Ag—Y两相合金在高—低氧压下的高温氧化

研究了含8mass%Y的Ag-Y合金在10^5Pa和10^-15Pa两个氧压于700℃的氧化。结果表明,在10^5Pa的氧化很快,并遵循近似的抛物线规律;10^15Pa的氧化则很慢且偏离抛物线规律。在高氧压仅发生Y的原位内氧化,这主要是氧快速向内渗通而没有Y明显地外扩散所致,在低氧压则生成含Ag颗粒的Y2O3外氧化层,而其Y的内氧化层则远较高氧压者薄。。内氧化Y2O3颗粒沿深度而变化,近表面处小并呈圆球状,随深度增加逐渐变大并拉长;在深处呈针状且垂直合金表面。此外,在两种氧压下合金最表面有Ag层或分散的Ag颗粒生成。     

掺杂Fe对贮氢合金Ml（Ni—Co—Mn—Ti）5电化学性能的影响

针对混合稀土金属中含有不定量的Ｆｅ杂质及贮氢电极合金在熔炼过程中容易混入Ｆｅ杂质的特点,采用在Ｍｌ（Ｎｉ－Ｃｏ－Ｍｎ－Ｔｉ）５合金中入为地添加不同量Ｆｅ的方法,系统地研究了Ｆｅ掺 对贮氢电极合金Ｍｌ（Ｎｉ－Ｃｏ－Ｍｎ－Ｔｉ）５电化学性能的影响。     

SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te 合金及其热电性能

采用放电等离子烧结(SPS)方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金,并分析研究其热电性能.结果表明:掺杂Ag后,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.005～0.04)的Seebeck系数均为负值,说明材料属于n-型半导体;当温度大约在428.0K时,x=0.04合金的Seebeck系数绝对值(|a|)出现最大值,其值为1.80×10-4V·K-1,比三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约16%;材料电导率随Ag含量的增加而下降.如果采用相同方法制备且成分按(Bi2Te3)0.9-(Bi2-xAgxSe3)0.1(x=0～0.4)设计的材料热扩散系数进行估算,当温度在477.0 K时,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.04)的ZT值出现最大值,其值为0.75,比典型三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约0.09.     

Pd—40Ag—1RE（Sm,Eu,Gd）合金的内氧化及其性能

研究了φ0.1～2.0mm Pd-40Ag-1RE(Sm,Eu,Gd)合金丝在800～1200℃大气气氛下的内氧化行为及其性能,其内氧化深度ξ与反应时间t的关系是ξ=kt~n,在低温下,符合内氧化抛物线规律.随反应时间延长,温度升高,n增大,对此规律偏离越大,三个合金内氧化n=0.5～0.75,Pd-40Ag-1Sm和Pd-40Ag-1Gd晶界局部超前氧化,合金内氧化由体扩散控制.     

Ag—Ln（Ln=La,Ce,Gd）液态合金短程有序性的热力学讨论

本文利用理想缔合液液模型，计算了１３００－１６００Ｋ温度范围内，Ａｇ－Ｌｎ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｇｄ）三个二元系的热力学数据；认为在液相中存在着Ａｇ３Ｌｎ和ＡｇＬｎ得缔合物，并利用浓度相互作用函数Ｓｃｃ（Ｏ）对这种短程有序性进行了讨论。     

Ag—Pd—Ru三元系相图的700℃等温截面

采用Ｘ射线衍射。电子探针和金相星微镜等方法研究了Ａｇ－Ｐｄ－Ｒｕ三元素相图的７００℃等截面。发现在该截面上沿着Ａｇ－Ｐｄ侧有一单相区（Ａｇ、Ｐｄ）,这个单相区在富Ｐｄ区城较宽。在该截面的富Ｒｕ侧也存在一较小的单相区（Ｒｕ）;在这两个单相区之间是一个宽阔的二相区（Ａｇ＋Ｒｕ）。此外,在Ａｇ－Ｐｄ－Ｒｕ三元系富Ａｇ－Ｒｕ侧的部分成分区域,由于合金在液态出现分层现象,凝固后难于获得均匀合金,致使该区域内     

（Ti，Zr，Hf）一（Cu，Ni，Ag）—Al多组元合金体系的机械驱动非晶化

研究了由前过渡族金属和后过渡族金属按照等原子比替代的(Ti0.33Zr0.33Hf0.33)50(Ni0.33Cu0.33Ag0.33)40Al10多组元合金在机械研磨作用下的非晶化转变，并与由熔体急冷制备的同一成分玻璃态合金进行了对比．两种途径获得的玻璃态相似．在机械研磨的稳态产物中，仍残留有少量尺寸小于30nm的晶体相颗粒，即非晶化转变未能完全实现．机械研磨形成的非晶相表现有明确的玻璃转变和约80K宽的过冷液态温度区间，晶化过程分两步进行，第一步晶化转变完成后，剩余的非晶相亦具有玻璃态行为，呈现另一玻璃转变及约100K宽的过冷液态温度区间．     

