CVD金刚石薄膜紫外光探测器研究

金刚石薄膜紫外光探测器对紫外光有较高的灵敏度和良好的开关特性。本文讨论了该器件的光电流随入射光波长的变化和开关时间响应。实验证明,金刚石薄膜是一种良好的紫外光探测材料。     

GaAs粒子探测器对低能X射线的响应

GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下，探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高，其灵敏度相对也高。该探测器可作为X射线的线性传感器。     

X射线光谱仪用的硅漂移探测器

硅漂移探测器(SDD)是一个利用高电阻硅作为基片制作的半导体器件,通过在半导体晶片两面注入许多结面使高电阻硅半导体呈耗尽型半导体。电离辐射产生的电子在适     

光伏型硅X射线探测器

介绍了垂直多结器件的结构,给出了热迁移制结的工艺条件和结果,特别介绍了处理器件电极引线的隔离线方法,解决了经过热迁移掺杂后光刻电极套不准的难题,以及把所有p型区域连接起来的问题,达到了敏感区金属零遮挡的目的.同时分析了工艺条件对器件性能的影响.通过对敏感区和无效区的计算和对比,对器件的几个电流参数进行了详细的计算;对两种靶材的标识谱在器件内产生的光电子的收集效率做了计算,对器件的光谱响应度也作了计算和分析;同时对器件窗口材料的选择进行了详细讨论;最后叙述对器件进行的实验验证,通过对金属模板上模拟缺陷的测量,证明器件有足够的灵敏度和分辨率.     

数字式X射线成像用的CdTe探测器的最新发展

二维像素探测器的最初发展,是利用凸缘连接技术,将探测器与读出器电路相连接,它是由高电阻率硅所制造的二极管阵列组成的,因此,该探测器对于低能量的同步辐射的探测,是非常有用的。对于应用在医学领域(20～140keV)中的较高的能量来说,在可接受的稠密度的情况下,硅的太低的隔离能力已不适应。有些生产者建议用其它的半导体,诸如,HgI_2和CdTe,来替代高电阻率的硅探测器。     

织构CVD金刚石附着膜残余应力分析

利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法,在(100)P型Si衬底上沉积得到{110}织构金刚石膜样品,并对其作退火处理。拉曼光谱和高角度X射线衍射(XRD)线型测试结果表明:{110}织构金刚石膜由于晶粒排布的有序程度提高,本征张应力较小,样品内残余应力与其热应力状态一样,均表现为压应力,且随膜的增厚,残余压应力绝对值变大,呈现随厚度的梯度分布;400℃退火3h后,膜内残余应力状态发生改变,说明退火处理可以有效调整膜内残余应力。     

用金刚石薄膜制造X射线掩模版

用金刚石薄膜作为支撑层，金作为吸收体；同时，采用Ｎｉ合金过渡层来解决金刚石与金之间结合力小，热匹配性能差等问题。制作的掩模版具有较好的反差效果。同时，还具有工艺简单，成品率高等特点。     

数字X射线放射照相平板探测器

1.引言不象其他主要医学成像方法如计算机X射线断层摄影术(CT),超声波,核磁共振成像(MRI),所有这些都是数字化的,传统的X射线成像仍然大部分采用模拟技术。数字X射线成像或数字放射照相法很有优势,这是因为它:可以进行图像处理以提高图像质量,如对比度等;可以很容易地把放射成像的图像与那些从其他成像形式得到的图像进行比较;可以使医院通过网络对图像进行远程访问和归档;可以通过计算机辅助诊断工具辅助放射科医生的工作;最终,可以实现远程放射照相—训练有素的人员可从中心设施为远程或人口稀少的地区服务。     

掺氮类金刚石薄膜的导电性能及退火特性

对含氮的类金刚石薄膜的导电性能进行了研究,发现随着氮含量的增加,沉积薄膜的电导率增加较缓,且当氮含量达到一定值后,氮含量继续增加反而薄膜电导率有所下降.对薄膜进一步热处理,结果表明低掺氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高,而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降.文章通过分析退火前后薄膜的红外光谱,提出了充当施主杂质中心氮原子"激活"的慨念和高掺杂后薄膜中氮原子形成a-CNx结构.从而从微观结构解释了掺氮对类金刚石薄膜导电性电能的影响.     

