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相似文献
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1.
为了阐明SnO_2粒度大小对AgSnO_2触头材料电弧侵蚀行为的影响,采用粉末冶金法制备不同SnO_2粒度的Ag-4%SnO_2(质量分数)触头材料,对触头材料组织进行观察,并对其致密度、硬度和导电率进行测量。对Ag-4%SnO_2触头材料进行电弧侵蚀实验,确定燃弧时间和电弧侵蚀前后的质量变化,并对电弧侵蚀后触头材料表面的形貌和成分进行表征。结果表明:细小的SnO_2颗粒有助于提高Ag-4%SnO_2触头材料的致密度和硬度,但降低了其导电率。随着SnO_2粒度的减小,Ag-4%AgSnO_2触头材料的燃弧时间变短,质量损失降低,电弧侵蚀面积增大,蚀坑变浅且分散。  相似文献   

2.
为了研究不同粒度TiB_2对Ag-TiB_2复合材料电弧侵蚀行为的影响,通过机械球磨和粉末冶金的方法制备不同粒度的TiB_2增强Ag-4%TiB_2(质量分数)复合材料。对Ag-4%TiB_2复合材料的组织进行了分析,定量分析了TiB_2的分布。用TDR240A单晶炉改装的设备进行真空电弧侵蚀实验,采用扫描电子显微镜(SEM)表征了电弧侵蚀后试样表面形貌,测量了电弧侵蚀前后的质量损失,采用TDS-2014双通道数字示波器记录了每次电弧的持续时间,并且对电弧侵蚀机理进行了讨论。结果显示,随着TiB_2颗粒粒度的减小,TiB_2颗粒在Ag基体分布更均匀,Ag-4%TiB_2触头材料表现出小的质量损失,短的电弧持续时间,大的侵蚀区域以及浅的侵蚀坑。说明了细小TiB_2颗粒更能有效改善Ag-4%TiB_2触头材料的耐电弧侵蚀性能。  相似文献   

3.
采用不同粒度的银粉和放电等离子烧结工艺制备了Ag-4% TiB2(质量分数,下同)触头材料,测量了Ag-4% TiB2触头材料的致密度、导电率和硬度,并在真空下对Ag-4% TiB2触头材料进行了电弧侵蚀实验。采用扫描电子显微镜对Ag-4% TiB2触头材料电弧侵蚀后的表面形貌进行了表征,采用TDS-2014双通道数字存储示波器记录了燃弧波形,并计算了燃弧时间,对电弧侵蚀机理进行了探讨。结果表明,Ag-4% TiB2触头材料的致密度、导电率和硬度均随着Ag粒度的降低而增加。另外,采用细银粉制备的Ag-4% TiB2触头材料具有较长的燃弧时间、较大的侵蚀面积和较浅的蚀坑,表明细小的Ag颗粒有助于电弧分散,能够提高材料的耐电弧侵蚀性能。  相似文献   

4.
采用放电等离子烧结法(SPS法)制备了不同TiB_2体积分数的TiB_2/Cu复合材料,测试其密度、硬度和导电率,观察其微观组织;利用JF04C型电接触材料性能测试系统探究TiB_2含量和电流对复合材料耐电弧烧蚀性能的影响。结果表明:加入TiB_2增强相后,复合材料中Cu晶粒得到细化;当TiB_2体积分数增至5%时,相比纯Cu,TiB_2/Cu复合材料硬度增加了28%、导电率降低了16%;在电接触试验中,随着TiB_2体积分数增加,触头材料总质量损耗减少;当电流为10 A时,5%TiB_2/Cu触头材料无明显材料转移,当电流大于15 A时,材料明显从阳极向阴极转移,且随电流增大转移量随之增加。  相似文献   

5.
为了研究不同粒度TiB2对Ag-TiB2复合材料电弧侵蚀行为的影响,通过机械球磨和粉末冶金的方法制备不同粒度的TiB2增强Ag-4%TiB2(质量分数)复合材料。对Ag-4%TiB2复合材料的组织进行了分析,定量分析了TiB2的分布。用TDR240A单晶炉改装的设备进行真空电弧侵蚀实验,采用扫描电子显微镜(SEM)表征了电弧侵蚀后试样表面形貌,测量了电弧侵蚀前后的质量损失,采用TDS-2014双通道数字示波器记录了每次电弧的持续时间,并且对电弧侵蚀机理进行了讨论。结果显示,随着TiB2颗粒粒度的减小,TiB2颗粒在Ag基体分布更均匀,Ag-4%TiB2触头材料表现出小的质量损失,短的电弧持续时间,大的侵蚀区域以及浅的侵蚀坑。说明了细小TiB2颗粒更能有效改善Ag-4%TiB2触头材料的耐电弧侵蚀性能。  相似文献   