贮氢电极合金Ml（NiMnTi）4.2Co0.8—XFex（x=0—0.8）的电化学性能

详细地研究了Ｍｌ（ＮｉＭｎＴｉ）４．２Ｃｏ０．８－ｘＦｅｘ（ｘ＝０－０．８）合金的电化学性能。试验发现,随着Ｆｅ含量ｘ从０增加至０．,合金的活化性能得到改善,但最大放电容量从３０２ｍＡｈ／ｇ逐渐降低到２８０ｍＡｈ／ｇ,高倍率放电性能从７８．５％缓慢降至７２．５％;当Ｆｅ含量ｘ≤０．４时,合金的自放电率与高Ｃｏ合金（ｘ＝０）相比有所降低,但当Ｆｅ含量ｘ超过０．４后,合金的自放电率较高Ｃｏ合金有所上升     

掺杂Cu的（In2Te3）0.08（SnTe）0.92化合物热电性能

(In2Te3)x(SnTe)1-x系列化合物具有较低的电导率和热导率,热电性能较差。考虑到其中的In2Te3单元具有三分之一的阳离子空位,可以通过掺杂Cu等外来原子来占据In的空位,使化合物的载流子浓度达到最优化,降低材料的热导率从而改善其热电性能。本组实验中,采用真空熔炼、机械球磨及放电等离子烧结技术制备了(In2-x Cux Te3)0.08(SnTe)0.92(x=0.025,0.05,0.2)系列化合物。测试结果表明,掺杂不同摩尔数的Cu元素后,材料的Seebeck系数几乎没有变化,电导率有所提高,晶格热导率L值大幅度降低,成功地抑制了高温区(In2Te3)0.08(SnTe)0.92的双极扩散效应。当x=0.2时,该化合物在647 K取得最大ZT值0.29,是掺杂Cu元素前ZT值的4.6倍。     

掺杂Al的(In2Te3)0.09(SnTe)0.91化合物热电性能

以等摩尔分数的Al元素替代(In2Te3)0.09(SnTe)0.91中的In元素,利用放电等离子烧结技术、采用相同的工艺制备了(In2Te3)0.09(SnTe)0.91和(In1.9Al0.1Te3)0.09(SnTe)0.912种化合物,并对两者的微观结构和热电性能进行对比。结果表明,掺杂Al元素后,材料的Seebeck系数降低很小,电导率为1×1052.3×1051·m1,是掺杂前的2.43倍,晶格热导率L值大幅度降低。在693K时,掺杂Al后的化合物ZT值达到最大值0.4,是同温度下掺杂前ZT值的2倍。     

P型Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的制备及热电性能

采用熔融法制备了P型填充式方钴矿化合物Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12),并研究了Co位Fe掺杂对该化合物热电传输特性的影响.在300～850 K的温度范围内,测试了化合物的电导率、赛贝克系数和热导率.结果表明,化合物的主要相组成为Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12),EPMA结果显示化合物中含有微量FeSb_2和CoSb_2杂质相.化合物的赛贝克系数均为正值,表明为p型半导体.随着Fe掺杂量的增加,化合物的电导率增加,晶格热导率降低,最小室温晶格热导率仅为1.33 W·m~(-1)K~(-1),对于化合物Yb_0.29Fe_1.2Co_2.8Sb_(12),在800 K时获得最大热电优值ZT约为0.67.     

MAGNETIC PROPERTIES AND CRYSTALLIZATION OF RAPIDLY QUENCHED(Fe_(1-x)Ga_x)_(77.5)Nd_4B_(18.5) ALLOYS

The Curie temperature increases but crystallization temperature decreases with the in-crease of Ga content,x,of amorphous(Fe_(1-x)Ga_x)_(77.5)Nd_4B_(18.5) alloys.The averagemagnetic moment of Fe atoms is almost a constant.By X-ray diffraction and ther-momagnetic measurements,the crystalline phases of the alloys,an unknown phase andα-(Fe,Ga)besides Fe_3 B as major one,were identified.The relationship between roomtemperature coercive field and Ga.content was also studied.     

水冷铜模中Ni-(50-x)Al-xSc合金凝固组织及性能

用真空电弧炉在水冷铜模亚快速凝固条件下制备Ni-(50-x)Al-xSc(at%)合金,用光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)观察合金组织,用X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)分析合金的相组成,结合差式扫描量热法(DSC)分析合金凝固过程,用维氏显微硬度计和纳米压痕仪分别测定合金的硬度和弹性模量,采用两相系统简化模型估算合金整体弹性模量。结果表明,Ni-50Al、Ni-45Al-5Sc、Ni-40Al-10Sc和Ni-35Al-15Sc合金的亚快速凝固组织分别为NiAl、NiAl+AlNi₂Sc、NiAl+AlNi₂Sc和NiAl+AlNi₂Sc+(AlNi₂Sc+Ni-16.93Al-21.53Sc)。合金中各相析出的先后顺序为NiAl、AlNi₂Sc和(AlNi₂Sc+Ni-16.93Al-21.53Sc)。AlNi₂Sc生长的Jackson因子α = 0.2,凝固界面是粗糙界面。Sc使初生NiAl相的硬度提升,AlNi₂Sc相的硬度大于NiAl相的硬度。Sc使初生NiAl相弹性模量减小,Ni-(50-x)Al-xSc合金的整体弹性模量与NiAl金属间化合物相比有减小。     