氢原子侵蚀作用的研究

通过热力学计算和动力学分析，研究了热丝ＣＶＤ金刚石薄膜沉积过程中，氢原子对石墨相和金刚石相的侵蚀作用。结果表明；当衬底温度在８２３Ｋ－１２７３Ｋ间变化时，氢原子和石墨相反应的表观活化能小于氢原子和金刚石相反应的表观活化能，这是氢原子更易侵蚀石墨相的原因所在。     

基底几何尺寸对金刚石沉积过程的影响

利用灯丝热解化学汽相沉积技术在硅基底的边缘、角域处及条形基底上生长出金刚石晶体和薄膜，研究了基底几何尺寸对金刚石沉积过程的影响，探讨了金刚石成核和生长的机理。     

核化密度对硅上生长异质外延金刚石膜的影响

本文利用扫描电子显微镜及Raman谱等研究了Si（100）上异质外延金刚石膜的生长．金刚石膜是由微波等离子体CVD法制备的。实验结果表明核化密度对Si（100）上异质外延金刚石膜生长有重要的影响．过低或过高的核化密度都不可能形成异质外延金刚石膜。     

Molecular view of diamond CVD growth

In this paper, we discuss the simulation of the chemical vapor deposition (CVD) of diamond films on the molecular scale. These simulations are performed using a kinetic Monte Carlo method that combines the surface chemistry that is important to diamond growth with an atomic-scale picture of the diamond surface and its evolving atomic structure and morphology. We address the determination of surface reaction kinetics and growth conditions from experiments and reactor-scale models, and the prediction of polycrystalline film texture and morphology from the molecular-scale results. The growth rates and the concentrations of incorporated point defects as a function of substrate temperature for {100}- and {111}-oriented diamond films are obtained from the molecular-scale growth simulations. The {100} growth rates increase with temperature up to 1200K and then decrease above this value. The {111} growth rates increase with temperature at all of the temperatures studied. The concentrations of point defects in the {100} and {111} films are low at substrate temperatures below 1200K, but increase substantially at higher temperatures. The growth efficiency, measured as the ratio of film growth rate to defect concentration, is maximum between 1100–1200K for both film orientations, suggesting that this temperature range is ideal for CVD diamond growth under the simulated growth conditions.     

CVD金刚石薄膜的表面形貌研究

本工作采用HFCVD方法在Si、Mo衬底上生长出不同晶粒形貌的多晶金刚石薄膜,研究了生长条件(衬底温度、碳源浓度、反应压强)对金刚石薄膜晶粒形貌的影响。结果表明,在HFCVD方法中,金刚石薄膜晶粒形貌对生长条件十分敏感,生长条件的变化会导致不同形貌晶粒的生长。     

基片预处理工艺对CVD金刚石成核行为的影响

本文采用微波等离子体辅助化学气相沉积工艺,对不同预处理的(100)单晶硅基片上金刚石的成核行为进行了初步研究,并利用定量金相及扫描电子显微镜分析了金刚石的成核速率及晶体特征。由此提出了用0.1μm超细金刚石粉对基片的研磨工艺。该工艺可有效提高金刚石成核率,从而有助于获得晶粒细小均匀,表面粗糙度低的金刚石薄膜。采用C60涂复并结合研磨工艺,使成核率获得了进一步提高。     

热丝CVD法制备C—N薄膜的结构分析

用热丝 CVD法 ,以甲烷、氮气和氢气为气源 ,在 Si( 1 1 1 )衬底上沉积了C- N薄膜。用 X射线光电子谱 ( xps)、喇曼光谱 ( RS)、X射线衍射 ( XRD)和扫描电镜( SEM) ,对 C- N薄膜的结构及生长速率进行了分析研究。结果表明 :C- N薄膜的结构为非晶态 ,同时含有金刚石和石墨相 ;氮以三种不同的化学键合状态存在于膜中 ,其中 β键合状态的结合能与晶态 β- C3N4的结合能接近 ;随混合气体中氮气含量增加 ,C- N薄膜的生长速率减小。     

P－型金刚石半导体制备及其性能研究

利用热丝化学气相沉积法，以硼酸三甲酯为液态掺杂源，用Ｈ＿２携带，制备出高质量的ｐ型金刚石薄膜。经检测，其晶体结构常数与天然金刚石十分接近。对掺杂样品计算表明，硼掺杂浓度是６．５×１０￣（１９）ｃｍ￣（－３）室温下空穴载流子浓度是８×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３），电离率为１．２３／１０００。     

磁约束微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜

采用国内研制的电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备,在单晶硅衬底上沉积了金刚石薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和激光拉曼谱仪(RAM)的测试,证明所沉积的薄膜具有明确的金刚石特征。所采用的ECRCVD设备,具有低压沉积、大面积均匀和低温生长的优点。这种方法在合成金刚石光学膜、半导体膜以及其它薄膜方面,很有发展潜力。