6.
为了阐明接触压力和电极间距对Ag基触头材料转移行为的影响,在阻性负载24V/16A条件下对Ag-4wt.%TiB_2触头材料在电接触测试系统中进行不同接触压力和电极间距5000次电弧侵蚀实验,系统研究燃弧能量和燃弧时间与接触压力和电极间距的关系,表征电弧侵蚀后阳极和阴极的表面形貌,测量电弧侵蚀后两电极的质量变化,并对材料转移行为进行讨论。研究结果表明:接触压力显著影响燃弧能量、燃弧时间和侵蚀形貌,但并不改变材料转移模式。然而,电极间距不但影响燃弧能量、燃弧时间和侵蚀形貌,而且改变材料转移方向。当电极间距为1 mm时,材料转移方向为由阳极到阴极;而电极间距为4 mm时,材料转移方向发生逆转,即材料由阴极向阳极转移。  相似文献   

7.
采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备出(Cu-50Mo)-0.5%LaCl_3和(Cu-50Mo)-5%WC-0.5%LaCl_3 2种复合材料,对复合材料的密度、硬度、导电率和显微组织进行了对比分析。并对复合材料进行了电接触性能测试,研究了其在直流阻性负载条件下的阴极、阳极材料转移和质量损失规律,并通过扫描电镜观察材料在电弧侵蚀后的形貌,对复合材料的电弧侵蚀特征进行了初步分析。结果表明:采用SPS工艺制备的复合材料具有良好的综合性能;随电流的增大材料转移量不断增加;电弧侵蚀后的触头表面呈现气孔、熔池和凹坑等形貌特征,且电流值越大,其形貌特征越明显;当电压一定时,接触电阻随电流的增大而减小;当电压、电流相同时,接触电阻随电流变化无明显波动,而熔焊力随电流增大呈增加趋势。  相似文献   

8.
采用超声、球磨和放电等离子烧结相结合的方法制备了不同ZrB2含量(3%,5%,7%,质量分数)的新型AgZrB2触头材料,并通过电接触试验研究了触头材料的电弧侵蚀和材料转移行为。结果表明,ZrB2含量显著影响AgZrB2触头材料的耐电弧侵蚀性能。Ag-3% ZrB2触头材料具有稳定的闭合/分断燃弧能量和持续时间,表现出较好的耐电弧侵蚀性能。但是,过多的ZrB2会导致更高的闭合燃弧能量和更长的闭合燃弧时间,并且分断燃弧能量和时间会产生较大的波动,电弧侵蚀较为严重,这说明过量的ZrB2不利于提高触头材料的耐电弧侵蚀性能。此外,Ag-3% ZrB2和Ag-5% ZrB2触头材料具有相同的材料转移模式——从阳极向阴极转移,而Ag-7% ZrB2触头材料则呈现出相反的转移模式——从阴极向阳极转移。  相似文献   

9.
分别加入0%、2%、4%、6%TiB_2的钴基合金粉末在TA2钛合金表面进行激光熔覆。通过显微观察、维氏硬度仪、X射线衍射、扫描电镜、往复摩擦磨损试验等分析不同TiB_2/Co配比对熔覆层组织性能的影响,确定最优的TiB_2/Co配比。结果表明,加入4%和6%TiB_2的钴基熔覆层的显微硬度为710 HV0.2,相比于基体的硬度提高了119%;加入2%TiB_2的钴基熔覆层中,熔覆层的平均硬度为615 HV0.2,相比于基体的硬度提高了90%。加入TiB_2的TiB_2/Co熔覆层中分布着更多的硼化物硬质相和高熔点硬质增强相CrB、TiB_2、TiC、Cr_(23)C_6等。加入4%TiB_2的钴基熔覆层主要由细小的树枝晶和黑色的TiB_2陶瓷颗粒组成,熔覆层晶粒细小且组织致密,TiB_2颗粒分布均匀,组织性能最好;加入6%Ti B_2的钴基熔覆层晶粒粗大,并伴随有裂纹的出现,性能有所下降。在TiB_2/Co熔覆层中,加入适当的TiB_2含量能有效降低熔覆层的摩擦因数以及在摩擦磨损过程中的体积磨损量,提高工件修复后的使用寿命。加入4%TiB_2的钴基合金激光熔覆层表现出较好的摩擦磨损性能,点蚀和脆性剥落明显减弱。TiB_2/Co熔覆层的耐磨性不仅取决于TiB_2的含量,还与硬质相和自润滑剂在摩擦磨损过程中的占比有关。  相似文献   

