HT—7超导托卡马克装置硼化实验研究

描述了一种无毒无爆炸的固态硼（Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２）在ＨＴ－７超导手 马克装置上进行了硼化实验，结果表明：杂质成分显降低，硼化为ＬＨＣＤ辅助加热提供了良好的壁条件。实验中对发现的问题及现象进行了探讨，提出了改进和完善的办法。     

HT—7超导托卡马克第一壁He辉光硼化实验研究

为了降低聚变等离子体杂质的含量,改善等离子体性能,对HT-7进行了射频辅助的氦气直流辉光放电硼化.硼化后,等离子体参数提高,等离子体行为明显改善.由此证实了硼化为HT-7稳态运行提供了良好的壁条件.     

用残气谱研究HT—7超导托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧性

硼碳膜吸氧将导致真空室残气中水分压的降低，所以可以通过分析各种情况下真空室残气谱水分压的变化，来研究托卡马克等一壁硼碳膜的吸氧过程，残气谱分析表明硼化过程中，硼碳膜吸氧；各种等离子体轰击过程中硼碳膜吸氧；而没有等离子体轰击时如抽本底真空过程中，硼碳膜不吸氧。了解这些过程对合理使用膜有重要意义。     

HT-7超导托卡马克装置硼化实验研究

描述了一种无毒无爆炸的固态硼 (C2 B10 H12 )在HT 7超导托卡马克装置上进行的硼化实验 ,结果表明 :杂质成分显著降低 ,CO ,H2 O及碳化合物得到了有效抑制 ,Zeff从 4～ 5下降到约 1 5,杂质及工作气体再循环也明显减少 ,硼化为LHCD辅助加热提供了良好的壁条件。实验中对发现的问题及现象进行了探讨 ,提出了改进和完善的办法。     

HT—7超导托卡马克第1壁B／C膜吸O性研究

通常在托卡马克第1壁沉积1层B膜，以降低托卡马克等离子体的O杂质，在HT－7第1壁位置处放了几个石墨样吕，它们与HT－7一起硼化，硼化后取出部分样品膜，剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击，对鲜膜和轰击膜进行XPS分析，发现在成膜过程中B膜开始吸O；等离子体轰击时，B膜进一步吸O，O在膜中与B以化合态B2O3形式存在，并对实际中存在的一些问题进行了探讨。     

HT—7U超导托卡马克真空室设计

介绍ＨＴ－７Ｕ超导托卡马克真空室的材料选择、结构特点、受力分析、烘烤与冷却以及真空室内部相关部件的概况。     

HL—1M装置硼化膜的研究

ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸气对真空室内壁进行了原位硼化，取得了满意的效果。采用沉积探针技术并结合四极质谱分析技术对膜的成分、热解释性能、Ｄ＋束辐照化学腐蚀性能、ＨＬ－１Ｍ装置第一壁成膜的平均速率和膜厚的均匀度以及硼化前后的碳、氧杂质和放电期间器壁再循环特性进行了研究。     

HL—1M装置硼化壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ／Ｃ壁和Ｓ壁的出气特的对比实验研究。Ｂ／Ｃ壁的最大出气率是２．６０×１０＾２０ｍｏｌ／ｓ其中Ｈ２占９９．６％杂质组分３．８×１０＾－３。与ＳＳ壁相比，Ｂ／Ｃ壁的Ｈ２出气率增加了１．３倍，杂质组分出气率小一个量级，且气体的动力学滞留时间得到增强。     

