酞菁铜薄膜的真空热蒸发制备及其性能

用真空热蒸发法在玻璃基板上制得酞菁铜(CuPc)薄膜。用原子力显微镜、紫外可见光分光光度计及红外光谱仪等分析了酞菁铜薄膜的结构特征,并对薄膜的沉积机理进行了探讨。通过与L-B(Langmuir-Blodgett)法的比较,发现用真空热蒸发法制备的酞菁铜薄膜结构、性能更佳。     

真空热蒸发酞菁铜(CuPc)薄膜的结构及光学、电学性能研究

为研究衬底温度对酞菁铜(CuPc)薄膜的结构、光学及光电导性能的影响,文中采用真空热蒸发方法制备了不同衬底温度的CuPc薄膜.X射线衍射和Raman光谱分析显示CuPc薄膜呈现很好的定向生长特性,随衬底温度的升高,CuPc薄膜的结晶性变好,其中α-CuPc的相对含量逐渐增加,而β-CuPc相应减少;场发射扫描电镜观察了不同衬底温度下薄膜的表面形貌和晶粒分布情况;用紫外可见光谱表征了CuPc薄膜的光学性能;CuPc薄膜的光敏性随衬底温度的升高表现出先增大后减小的变化规律.     

Ag-MgF2金属陶瓷薄膜的制备及其微观结构研究

用真空双蒸发源交替蒸发法和单蒸发源混合瞬时蒸发法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜。透射电镜、电子衍射、X射线衍射以及X射线光电子能谱分析结果表明，薄膜由晶态超微粒Ag镶嵌于主要为非晶态的MgF2中构成。Ag-MgF2形成的金属陶瓷复合晶体结构所对应的主要谱峰为d=0．26102，0．23540，0．20393nm。用真空单蒸发源混合瞬时蒸发法制备的Ag-MgF2薄膜表面元素的结合能大于双蒸发源交替蒸发法制备的薄膜表面元素的结合能。     

三氧化钼薄膜的结构的电致色性质的热处理效应

本文用真空热蒸发方法在Ｉａ２Ｏ３导电玻璃上制备了ＭｏＯ３薄膜，并在１００－４００℃空气环境中将薄膜进行了热处理，分别用ＳＥＭ、ＸＲＤ观察了薄膜的表面形貌，分析了薄膜的微观结构，用二电极和标准三电化学方法测量了薄膜的Ｔ－Ｑ关系和Ｉ－ｔ曲线，分析了热处理温度对薄膜的结构和电致     

真空蒸发沉积VOPc薄膜及磁场对薄膜结构与性能的影响

用真空蒸发制备了酞菁氧钒(VOPc)薄膜，并在磁场中进行了热处理。用X光电子能谱、X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、原子力显微镜等手段对制备的薄膜进行了表征。结果 表明沉积的酞菁氧钒薄膜为a-型，成分接近酞菁氧钒的分子式。制备的薄膜在磁场中进行了热处理，发现磁场使酞菁氧钒薄膜性质发生改变：UV-VIS吸收谱Q带发生红移；XRD谱图衍射峰强度明显增强，峰位略有变化；原子力显微镜(AFM)分析发现晶粒大小无明显变化。以上结果说明磁场的存在使得VOPc分子在热处理过程中发生了定向的排列。     

真空共蒸发沉积制备酞菁酮—酞菁铅复合膜及性能研究

本通过真空共蒸发制备了酞菁铜-酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分，相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带（Q带）明显发生宽化，其波长覆盖范围扩展到600-1200nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加，尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强，吸收边有明显的红移现象，本对这一现象进行了简单的描述。     

REVERSE OPTICAL CHANGE AND RECORDING CHARACTERISTICS OF LANGMUIR-BLODGETT FILMS OF PHTHALOCYANINE COMPOUNDS

报导了酞菁化合物的吸收光谱随中心金属离子的有机基团的替代而产生的变化，以及酞菁铜（ＴＮＰｃＣｕ）和酞菁锌（ＴｎＰＰｃＺｎ）的单分子薄膜的吸收光谱随温度的变化。发现酞菁铜薄膜在７４０ｎｍ波长的光吸收的滞后回旋现象以及酞菁锌的可逆光吸收变化。报导了利用上述现象的可擦重写的光存储特性。     

酞菁化合物L—B薄膜的可逆光学变化和光记录特性

报导了酞菁化合物的吸收光谱随中心金属离子的有机基团的替代而产生的变化，以及酞菁铜（ＴＮＰｃＣｕ）和酞菁锌（ＴｎＰＰｃＺｎ）的单分子薄膜的吸收光谱随温度的变化。发现酞菁铜薄膜在７４０ｍｍ波长的光吸收的滞后回旋现象以及酞菁锌的可逆光吸收变化。报导了利用上述现象的可擦重写的光存储特性。     

单源热蒸发制备有机无机杂化CH3NH3PbI3薄膜及其性能表征

采用全真空单源热蒸发沉积技术直接制备钙钛矿太阳电池用有机无机杂化CH₃NH₃PbI₃薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和分光光度计对制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜微结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征分析, 并与非真空旋涂法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜性能进行比较。结果表明: 单源热蒸发法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜呈现单一的钙钛矿四方晶体结构, 且与蒸发源材料的晶体结构同源性高, 没有出现杂质相偏析; 对比旋涂法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜表面均匀致密平整, 且薄膜结晶度更高; 单源热蒸发法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜禁带宽度为1.57 eV, 符合钙钛矿太阳电池吸收层光学性能要求。     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备ＣｕＰｃ／ＺｎＳ交替多层复合薄膜,研究ＣｕＰｃ和ＺｎＳ的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外可见光谱仪和Ｘ射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能,探讨了有机／无机复合薄膜的光电导机理,提出了理论模型。     