10.
采用粉末冶金法制备了不同SnO2含量的AgSnO2触头材料,研究了SnO2含量对AgSnO2触头材料电弧侵蚀行为的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了AgSnO2触头材料电弧侵蚀形貌,对影响AgSnO2触头材料电弧侵蚀的因素进行了分析。结果表明:在电弧侵蚀过程中侵蚀优先发生在SnO2区域。随SnO2含量增多,燃弧时间依次增加,侵蚀面积逐渐减小,侵蚀坑变深,金属喷溅增强。  相似文献   

11.
使用粒度约为3μm的导电陶瓷TiB_2颗粒作为铜基复合材料的增强相,在酸性硫酸铜溶液中用电铸方法制备TiB_2/Cu电火花加工用工具电极。用扫描电镜和金相显微镜观察其组织结构,用维氏硬度计测量硬度,用中性盐雾试验测量其耐腐蚀性,用电火花加工脆硬材料衡量其抗电蚀性。结果表明:电铸Cu与TiB_2/Cu晶粒平均直径分别为30,10μm,硬度分别为984,1235 MPa,腐蚀失重分别为47.8,40.3 mg;TiB_2颗粒的加入可显著细化晶粒,提高硬度、耐腐蚀性和抗电蚀性。  相似文献   

12.
分别用粉末冶金无压烧结和热压烧结技术制备了Ag-Al电接触材料,并通过场发射扫描电镜(FE-SEM)分析了其显微组织及成分分布,探讨了两种制备工艺及含铝量对Ag-Al电接触材料密度、硬度、电导率和耐压强度的影响。结果表明,热压烧结样品力学、电学性能均优于无压烧结样品,且热压样品随着含铝量增加,硬度、耐压强度升高,电导率下降;耐压强度主要受含铝量影响;烧结方式影响Ag-Al电接触材料显微组织,进而影响电弧侵蚀后Ag-Al电接触材料表面形貌和成分分布。  相似文献   

13.
W-Cu composite powder doped with Ce (1.5 wt.%) was prepared by mechanical alloying (MA), and the W-Cu contact material was fabri-cated by hot pressing sintering in an electrical vacuum furnace. The microstructure, electric conductivity, hardness, and breakdown voltage of the Ce-doped W-Cu alloy were measured and compared with a conventional W-Cu alloy prepared by powder metallurgy. The results show that microstructural refinement and uniformity can improve the breakdown behavior and the electric arc stability of the Ce-doped W-Cu contact material. Also, the Ce-doped W-Cu contact material shows the characteristic of spreading electric arc, which is beneficial to electric arc erosion.  相似文献   

14.
以乙二胺为溶剂采用微波溶剂热法合成铜铟镓硒(CIGS)粉体,研究了反应温度、表面活性剂对合成产物物相及形貌的影响.采用X射线衍射仪、扫描电镜及X射线能谱仪对产物的物相、形貌及组成进行表征.结果表明:在反应温度为230℃(反应时间为2 h)条件下可以获得物相单一,颗粒尺寸较小的CIGS粉体.在基准溶液中加入表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)后对合成产物形貌有明显改善作用,粉体分散性较好,呈圆球状且粒径较小,为100~200 nm.  相似文献   

15.
采用扫描电子显微镜(SEM)、表面电子探针显微分析仪、电接触性能试验机等手段,研究了混粉法和包覆法制备的AgSnO_2电接触材料在直流条件下(DC 24 V/15 A),铆钉触头表面的电弧烧蚀情况。对材料的表面烧蚀机理、金属转移情况,以及电寿命等进行了讨论。结果表明,包覆法制备的AgSnO_2电接触材料具有较强的耐电弧侵蚀能力与较少的材料转移量。  相似文献   

16.
纳米复合银基电触头材料的研究   总被引:14,自引:0,他引:14  
利用高能球磨技术及热压烧结工艺制备出第二相弥散均匀分布于Ag基体中的纳米复合AgNi和AgSnO2触头,对复合粉末和合金触头进行了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)分析。结果发现:经长时间高能球磨后,复合粉末的晶粒明显细化,第二相粒子尺寸已达到40nm左右,并在球磨过程中通过嵌入、焊合弥散分布于Ag基体中,消除了传统方法第二相聚集及在晶界处的连续析出等缺陷。在退火、热压过程中第二相并未明显长大,仍保持在50nm左右。对触头进行SEM观察时发现,2种触头的晶界处都保持着有利于电性能的Ag膜。与常规商用触头相比,纳米复合触头有分散电弧作用,表面没有明显的熔池和液体喷溅,呈现出较好的耐电弧侵蚀特性。  相似文献   

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