1.25VRDIMM：动态随机存取存储器

三星电子推出采用30纳米级企业服务器1．25V16GBDDR3RDIMM（RegisteredDualInlineMemoryModule）产品。     

电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁.实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主.分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障.另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义.     

一种新型高速嵌入式动态随机存储器

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器.该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成.MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元.写“0”操作通过正向偏置二极管实现,而写“1”操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现.由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用.     

电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁.实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故...     

N沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存储器

N沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器,采用当前景广泛的N沟硅栅工艺制造。在不太严格的工艺条件下.即位线宽度7.5μ,位线电容C_D比单元电容C_S等于或大于10的情况下,设计了一种读出放大器,使之能读出200MV左右的信号.单元的面积是60×30μ~2,芯片的总面积为4×5 mm~2。     

动态随机存取记忆体的深槽电容器制造方法

首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术。后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容器制造工艺流程,使读者进一步了解先进记忆体产品制造上的主要挑战。     

N沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器(RAM)

n沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器,采用当前最广泛的n沟硅栅工艺制造。在不太严格的工艺条件下,即位线宽度7.5微米,位线电容C_D与单元电容C_s比等于或大于10的情况下,设计了一种读出放大器,使之能读出200毫伏左右的信号。单元的面积是60×30微米~2,芯片的总面积为4×5毫米~2。     

动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望

介绍了DRAM 0.1μm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM.现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间.     

动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟

在高密度比特位动态随机存储器(DRAM)芯片的发展中,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出,已成为不可忽视的重要因素,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求.本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高,速度快,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件,并通过实例计算,分析DRAM中互连线寄生电容对电路性能的影响.     

用新型存储器单元实现16Mb低功耗"superSRAM"

Renesas Technology公司开发出称为"superSRAM"的低功耗SRAM系列产品,这些产品因开发出一种新型存储单元而具有很大的存储容量和很低的功耗,但芯片尺寸却很小.     

用新型存储器单元实现16Mb低功耗“superSRAM”

飞利浦电子公司推出内含中档液晶显示电视用SAA6713定标器集成电路的NexperiaPNX300xDigital OneChip(DOC)参考设计.DOC PNX300x参考设计为电视制造商提供了只需在DOC PNX300x解决方案中添加一个定标器就能生产价格适宜的中档液晶显示电视的机会.     

相变存储器：能实现全新存储器使用模型的新型存储器

从下面的几个重要特性看,相变存储器(PCM)技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求:     

电可擦除存储器单元的模型

本文采用绝大多数模拟器中已有模型的器件建立ＥＥＰＲＯＭ单元器件的等效电路的模型,利用本模型对ＥＥＰＲＯＭ单元的擦、写、读进行了任意组合的瞬态模拟,论文用实例验证了模型的正确性     

用于单片机的新型存储器

在单片机系统中,所使用的芯片越少,系统的可靠性、抗干扰性就越好。本文介绍的存储器把单片机必须用的地址锁存器集成在芯片的内部了。使用这种存储器可使单片机系统的可靠性、抗干扰性提高。下面将分别介绍一下这种新型存储器。 一、带有地址锁存器的EPROM。 Intel公司的87C64、87C256是带有地址锁存器的CMOS EPROM,容量分别为8KB和32KB,采用的封装方式、引脚数量与常用的27C64、27C256相同,它们唯一的差别是:27型的第20脚是CE;87型的第20脚是ALE/CE。87型的编程方法与相应的27型一样。87型存     

由256个二极管构成的硅光电自扫描摄象管

光电数码识别和传真设备中的最主要的元件就是传感阵列。它必须有足够的传感器以便给片子上的集成提供高分辨率以及扫描机理。据报导,目前美帝的雷提康公司已经做出256个元件的自扫描摄象管的样品,并立即准备进行批量生产,现在费尔查尔德半导体公司也在研制256二极管的线性阵列。费尔查尔德公司研制的这种器件可以用矩阵型的金属—氧化物—半导体移位寄存器编码级扫描二极管阵列来实现。这种移位寄存器编码级排列成四列,这是在每一阵列的线性方向     

用于监视器的新型阻尼二极管及调制二极管

普通的38cm监视器水平偏转频率高于70kHz,高档监视器的水平偏转频率高达130kHz,需要动态性能优良的阻尼二极管(V_(FP)低、t_(rr)小)。本文先讨论阻尼二极管的主要参数及导通时的功率损耗、由截止到导通时的开关     

三款新型的惠威牌喇叭单元

最近,惠威公司向市面上推出了三款新型单元,其中两款是高音单元,型号分别是TN28和Rl;还有一款是中音单元,型号为DMN。 TN28是音箱顶部安装式设计。这款单元使用磁力极强的钕铁硼磁体,磁体的体积很小,磁路也是特别设计的,整个单元的直径很小,仅比振膜直径稍大一些。取消了常用的圆盘式安装面板,代之以带安装座的弹头型整流罩。这种设计使得高音单元不再安装在音箱的前障板上,而是安装在音箱的顶上,从而消除了由面板反射和箱体边缘效应而引起的干扰,使声音的清晰度进一步提高。