间隙碳原子对（Er1—xSmx）2Fe17Cy化合物形成,结构与磁性的影响

用快淬方法制备了单相（Ｅｒ１－ｘＳｍｘ）２Ｆｅ１７ｃｙ（ｘ＝０．２，ｙ≤３．０；ｘ＝０．５，ｙ≤２．０）化合物，研究了它们的形成、结构、稳定性及内禀磁性。结果表明，它们在高温是稳定的，随碳含量的增加，晶体结构由六角的Ｔｈ２Ｎｉ１７型向菱方的Ｔｈ２Ｚｎ１７型转变。间隙碳原子的引入导致了单胞体积的膨胀、室温饱和磁化强度和Ｃｕｒｉｅｉ温度的增加。当ｙ≥１．０时，（Ｅｒ１－ｘＳｍｘ）２Ｆｅ１７Ｃｙ样品在室     

快速凝固（Sm1—xBx）Fe2合金的结构和磁性

采用真空单辊快淬法（铜辊,线速度达２０～２３ｍ／ｓ）将成分为（Ｓｍ１－ｘＢｘ）Ｆｅ２（ｘ＝０,０．０１５,０．０３,０．０４５,０．０６）合金锭,制成快速凝固的鳞片状合金,再经粉碎在３０ＭＰａ压力下,模压成φ１０ｍｍ圆片,然后进行ＸＲＤ分析,比磁化强度和磁致伸缩（λ″－λ┴）的测量。实验结果表明各样品只有少量非晶相,主要是ＳｍＦｅ２及少量的ＳｍＦｅ５和ＳｍＦｅ７化合物。样品（Ｓｍ０．９８５Ｂ０．０１５）Ｆｅ２和（Ｓｍ０．９４Ｂ０．０６）Ｆｅ２,在７２０ｋＡ／ｍ磁场下,比磁化强度分别为：５９．５,５２．３Ａｍ２ｋｇ－１,在８８５ｋＡ／ｍ磁场下（λ″－λ┴）分别为：－５１０×１０－６和－３１０×１０－６。     

PHASE COMPONENT AND CURIE TEMPERATURE OF Nd_4(Fe_(1-x)Cr_x)_(77.5)B_(18.5)ALLOYS

1.IntroductionThenewhard-magneticNdFeBall0yswithlowNdc0ncentration(35at.%)havebeenobtainedbycrystallization0fam0rphous.ibbo.sI1-3].Theirmagneticpr0pertiesatr0omtemperatureareasfollows:coercivityHc=16O-24OkA/m,remanenceB,=1'2-1.25T,andmagneticenergy(BH).ax=64108kJ/m'.ThevaluesofB.and(BH).axaremuchhigherthanth0se0fthewidelyusedanis0tropic(Ba,Sr)Fe12Ol9ferritesandAlNiC0alloys.Inpreyi0uspapers['-'1,wehavereportedthestructuralandmagneticpr0perties.Recentlywestudiedtheinfluenceofthesubstit…     

（Sm_（1－x）Y_x）_2Fe_（17）N_y的Mossbauer谱研究

通过Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等研究（Ｓｍ１－ｘＹｘ）２Ｆｅ（１７）Ｎｙ的磁性。结果表明：Ｓｍ次格子的单轴各向异性较强，对总的各向异性贡献起主导机制；Ｙ原子的择优占位导致晶体结构的变化，而对各向异性的影响较小。     

MAGNETIC PHASE DIAGRAM OF SmMn_2(Ge_(1-x)Si_x)_2 SYSTEM

1.IntroductionTheternaryRMn2X2compounds(Risrareearth,andXisGeorSi)crystallizeinthebodycenteredtetrag0nalThCr2Si2-typestructurewithspacegr0upI4/mmm,inwhichtheR,TandXatomsoccuPythe2a,4dand4csites,respectivelyl1t2].Theyexhibitillterestingmagneticpr0perties['].InSmMn2Ge2tlireedifferentmagneticorderingtypeshavebeendetermined:ferromagnetismfor153K相似文献   

MOCVD Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y Alloys and the Infrared Detector

Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y alloys have been grown by atmospheric pressure MOCVD on n-GaSb(Te-doped)substrate.The sohd composition was determined by using electron microprobe.The alloys of GalnAsSb withcomposition in miscibility gap were successfully grown.The optical properties of Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y laverswere characterized by the photoluminescence and the infrared absorption.The spectral responses ofp~+-GaInAsSb/p-Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/n-GaSb detectors showed wavelength cut off at 2.4μm and detectivity-D~*=5×10~8 cmHz~(1/2)/W at room temperature.