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通过试验和理论的结合,对薄壁箱形梁的焊接变形进行了预测。主要采用热弹塑性有限元法分析焊接时梁的变形情况,结果与实际吻合得非常好,为后面预测大型薄壁结构的焊接变形奠定了基础。 相似文献
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本文通过试验和理论的结合,对薄壁箱型梁的焊接变形进行了预测.主要基于ANSYS软件,采用热弹塑性有限元法分析了焊接时梁的变形情况,并进行了试验研究,所得结果吻合很好,为大型薄壁结构的焊接变形预测提供了有价值的数据和方法. 相似文献
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薄壁铝合金结构焊接应力变形数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
实际结构焊接过程的三维数值模拟因为计算量大而往往难以进行。为了采用三维热弹塑性有限元方法对薄 壁铝合金结构的焊接过程进行数值模拟,提出了粘贴单元和混和单元两种网格划分技术相结合的单元划分方案进 行有限元建模,通过薄板对接模型试验验证了此方案的可行性,并研究了不同建模方案对计算效率的影响。将这 种单元划分方案应用到实际薄壁筒体结构焊接过程的数值模拟中,对焊接过程产生的残余应力和变形进行了成功 地预测。结果表明:对于薄壁构件,采用粘贴单元和混合单元相结合的单元划分方案可以在保证一定精度的前提 下,可大大减少有限元网格划分工作量,同时可降低计算规模,提高计算效率。 相似文献
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采用有限元方法对平面应变条件下含裂纹不同强度失配的平板拉伸焊接接头的弹塑性变形进行了分析,研究了焊缝与母材强度失配系数、焊缝硬化性能、裂纹长度等对接头塑性变形的影响。结果表明:强度失配系数对接头塑性变形有显著影响。低匹配时,变形首先集中在焊缝中,而高匹配则对焊缝起到了一定的保护作用。失配系数一定时,不同焊缝硬化性能接头的塑性变形发展趋势是一致的;但当外载较大时,局部塑性变形程度不同,焊缝的硬化性能降低,裂尖塑性变形增大。
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在分析球形储罐焊接角变形产生原因的基础上,从焊接坡口形式、刚性固定方法和焊接顺序等方面探讨了减小和控制焊接角变形的工艺措施。 相似文献
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薄壁圆筒式动态多维切削测力仪的有限元分析 总被引:2,自引:0,他引:2
文中对薄壁圆筒式动态多维切削测力仪进行了三维有限元学分析,利用MSC/PAL2微机版有限元分析软件和作者自行编制的后置数值处理程序相结合,可以很方便地计算出多维测力仪的各向灵敏度,并找出最佳布片方案,为设计测力仪提供理论依据。 相似文献
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针对薄壁件加工过程中易产生变形等问题,提出了利用有限元法对铣削过程进行三维仿真的方法,重点研究了LS-DYNA的动态接触算法,建立了薄壁件铣削加工的有限元模型,对工件变形及切削力的变化规律进行了分析。最后,利用分析结果对铣削参数进行调整与优化,可以减小工件变形,保证加工精度。 相似文献
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Ok Sam Kim 《Journal of Mechanical Science and Technology》1998,12(6):1126-1134
Single crystal silicon (SCS) is used in a variety of microsensor applications in which stresses and other mechanical effects
may dominate device performance. One of major problems associated with the manufacturing processes of the microaccelerometer
based on the tunneling current concept is temperature gradient and thermal stressess. This paper deals with finite element
analyses of residual stresses causing popping up, which are induced in micromachining processes of a microaccelerometer. The
authors model temperature-dependent mechanical properties during focused ion beam (FIB) cutting and Pt deposition processes.
The maximum thermal strain of 0.0012 occurred at the readout gap of the microaccelerometer during the Pt deposition process.
The stress produced during the heating process of FIB cut was also found to be about 33–36 MPa and cooling process the maximum
equivalent stress of about 34MPa still at the right corner of readout gap. The calculated maximum displacement occurred at
the readout gap was 0.14 μm. This is still smaller than the popping up of about 2 μm observed in the experiment. The reason for this popping up phenomenon in munufacturing processes of microaccelerometer may
be the bending of the whole wafer or it may come from the way the underetch occurs. Different SOI material and a new geometry
of the accelerometer are under investigation. We want to seek after the real cause of this pop up phenomenon and diminish
this by changing munufacturing processes of microaccelerometer. 相似文献