HT-7托卡马克中锂第一壁研究的先行试验

为了抑制等离子体杂质和减少粒子再循环,获得高品质的等离子体,HT-7超导托卡马克将进行锂限制器实验。为此需要在实验台上开展一些先行试验,以掌握锂材料操作的关键工艺;在加热和直流辉光放电下,借助光谱仪及膜厚仪得到温度与锂熔化、挥发、沉积之间的关系。实验表明在锂温度低于300℃的情况下,锂挥发不明显;从300℃到360℃,挥发速度逐渐加快;当锂温度高于370℃,锂挥发急剧增加。利用蒸发镀膜和直流辉光放电等离子体镀膜,在真空室壁沉积了约300nm的锂膜,装置真空明显改善,表明锂膜对各种气体有很强的吸附和抑制作用。实验表明锂是托卡马克装置第一壁的理想材料之一,可以用于抑制等离子体中杂质,降低氢同位素再循环,提高等离子体性能。采用锂作为HT-7限制器,有必要在安装过程中采用氩气保护,以避免锂的氧化,同时在实验期间应避免锂限制器温度过高,以防止锂的快速蒸发。     

中国环流器新一号（HL—1M）装置内壁的硼化

用无毒，不燃固体材料碳硼烷与氦直流辉光放电在ＨＬ－１Ｍ内壁上原位涂复了含碳硼膜，平均厚度５０－７０ｎｍ，碳硼比约为１：６。硼化后器壁条件有了本质的改善。尽管省去了每天长达１５小时的放电清洗，但本底真空仍然从（１－２）×１０＾－４Ｐａ提高到（５－６）×１０＾－５Ｐａ。     

HL—1M装置硼化膜的研究

ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸汽等离子体增强沉积技术对第一壁进行了原位硼化，在第一壁表面上形成一层半透明、非晶ａ－Ｂ／Ｃ：Ｈ膜。在单电极、１．２Ａ／７５０Ｖ放电参数下，平均沉积速率为１１０ｎｍ／ｈ，膜厚不均匀度为８４％，Ｂ／Ｃ＝０．６－２．０，Ｂ－Ｃ的结合能为９７－９９ｅＶ，与Ｂ／Ｃ值有关。膜层中有２０－３０％的硼是以Ｂ－Ｃ的形式存在，７０－８０％碳是以ａ－Ｃ：Ｈ形式存在，这是ＨＬ－１Ｍ装置     

HT—7U石墨材料在HT—7超导托卡马克装置的先行实验

通过对1种新型石墨材料进行等离子体轰击实验，近似计算出材料的热导率大约为70W/mK，石墨可以承受高达2．41MW/m2的能流密度（实验中最大值），模头位置及波加热条件下，石墨受等离子体轰击程度的不同，石墨材料的抗轰击能力及抗溅射能力都比较，在长时间等离子体轰击的情况下，由石墨材料产生的杂质足够低，不影响等离子体放电，基本上满足装置正常运行的要求。     

HT—7U装置第一壁抗热冲击SiC厚膜涂层研究

为实现 HT－ 7U装置长脉冲运行的物理目标,在碳石墨第一壁材料的改性研究中和为保证在稳定的长平顶阶段对大部分杂质和再循环的控制,提出了研制抗等离子体溅射腐蚀的梯度功能涂层的概念。研究了通过化学气相转化 CVR和化学气相渗透 CVI 2种技术实现 SiC厚膜梯度涂层的方法,通过实验研究发现 CVI法实现的 SiC涂层有更厚、更致密、更好的梯度性和很好的抗热冲击等综合性能,适于作为 HT－ 7U装置第一壁高通量部件上的保护涂层。     

HT—7超导托卡马克真空系统和真空调试实验

本文介绍了ＨＴ－７超导托卡马克装置的真空抽充气系统，质谱分析和真空测量系统。给出ＨＴ－７装置真空调试过程中的真空密封、检漏排漏、漏气率放气率和极限真空及质谱分析和放电清洗的实验结果，对有关问题进行了讨论。     

HT-7超导托卡马克第1壁B/C膜吸O性研究

通常在托卡马克第1壁沉积1层B膜,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT-7第1壁位置处放了几个石墨样品,它们与HT-7一起硼化。硼化后取出部分样品膜,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析,发现在成膜过程中B膜开始吸O;等离子体轰击时,B膜进一步吸O。O在膜中与B以化合态B2O3形式存在。并对实际中存在的一些问题进行了探讨。