MoO3薄膜的电化学及电致变色性质

用真空热蒸发方法在ＩＴＯ导电玻璃上镀制了ＭｏＯ３薄膜，在２５０℃条件下于空气环境中将薄膜进行一小时热处理。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）方法分析薄膜的微观结构，用扫描电镜（ＳＥＭ）观察薄膜的表面形貌。在二电极恒电流方法中，相应于致色过程测量了薄膜的Ｔ－Ｑ曲 并得到薄膜在７００ｎｍ，５５０ｎｍ和４００ｎｍ的电致色效率。用三电极方法测量了薄膜的循环伏安特性曲线，同时彡分光光度计原位测量了薄膜的透射率变化。用Ｇ     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备 Cu Pc/ Zn S交替多层复合薄膜 ,研究 Cu Pc和Zn S的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外 -可见光谱仪和 X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能 ,探讨了有机 /无机复合薄膜的光电导机理 ,提出了理论模型。     

n-ZnO/p-PbPc复合多层膜光吸收性能研究

用溶胶-凝胶(sol-gel)法和真空热蒸发沉积制备了氧化锌/酞菁铅交替生长复合多层膜,并对复合膜的光吸收性能进行了研究.实验发现,复合膜的紫外-可见吸收谱中,酞菁铅的Q带吸收峰同时具有明显的蓝移和红移引起的新峰出现,说明氧化锌和金属酞菁之间存在很强的相互作用.氧化锌和酞菁铅分子间存在两种效应:PbPc分子被ZnO包裹产生的量子约束效应导致的吸收峰蓝移,以及和n型导电的ZnO向p型导电的PbPc:分子的电荷转移产生的红移.     

Ag—MgF2金属陶瓷薄膜的制备及其微观结构研究

用真空双蒸发源交替蒸发法和单蒸发源混合瞬时蒸发法制备了Ａｇ－ＭｇＦ２金属陶瓷薄膜。透射电镜，电子衍射，Ｘ射线衍射以及Ｘ射线光电子能谱分析结果表明，薄膜由晶态超微粒Ａｇ镶嵌于主要为非晶态的ＭｇＦ２中构成。Ａｇ－ＭｇＦ２形成的金属陶瓷复合晶体结构所对应的主要谱峰为ｄ＝０．２６１０－２，０．２３５４０，０．２０３９３ｎｍ。     

真空热蒸发碲化镉薄膜的结构组成和光电性能研究

研究了真空热蒸发制备CdTe薄膜的光电性能以及微结构、化学组成和成膜机理。通过X射线衍射、透射电镜电子衍射、X光电子能谱和光、暗电导测试等分析手段,系统表述了薄膜的组成、结构、表面氧化与真空热蒸发工艺的关系。指出基板温度是决定CdTe薄膜组成和结构的关键参数,150℃左右制备的CdTe薄膜具有最佳光电性能和成膜质量。另外,对CdTe薄膜的氧化机制和成膜机理也进行了初步探讨。     

铜薄膜微结构的X射线衍射线形分析

首先采用真空蒸镀法制备了不同厚度的铜薄膜,并对薄膜进行了退火处理;然后用X射线衍射仪测定铜薄膜的衍射谱,最后采用线形分析法对衍射谱进行计算,得到了不同厚度铜薄膜退火前后的晶粒尺寸和微应变。结果表明:真空蒸镀铜薄膜晶粒尺寸随薄膜厚度的增加而增大,微应变随薄膜厚度的增加而减小;退火处理后薄膜晶粒明显长大,薄膜微应变在退火处理后明显减小。     

二氧化钼薄膜的结构和电致色性质的热处理效应

本文用真空热蒸发方法在Ｉｎ２Ｏ３导电玻璃上制备了ＭｏＯ３薄膜，并在１００～４００℃的空气环境中将薄膜进行了热处理．分别用ＳＥＭ、ＸＲＤ观察了薄膜的表面形貌，分析了薄膜的微观结构，用二电极和标准三电极电化学方法测量了薄膜的Ｔ—Ｑ关系和Ｉ—ｔ曲线．分析了热处理温度对薄膜的结构和电致色性质的影响以及致色的动力学机制，并讨论了薄膜的致色机理．     

真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究

本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜 酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分 ,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带 (Q带 )明显发生宽化 ,其波长覆盖范围扩展到 6 0 0～ 12 0 0nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加 ,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强 ,吸收边有明显的红移现象 ,本文对这一现象进行了简单的描述。     

TiO2薄膜上电沉积四氨基酞菁钴及其表征

为了寻找酞菁在TiO2上成膜新方式,我们用阳极氧化法在TiO2薄膜上成功制备了四氨基酞菁钴薄膜,对酞菁薄膜进行了SEM,XRD,UV-vis表征,并在成膜前后对四氨基酞菁钴分别进行了电化学性能表征.     

四氯苯醌/三苯磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜材料的导电性能研究

本文通过电化学沉积方法制备了一种四氯苯醌/三苯磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜材料体系,研究了该可控掺杂有机薄膜材料的导电性能.研究结果表明,四取代酞菁铜可控掺杂薄膜材料的电导率,随着温度的升高或掺杂剂浓度的增加而显著增加,其原因是酞菁铜给体与四氯苯醌和三苯基磷等小分子电子受体之间发生了较强的氧化还原作用.