关理化指标,本文利用ANSYS软件对常见的几种石墨件进行了仿真分析,并结合仿真结果给出了石墨电阻炉常用原件的测量及测量夹具的设计原则。 相似文献
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一、半导体材料电阻率的测量目前对半导体材料的电阻率测量有接触式测量法和非接触式测量法。而接触式测量法包括二探针法、三探针法、四探针法、六探针法、范德堡法等。其中,四探针法使用最广泛,测量准确度较高。该方法对于不同几何尺寸的材 相似文献
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陈正伟高光伟于德军刘舒 《真空科学与技术学报》2018,(9):810-816
石墨材料已成为真空加热设备尤其是高温(>1600℃)真空炉的首先材料,电阻率是其作为加热元件的首选指标。真空电阻炉用石墨件经过设计、加工,多为异形件,为了更好的掌握石墨材料的相关理化指标,本文利用ANSYS软件对常见的几种石墨件进行了仿真分析,并结合仿真结果给出了石墨电阻炉常用原件的测量及测量夹具的设计原则。 相似文献
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石墨电极材料的电阻率很小,为获得较高的测量精度、一般需要数百安培的稳定电流,文章介绍了利用A/D转换器的比例特笥测量材料电阻及电阻率的方法,降低了对测试电流稳定性的要求,有利于减少生产成本和提高测试设备的技术性能。 相似文献
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在电学测量中,经常遇到测量金属材料的电阻及电阻率的问题。下面,我们把测量铜、铜钨合金等金属材料的电阻率的原理、要求、方法和测试结果的误差分析做一简要介绍。1测量原理我们知道,铜、铜钨合金等金属材料的电阻值都是极小的,要得到准确的测量数据,可采用直流双电桥的方法进行测量。双电桥有六个桥臂,被测电阻必须用四端钮结构接入双电桥。如图1中I1、I2、P1、P2所示,Rx的电流引线I1、I2端接入电源回路,电位引线P1、P2端接入高电阻值的桥臂中,这样可减少引线电阻和接触电阻的影响。电桥平衡时:式中的RP… 相似文献
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亚稳合金材料对于材料科学领域的影响是巨大的,它包括晶态亚稳相、微晶亚稳相、准晶亚稳相和金属玻璃4大类。它与一般的金属材料性能不同,例如,晶态亚稳相具有良好的耐腐蚀性能;微晶亚稳相由于晶粒细小而具有高强度和硬度;金属玻璃,即为非晶态合金,其内部组织均匀且无缺陷,又没有晶体的磁各向异性,因此表现出了高强度和低的矫顽力。正是由于这些优异性能,使得亚稳合金材料在材料科学领域掀起了一股研发浪潮。在亚稳相发现的这几十年里,研究者们通过大量的实验研究,提出并丰富了很多亚稳相的制备方法,例如通过控制凝固过程来获得亚稳相,但该制备方法操作过程较为复杂,还需要进一步优化;通过积聚方法可以制备出金属玻璃、非晶薄膜等,大大提高了材料的抗腐蚀性能。通过这些方法,制备出了能够大大提高材料性能的亚稳相合金材料。为了完善亚稳相的制备体系,研究者们还需要做进一步的探索。但对于会对材料产生负面影响的亚稳相,要进行转化和消除。介绍了亚稳相的概念及其形成机理,并从动力学和热力学两个方面证明了亚稳相在一定条件下是可以稳定存在的,系统地总结了合金材料中亚稳相的分类、特点及其应用。由于不同的亚稳相对材料会产生不同的影响,详细阐述了对合金材料产生负面影响的亚稳相的消除方法,并说明了亚稳相被消除以后对材料性能的改善。另外,论述了提高材料性能的亚稳相的制备方法及其特点。最后对合金材料亚稳相的研究重点和发展方向进行了展望。 相似文献
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文章对晶片电阻率测试系统的原理、结构及计量特性进行了阐述,给出了校准晶片电阻率测试系统的方法,并对本系统测量结果不确定度进行了评定。 相似文献
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以动态硫化热塑性弹性体(TPV)为增韧材料,回收聚对苯二甲酸乙二醇酯(r-PET)为基体材料,丙烯酸接枝低密度聚乙烯(LDPE-g-AA)为相容剂,制备r-PET/TPV/LDPE-g-AA共混合金材料。用DMA、DSC、SEM分析TPV及LDPE-g-AA对r-PET玻璃化转变温度、结晶性能、断面相结构的影响,测试了共混合金材料的力学性能。结果表明:加入20%TPV,r-PET/TPV共混材料的熔融温度下降4.85℃,结晶温度提高了2.44℃,断裂伸长率及缺口冲击强度明显提高,弯曲强度和拉伸强度略有下降;加入LDPE-g-AA,r-PET/TPV共混材料玻璃化转变温度向低温方向移动,TPV球状粒子嵌入r-PET基体材料中,相容性提高;含2.5%LDPE-g-AA的r-PET/TPV/LDPE-g-AA共混合金材料,与纯r-PET相比,熔融温度下降7.19℃,断裂伸长率提高133.28%,缺口冲击强度提高59.39%,柔韧性较大幅度提高。 相似文献
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伯克利实验室制出一种高度失配的Ⅱ-Ⅵ族半导体合金——用0原子取代其中部分Ⅵ族原子。用外延技术生长Ⅱ-Ⅵ族薄膜,再用离子注入和脉冲激光熔融法,研制成功ZnMn0Te和CdMg0Te合金薄膜。这种材料中由于氧化基体材料具有强得多的电磁性而得到一种分裂的带隙。 相似文献
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本文主要介绍了三种测量薄片电阻率的方法及其测量结果的差别,并探讨了产生不同测量结果的根源。 相似文献